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使用進(jìn)口晶振時(shí)你應(yīng)該知道哪些

返回列表 來(lái)源:金洛鑫 瀏覽:- 發(fā)布日期:2018-08-20 17:48:49【
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人類使用石英水晶晶振做為主要的電子產(chǎn)品元件已經(jīng)有一百多年了,但真正了解的人非常少,只有專業(yè)人士和專業(yè)的晶振廠家,才能解答出相關(guān)的技術(shù)工藝和使用過(guò)程中,需要注意的問(wèn)題和解決方法。雖然我們常說(shuō),只有匹配合適的參數(shù),石英晶體和有源晶振就可以無(wú)礙的應(yīng)用到產(chǎn)品身上,但這也并不是百分百正確的。誠(chéng)然,適用的優(yōu)質(zhì)高端晶體使用過(guò)程通常不會(huì)有問(wèn)題,但考慮到每個(gè)進(jìn)口晶振品牌制造的工藝不同,也會(huì)有不明顯的差距,不然石英晶振的價(jià)格有些會(huì)相關(guān)甚遠(yuǎn)。

那么如何才能快速的了解呢?對(duì)于工程來(lái)說(shuō)這并不難,多看一些相關(guān)的技術(shù)資料,或通過(guò)與進(jìn)口晶振供應(yīng)商交流咨詢,基本上也能掌握部分重要的核心原理。

什么是水晶的CL值?它的影響是什么?

所有石英晶體諧振器都具有串聯(lián)諧振頻率(fs,最低阻抗頻率)。在此頻率下,晶體在電路中呈現(xiàn)電阻。通過(guò)添加與晶體串聯(lián)的電抗(電容),可以從該系列頻率“拉”出晶體。當(dāng)與外部負(fù)載電容(CL)結(jié)合使用時(shí),石英水晶振子在略高于其串聯(lián)諧振頻率的頻率范圍內(nèi)振蕩。這是并聯(lián)(負(fù)載諧振)頻率。
      訂購(gòu)并聯(lián)晶體時(shí),請(qǐng)始終以picoFarads(pF)指定標(biāo)稱并聯(lián)諧振頻率和負(fù)載電容量。例如,可以訂購(gòu)CL的標(biāo)準(zhǔn)值(例如15pF); 然后計(jì)算電容器值以匹配晶體CL。
      負(fù)載頻率取決于CL值,其公式如下所示。
   如果輸出晶振頻率高于目標(biāo)頻率,則應(yīng)增加外部電容CL(或Cd和Cg的值),以將頻率降低到目標(biāo)頻率。另一種方法是,如果頻率高于中心頻率,則采用具有較低電容的晶體。

使用進(jìn)口晶振時(shí)你應(yīng)該知道哪些

當(dāng)晶體CL和PCBA CL不匹配時(shí),輸出頻率有什么影響?

我們生產(chǎn)水晶CL以滿足客戶的要求。標(biāo)稱頻率意味著石英晶體諧振器CL和PCBA CL在振蕩器電路中彼此相遇(無(wú)頻率偏差)以滿足客戶。

如果PCBA的CL高于晶體,則輸出頻率應(yīng)低于標(biāo)稱頻率。

如果PCBA的CL低于晶振,則輸出頻率應(yīng)高于標(biāo)稱頻率。

音叉晶振的頻率可牽引性不足或牽引范圍不對(duì)稱。

(1)如下所示,電路的負(fù)載電容與可牽引性之間存在負(fù)相關(guān)。它表明,當(dāng)負(fù)載電容變小時(shí),頻率牽引范圍會(huì)更大,反之亦然。

(2)另一方面,無(wú)源晶振特性也影響頻率牽引范圍。例如,有Trim Sensitivity(TS),Co和C1。負(fù)載電容的增量變化的分?jǐn)?shù)頻率變化稱為T(mén)S。當(dāng)C1變大或Co變小時(shí),頻率可牽引性變大。

(3)如果拉伸范圍不對(duì)稱,即一側(cè)拉力不足而另一側(cè)拉力太大,我們可以調(diào)整晶體的負(fù)載電容值。

pcba上的負(fù)載晶體頻率具有擴(kuò)散分布。

由于進(jìn)口貼片晶振頻率可牽引性和負(fù)載電容之間的關(guān)系,負(fù)載電容越小,頻率變化越敏感。以下步驟如下所示。

(1)增加負(fù)載電容Cg和Cd,并使用CL較大的晶體。

(2)使用更精確的電容器Cg和Cd。

(3)使用更精確的晶體。

水晶石英的AT切割有哪些特點(diǎn)?

AT切割是石英水晶諧振器器件中最常用的切割角度。溫度系數(shù)僅受溫度偏差的第三個(gè)函數(shù)支配。此外,它在很寬的溫度范圍內(nèi)具有出色的頻率穩(wěn)定性。晶體頻率-溫度特性的規(guī)格由切割角度和工作溫度范圍的微調(diào)決定。該圖顯示如下:

使用進(jìn)口晶振時(shí)你應(yīng)該知道哪些

由于頻率輸出偏差超出限制,系統(tǒng)無(wú)法正常工作?

第1步。如果頻率計(jì)測(cè)量的頻率超過(guò)極限,我們應(yīng)該增加外部電容CL(或Cd和Cg的值),將貼片晶振頻率降低到我們的目標(biāo)頻率,反之亦然。

步驟2。如果頻率遠(yuǎn)高于目標(biāo)頻率,我們可以采用具有較低電容的晶體,反之亦然。

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