百利通亞陶晶振,貼片晶振,FH1200001晶振
頻率:12MHZ
尺寸:2.5*2.0*0.5mm
Diodes 的產品包括二極管、整流器、晶體管、MOSFET、保護裝置、特定功能數組、單閘極邏輯、放大器與比較器、霍爾效應與溫度傳感器、電源管理裝置 (包括 LED 驅動器)、AC-DC 轉換器與石英晶振控制器、DC-DC 開關與線性穩壓器,以及電壓參考與特殊功能裝置 (例如 USB 電源開關、負載開關、電壓監控器及馬達控制器)。小面積晶體諧振器,2520高端智能貼片晶振,FH1200001晶振
百利通亞陶晶振集團將有效率的使用自然資源和能源,以便從源頭減少廢物產生和排放.我們將在關注于預防環境和安全事故,保護公眾健康的同時,努力改進我們的操作.我公司將積極參與加強公眾環境、健康和安全意識的活動,提高公眾對普遍的環境、健康和安全問題的注意. 所有的經營組織都將積極應用國際標準以及適用的法律法規.為促進合理有效的公共政策的制訂實施加強戰略聯系.百利通亞陶晶振集團消除事故和環境方面的偶發事件,減少晶體諧振器、普通晶體振(SPXO)材料廢物的產生和排放,有效的使用能源和各種自然資源,對緊急事件做好充分準備,以便及時做出反應.
百利通亞陶晶振,貼片晶振,FH1200001晶振,小體積貼片2520mm晶振,外觀小型,表面貼片型晶體諧振器,因本身體積小等優勢,適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領域.小型,薄型,輕型 (2.5 × 2.0 × 0.5 mm typ.) 具備優良的耐環境特性及高耐熱性強.滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
石英晶振真空退火技術:晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產生的應力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設計好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設定曲線對晶體組件進行退火,石英晶體諧振器通過合理的真空退火技術可提高晶振主要參數的穩定性,以及提高石英晶振的年老化特性。石英晶振曲率半徑加工技術:石英晶振晶片在球筒倒邊加工時應用到的加工技術,主要是研究滿足不同曲率半徑石英晶振晶片設計可使用的方法。如:1、是指球面加工曲率半徑的工藝設計( a、球面的余弦磨量; b、球面的均勻磨量;c、球面加工曲率半徑的配合)2、在加工時球面測量標準的設計原則(曲率半徑公式的計算)。小面積晶體諧振器,2520高端智能貼片晶振,FH1200001晶振
亞陶晶振 |
單位 |
FH1200001晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
12.000MHz |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-55°C ~+125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-20°C~+70°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
10μW Max. |
推薦:1μW~100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±30×10-6 (標準), |
+25°C 對于超出標準的規格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30~±50× 10-6/-40°C ~+85°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
負載電容 |
CL |
20pF |
不同負載電容要求,請聯系我們. |
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C ~ +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
一般來說,微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下:鎘和CG是外部負載電容,其中已建成的芯片組。 (請參閱芯片組的規格)Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻。它的內置芯片一般設置。Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?。這個阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路。一個穩定的振蕩電路需要的負電阻,其值應是石英四腳晶振阻力的至少五倍。它可寫為|-R|>5的Rr。例如,為了獲得穩定的振蕩電路中,IC的負電阻的值必須小于?200Ω時的晶振電阻值是40Ω。負阻“的標準來評估一個振蕩電路的質量。在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會產生振蕩的“Q”值是低的。因此,這是非常重要的衡量負電阻(-R)以下說明:線路連接的電阻(R)與晶體串聯,百利通亞陶晶振,貼片晶振,FH1200001晶振
(2)從起點到振蕩的停止點調整R的值。(3)振蕩期間測量R的值。(4)你將能夠獲得負電阻的值,|•R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力。附:所連接的電路的雜散電容,可能會影響測定值。如果無源SMD晶振的參數是正常的,但它不工作穩步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅動電路。如果是這樣的話,我們有三種方法來改善這樣的情況:降低外部電容(Cd和CG)的值,并采用其他晶振具有較低負載電容(CL)。
采用具有較低電阻(RR)的貼片石英晶振。使用光盤和CG的不等價的設計。我們可以增加鎘(XOUT)的負載電容和降低CG(辛)的負載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。當有信號輸出從XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情況下 - 電極后端電路是極其巨大的。我們可以添加一個緩沖電路的輸出和它的后電極之間,以驅動后端電路。但1-5的方法上面提到的,你也可以按照步驟1-4-4的三種方法。如有不明白請聯系我公司晶振的應用工程師和IC制造商尋求進一步的幫助,如果你的問題不能得到解決。系統無法運行,因為晶體沒有足夠的輸出波形振幅。小面積晶體諧振器,2520高端智能貼片晶振,FH1200001晶振
振蕩開始代替。在基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個范圍內。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個電阻10米或更?。限制2520mm晶振流入諧振器的電流,調節負電阻和勵磁。電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動。C1、C2電容器調節負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有給定負載能力。百利通亞陶晶振,貼片晶振,FH1200001晶振
適當的控制2520四腳SMD石英晶振電阻值(RD)取決于諧振器的類型,頻帶和設備的價值。電容器(C1,C2)。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的(包括負電阻和驅動級)。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個范圍內。?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序,在3 pF的范圍內- 33 pF左右,僅供參考。
驅動能力:驅動能力說明進口石英晶體振蕩晶體單元所需電功率,其計算公式如下:驅動能力 (P) = i2?Re其中i表示經過晶體單元的電流,Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
此外,振蕩頻率與測量點不同。1。測量緩沖輸出2。振蕩級輸出測量三.通過進口晶體諧振器電容器測量振蕩級輸出圖5示出以上1-3個測量點和所測量的除緩沖器輸出外,振蕩頻率較低。
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