Q-Tech振蕩器失效的平均時(shí)間
在使用石英晶體振蕩器過程中,如果因?yàn)槟撤N因素導(dǎo)致故障,是一個(gè)非常麻煩的事,要解決這個(gè)問題,最好的方法就是找到問題的根源,然后“對(duì)癥下藥”。在這方面,美國(guó)的Q-Tech晶振公司是行家,研究出晶體振蕩器平均故障的間隔時(shí)間,通過相關(guān)的測(cè)試和計(jì)算確認(rèn)最終數(shù)據(jù)。包括了加速壽命測(cè)試、壽命測(cè)試數(shù)據(jù)、運(yùn)行條件、材料清單、MTBF計(jì)算、可靠性預(yù)測(cè)、設(shè)計(jì)技術(shù)、MTBF每年實(shí)際生命測(cè)試等項(xiàng)目。可靠性定義為設(shè)備在特定時(shí)間段內(nèi)按其規(guī)范運(yùn)行的概率。
浴缸曲線:
“浴盆曲線”描述了設(shè)備的假設(shè)故障率與時(shí)間的關(guān)系。第一個(gè)時(shí)期稱為嬰兒死亡期。下一個(gè)時(shí)期是圖的平坦部分。它被稱為正常生活。第三個(gè)周期從斜率開始增加的點(diǎn)開始并延伸到圖的末尾。
圖1可靠性浴缸曲線
MIL-HDBK-217計(jì)算的故障率適用于石英晶體振蕩器成熟期的使用壽命期,較弱的單元減弱并開始失效,因?yàn)橄鄬?duì)恒定且故障率較低。使用壽命是進(jìn)行可靠性預(yù)測(cè)的最常見時(shí)間范圍。
加速壽命測(cè)試:
加速壽命測(cè)試采用高應(yīng)力方法來縮短壽命晶振或加速產(chǎn)品性能下降。各個(gè)振蕩器中的壓力測(cè)試包括延長(zhǎng)的老化時(shí)間,即在+125°C或更低溫度下的壽命測(cè)試在偏見下至少1000小時(shí)更高。其他一些測(cè)試包括加熱,濕度,溫度,振動(dòng)和負(fù)載。
可靠性預(yù)測(cè)方法:
預(yù)測(cè)方法基于基于各種來源的組件數(shù)據(jù):
-壽命測(cè)試數(shù)據(jù)
-MIL-HDBK-217
運(yùn)行條件:
-最大電流消耗:最大15mA。在+3.63V
-ThetaJC=30°C/W.
-ThetaJA=130°C/W.
-最高溫升:1.6°C
MTBFPERMIL-HBK-217:
MTBF計(jì)算基于MIL-HBK-217和太空飛行環(huán)境(SF)環(huán)境溫度+65°C,CL=90%,使用32.895MHz石英晶體,基本模式為3.3Vdc±10%電源,16-FP封裝,密封周長(zhǎng)為1.8英寸。
材料清單:
-封裝,16-FP0.500“x0.375”(1.75英寸密封周長(zhǎng))數(shù)量:1
-微電路,ACMOS,數(shù)字?jǐn)?shù)量:1
-互連Au-Au數(shù)量:22
-陶瓷,多層電容器,S級(jí),25V數(shù)量:1
-石英晶體諧振器,掃描,2mW數(shù)量:1
-電阻數(shù)量:1
-互連跳線數(shù)量:2
-基材數(shù)量:1
故障率=Σ?p(1+0.2πe)πfπqπl(wèi)
πe=0.5;πf=1;πq=0.25;πL=1
[(1x0.000011)+(1x0.0045)+(1x0.0000079)+(1x0.0084)+(22x0.0013)+(1x0.015)](1+0.2x0.5)(1.0x0.25x1.0)=0.016失敗/106小時(shí)
混合動(dòng)力QT128L11S故障率=0.016故障/114年
FIT=16
可靠性預(yù)測(cè)圖
QT技術(shù)空間合格QT122L11S-32.895MHz的可靠性預(yù)測(cè)Life-test數(shù)據(jù)和使用MIL-HDBK-217的計(jì)算如下所示:
設(shè)計(jì)技術(shù):
QT128L11S設(shè)計(jì)采用了ASICFACT1.3μ技術(shù)ACMOS邏輯,輻射容忍100kRad(Si),近似熱激活能量0.4eV和掃描石英在32.895MHz基本模式安裝在a三(3)點(diǎn)安裝。
模具的絕對(duì)最大額定值:
-絕對(duì)最大功耗:500mW
-絕對(duì)最高結(jié)溫:+175°C
-絕對(duì)最大電源電壓:+7Vdc
(對(duì)于60%置信水平的零失敗,卡方=1.833)MTBF=5,455,537小時(shí)
失敗率=1/MTTF=183.3E-9
FITS=失敗率x1E9=183
MTBF每年實(shí)際生命測(cè)試:
對(duì)于5Vdc和+3.3Vdc三次泛音的相同設(shè)計(jì),Q-Tech收集了在+125°C的壽命測(cè)試期間,超過100,000個(gè)設(shè)備小時(shí),沒有故障。使用60%置信水平的chisquare分布,我們預(yù)測(cè)失敗率如下:
測(cè)試部件數(shù)量:100+部件號(hào)測(cè)試:
具有第三個(gè)Overtone設(shè)計(jì)的MCM
供電電壓:+3.3Vdc和+5Vdc
負(fù)載:15pF//10kohms
失敗次數(shù):0
測(cè)試溫度:+125°C
小時(shí)數(shù):100,000+
設(shè)備小時(shí)數(shù)=100,000devhrs
加速因子(AF)=e(Ea/k)*(1/T1-1/T2)
其中Ea=0.4eV;k=8.62E-5eV/K;T1=298K;T2=398K
AF=50
通過以上的方法可以有效的實(shí)現(xiàn)預(yù)測(cè)各種有源晶振平均的失效時(shí)間,找到問題的所在,并利用現(xiàn)在的高技術(shù)手段處理。Q-Tech晶振已正式上線金洛鑫電子官網(wǎng),感興趣的采購(gòu)和用戶可以聯(lián)系我司,咨詢相關(guān)的資料和產(chǎn)品信息,并可為客戶提供樣品及訂購(gòu)服務(wù)。
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