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EPSON晶體,有源晶振,SG5032CAN晶振,X1G0044510001晶振

頻率：1~75MHZ

尺寸：5.0*3.2mm

5032mm體積的石英晶體振蕩器,有源晶振,該產品可驅動2.5V的溫補晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應自動高速貼片機自動焊盤,及IR回流焊盤(無鉛對應),為無鉛產品,超小型,質地輕.產品被廣泛應用到集成電路,程控交換系統,無線發射基站.

訂購熱線：0755-27837162

愛普生株式會社愛普生拓優科夢,（EPSON — YOCOM）1942年成立時是精工集團的第三家手表制造公司,以石英手表起家的愛普生公司到后續的生產壓電SMD晶體,1996年2月在中國蘇州投資建廠,在當時員工人數就達2000人,總投資4.055億美元,公司占地200畝,現已經是世界500強企業.

日本精工愛普生接受了中國蘇州政府2007 年的招商引資,命名為【愛普生拓優科夢水晶元器件（蘇州）有限公司】愛普生拓優科夢（Epson Toyocom）是精工愛普生株式會社與愛普生（中國）有限公司共同投資成立的有限責任公司（外商合資）.目前注冊資本2500萬美金.現員工人數:1500人.主要從事石英晶振系列產品的生產,投資初期主要生產32.768KHZ系列產品,從2009年起32.768K系列產品轉向馬來西亞量產.蘇州愛普生工廠就以生產高端的石英晶體振蕩器為主,普通石英晶體諧振器為輔.

EPSON晶體,有源晶振,SG5032CAN晶振,X1G0044510001晶振超小型石英貼片晶振晶片的設計：石英晶片的長寬尺寸已要求在±0.00２mm內，由于貼片晶振晶片很小導致晶體的各類寄生波(如長度伸縮振動，面切變振動)與主振動(厚度切變振動)的耦合加強，從而造成如若石英晶振晶片的長度或寬度尺寸設計不正確、使得振動強烈耦合導致石英晶振的晶片不能正常工作，從而導致產品在客戶端不能正常使用，晶振的研發及生產超小型石英晶振完成晶片的設計特別是外形尺寸的設計是首要需解決的技術問題，公司在此方面通過理論與實踐相結合，模擬出一整套此石英晶振晶片設計的計算機程序，該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應用并取得很好的效果。

智能手機愛普生晶體,產品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領域.比如智能手機,無線通信,衛星導航,平臺基站等數碼產品類別,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準時鐘源用頻率,貼片晶振具有優良的電氣特性,耐環境性能適用于移動通信領域,滿足無鉛工作的高溫回流溫度曲線要求.

愛普生晶振規格	SG5032CAN晶振
驅動輸出	CMOS
常用頻率	1~75MHZ
工作電壓	+1.6~+3.63V （代表値）電源電圧は+1.7V～+3.3V範囲の任意の電圧で動作可能
靜態電流	（工作時）+1.2 mA max. (F≦15MHz) +1.4 mA max. (15＜F≦26MHｚ） +1.6 mA max. (F＞26MHz)（スタンバイ時）+1μA以下
TCXO輸出電壓	0.8Vp-p min.
TCXO輸出負載	（10kΩ//10pF) ±10％
常規溫度偏差	±20/30/50×10-6 (After 2 reflows)
頻率溫度偏差	±30×10-6/-40℃～+85℃
頻率溫度偏差	±50×10-6/-55℃～+125℃（オプション）

愛普生日產有源兆赫茲晶振型號列表：

Model

Frequency

LxWxH

Output Wave

Ope Temperature

Freq. Tol.

I [Max]

25°C Aging

Aging2

Symmetry

SG7050EAN

320.000000 MHz

7.00 x 5.00 x 1.60 mm

LV-PECL

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 65.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

SG7050EAN

125.003700 MHz

7.00 x 5.00 x 1.60 mm

LV-PECL

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 65.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

SG7050EAN

301.386000 MHz

7.00 x 5.00 x 1.60 mm

LV-PECL

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 65.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

SG7050EAN

233.372000 MHz

7.00 x 5.00 x 1.60 mm

LV-PECL

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 65.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

SG5032CAN

12.288000 MHz

5.00 x 3.20 x 1.30 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 1.8 mA

+/-3ppm

45 to 55 %

SG5032CAN

16.000000 MHz

5.00 x 3.20 x 1.30 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 1.8 mA

+/-3ppm

45 to 55 %

SG5032CAN

24.000000 MHz

5.00 x 3.20 x 1.30 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 2.2 mA

+/-3ppm

45 to 55 %

SG5032CAN

25.000000 MHz

5.00 x 3.20 x 1.30 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 2.2 mA

+/-3ppm

45 to 55 %

愛普生日產有源兆赫茲晶振編碼列表：

Product Number

Model

Frequency

LxWxH

Output Wave

Ope Temperature

Freq. Tol.

I [Max]

25°C Aging

Aging2

Symmetry

X1G0042910127

SG7050EAN

320.000000 MHz

7.00 x 5.00 x 1.60 mm

LV-PECL

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 65.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

X1G0042910128

SG7050EAN

125.003700 MHz

7.00 x 5.00 x 1.60 mm

LV-PECL

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 65.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

X1G0042910129

SG7050EAN

301.386000 MHz

7.00 x 5.00 x 1.60 mm

LV-PECL

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 65.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

X1G0042910130

SG7050EAN

233.372000 MHz

7.00 x 5.00 x 1.60 mm

LV-PECL

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 65.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

X1G0044510001

SG5032CAN

12.288000 MHz

5.00 x 3.20 x 1.30 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 1.8 mA

+/-3ppm

45 to 55 %

X1G0044510002

SG5032CAN

16.000000 MHz

5.00 x 3.20 x 1.30 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 1.8 mA

+/-3ppm

45 to 55 %

X1G0044510003

SG5032CAN

24.000000 MHz

5.00 x 3.20 x 1.30 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 2.2 mA

+/-3ppm

45 to 55 %

X1G0044510004

SG5032CAN

25.000000 MHz

5.00 x 3.20 x 1.30 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 2.2 mA

+/-3ppm

45 to 55 %

SG5032CAN 7050CAN CBN CCN CMOS

晶振產品使用每種產品時,請在日產進口晶振規格說明或產品目錄規定使用條件下使用。因很多種晶振產品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項也有所不同,比如焊接模式,運輸模式,保存模式等等,都會有所差別。EPSON晶體,有源晶振,SG5032CAN晶振,X1G0044510001晶振

所有產品的共同點1：抗沖擊:抗沖擊是指5032晶振產品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊。如果產品已受過沖擊請勿使用。因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響。 2：輻射:將貼片晶振暴露于輻射環境會導致產品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射。 3：化學制劑 / pH值環境:請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品。

4：粘合劑:請勿使用可能導致進口貼片晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能。） 5：鹵化合物:請勿在鹵素氣體環境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。6：靜電:過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。

測試條件：(1) 電源電壓超過150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他輸入電容低于 15 pF.5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過有源晶振的放大器時，可同時進行測量。(3) 其他：CL包含探頭電容。應使用帶有小的內部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）,EPSON晶體,有源晶振,SG5032CAN晶振,X1G0044510001晶振

驅動能力：驅動能力說明無人機晶振所需電功率，其計算公式如下：驅動能力 (P) = i2_Re其中i表示經過晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。

1、振蕩電路：晶體諧振器是無源元件，因此受到電源電壓、環境溫度、電路的影響。配置、電路常數和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和異常運行。因此，在振蕩電路的設計中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。導航系統設備晶振的振動安全穩定。只有在做出了這個決定之后，后續的項目，例如討論了頻率精度、頻率變化、調制度、振蕩起始時間和振蕩波形。2。角色的分量與參考值：在振蕩電路的設計中，必須認識到個體的作用。組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來描述角色。（圖1）使用一個通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。當反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時，如圖所示表1，即使在振蕩功率作用下，LVDS晶振也不會啟動振蕩。電路。除非有適當值的電阻器連接，否則振蕩不會啟動。