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愛普生晶振,溫補晶振,TG-5035CJ晶振,X1G0038410026晶振

頻率：38.400MHz

尺寸：2.0*1.6*0.73mm

2016mm體積的溫度補償型石英晶體振蕩器,該產品可驅動2.5V的溫補晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應自動高速貼片機自動焊接,及IR回流焊接(無鉛對應),為無鉛產品,超小型,質地輕.產品被廣泛應用到集成電路,程控交換系統,無線發射基站.

訂購熱線：0755-27837162

EPSON-1

愛普生晶振以時鐘晶體,（32.768KHZ）系列出名,目前愛普生品牌遍布全世界,而千赫茲的晶體應用范圍也比較廣闊,所有的時記產品都需要用上KHZ系列晶體,該系列產品具有小型,薄型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領域.主要從事壓電石英晶振系列產品的生產,投資初期主要生產32.768KHZ系列產品,從2009年起32.768K系列產品轉向馬來西亞量產.蘇州愛普生工廠就以生產高端的石英晶體振蕩器為主,普通石英晶體諧振器為輔.
伴隨信息化社會的進程,現在石英晶振已被廣泛應用于各種電子設備以及家電產品之中,日趨重要. 愛普生拓優科夢（Epson — yocom）將進一步究極用精微加工發揮“石英”材料的優越性能的“QMEMS”技術,創造出更小、更高性能或全新功能的元器件;同時,融合愛普生集團的半導體與軟件技術增添便于使用、能讓顧客更體驗到利用價值的“解決方案”.通過上述工作,我們將為社會的發展以及實現更舒暢的未來而竭誠奉獻. 愛普生晶振,溫補晶振,TG-5035CJ晶振,X1G0038410026晶振

愛普生晶振,溫補晶振,TG-5035CJ晶振,X1G0038410026晶振.小體積貼片2016mm晶振,外觀小型,表面貼片型晶體諧振器,因本身體積小等優勢,適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領域.小型,薄型,輕型 (2.0×1.6×0.73mm typ.) 具備優良的耐環境特性及高耐熱性強.滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
石英晶振真空退火技術：晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產生的應力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設計好的溫度曲線，使真空室溫度跟隨設定曲線對晶體組件進行退火，石英晶振通過合理的真空退火技術可提高晶振主要參數的穩定性，以及提高石英晶振的年老化特性。

愛普生溫補晶振規格	TG-5035CJ晶振
溫補晶振頻率	13.000MHz~52.000MHz
常用標準頻率	13MHz,16.368MHz,16.369MHz,19.2MHz,26MHz,38.4MHz
工作電壓	+1.8V +2.5V +2.8V +3.0V +3.3V （代表値）電源電圧は+1.7V～+3.6V範囲の任意の電圧で動作可能
靜態電流	（工作時）+1.2 mA max. (F≦15MHz) +1.4 mA max. (15＜F≦26MHｚ） +1.6 mA max. (F＞26MHz)（スタンバイ時）+1μA以下
TCXO輸出電壓	0.8Vp-p min.
TCXO輸出負載	（10kΩ//10pF) ±10％
常規溫度偏差	±1.5×10-6 (After 2 reflows)
頻率溫度偏差	±0.5×10-6/-30℃～+85℃
頻率溫度偏差	±0.5×10-6/-40℃～+85℃（オプション）

X1G0038410026晶振系列原廠編碼：

原廠編碼	型號	頻率	封裝尺寸	輸出波	頻率容許偏差	工作溫度
X1G0038410002	TG-5035CJ	26.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA	+/-1ppm
X1G0038410004	TG-5035CJ	26.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-1.5 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA	+/-1ppm
X1G0038410010	TG-5035CJ	33.600000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-1.5 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA	+/-1ppm
X1G0038410011	TG-5035CJ	16.369000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA	+/-1ppm
X1G0038410015	TG-5035CJ	26.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.5 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA	+/-1ppm
X1G0038410017	TG-5035CJ	26.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-1.5 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA	+/-1ppm
X1G0038410026	TG-5035CJ	38.400000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 2.0 mA	+/-1ppm
X1G0038410027	TG-5035CJ	52.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 2.0 mA	+/-1ppm
X1G0038410029	TG-5035CJ	16.368000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA	+/-1ppm
X1G0038410030	TG-5035CJ	24.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA	+/-1ppm
X1G0038410033	TG-5035CJ	16.369000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA	+/-1ppm
X1G0038410034	TG-5035CJ	26.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA	+/-1ppm
X1G0038410040	TG-5035CJ	24.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA	+/-1ppm
X1G0038410048	TG-5035CJ	16.368000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA	+/-1ppm
X1G0038410052	TG-5035CJ	26.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-1.5 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.3 mA	+/-1ppm
X1G0038410054	TG-5035CJ	16.367667 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA	+/-1ppm

TG-5035CG(A)_2520

愛普生TG-5035CJ溫補晶振系列型號規格表：

TG-5035CJFM

抗沖擊
低抖動晶振可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到沖擊。如果產品已受過沖擊請勿使用。
輻射
暴露于輻射環境會導致石英晶體性能受到損害，因此應避免照射。
化學制劑/pH值環境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解2016封裝晶振或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品。
粘合劑
請勿使用可能導致SMD晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質量，降低性能。）
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環境下使用無源晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內，都可能產生腐蝕。同時，請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會損壞TCXO晶振，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進行接地操作。

驅動能力：驅動能力說明溫補晶振所需電功率，其計算公式如下：驅動能力 (P) = i2_Re其中i表示經過晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。愛普生晶振,溫補晶振,TG-5035CJ晶振,X1G0038410026晶振

1、振蕩電路：晶體諧振器是無源元件，因此受到電源電壓、環境溫度、電路的影響。配置、電路常數和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和異常運行。因此，在振蕩電路的設計中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動安全穩定。只有在做出了這個決定之后，后續的項目，例如討論了頻率精度、頻率變化、調制度、振蕩起始時間和振蕩波形。
2。角色的分量與參考值：在振蕩電路的設計中，必須認識到個體的作用。組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來描述角色。（圖1）使用一個通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。當反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時，如圖所示表1，即使在振蕩功率作用下，石英晶體諧振器也不會啟動振蕩。電路。除非有適當值的電阻器連接，否則振蕩不會啟動。

測試條件：(1) 電源電壓超過150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他輸入電容低于 15 pF.5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過石英晶體振蕩器的放大器時，可同時進行測量。(3) 其他：CL包含探頭電容。應使用帶有小的內部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）