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SiTime晶振,32.768K有源晶振,SiT1532晶振

頻率:32.768KHz

尺寸:1.54*0.8mm

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS集成電路,產品本身已實現與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應)產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.
訂購熱線:0755-27837162
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Sitime-2

    SiTime在MEMS(微機電系統)技術、模擬CMOS電路設計和開發方面具有深厚的技術專長,并具有成本效益的組裝和測試。這些專業技術的結合,都是在SiTime內部進行的,在計時行業中是獨一無二的,推動創新的速度要比quartz快得多。除了MEMS和模擬電路的專業知識外,SiTime還具備以優異的有源晶振質量和可靠性交付大量產品的能力。這種能力來自于我們的裝配、測試和校準技術,使我們能夠提供一個完全集成的解決方案,完全可以與行業標準的腳印相兼容。
    SiTime的基于內存的硅計時解決方案受益于廣泛的應用。作為石英設備的替代品,SiTime的振蕩器和時鐘發生器已經成功地將石英晶振為硅基產品。通過一個全新的全硅平臺,SiTime有著卓越的歷史成就。我們快速的技術突破是通過利用硅技術的優勢,結合了數十年的MEMS諧振器經驗和內部模擬技術來實現的。半導體公司正在將我們的硅MEMS諧振器集成到他們的足球/asics中,從而完全消除外部時鐘,簡化系統設計。

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   SiTime晶振,32.768K有源晶振,SiT1532晶振.是全球最小,功耗最低的32.768kHz振蕩器,針對移動和其他電池供電應用而優化。SiTime的硅MEMS技術實現了最小尺寸和芯片級封裝。與現有的2.0*1.2mm SMD XTAL封裝相比,該器件可將32 kHz占用空間減少85%。與XTAL不同,SiT1532振蕩器輸出實現了更大的元件貼裝靈活性,并消除了外部負載電容,從而節省了額外的元件數量和電路板空間。
    SiTime晶振的真空封裝技術:是指石英晶振在真空封裝區域內進行封裝。1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產生;2.使晶振組件在真空下電阻減小;3.氣密性高。此技術為研發及生產超小型、超薄型貼片振蕩器必須攻克的關鍵技術之一。1.5*0.8mm超小型有源晶振,32.768K石英振蕩子,SiT1532晶振

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RB-1

SiTime晶振

標示

SiT1532晶振

晶振基本信息對照表

標準范圍

f0

32.768KHz

 

電源電圧

Vcc

1.5V~3.63V

 

輸出電流

Icc

3.5 mA max.

Vcc=3.3V

頻率負載

L_CMOS

15pF

LVCMOS出力

標準頻率偏差

f_tol

±10±20×10-6 max.


初期偏差、
周波數溫度特性、
電源、負荷変動特性、
経時変化(1年、+25℃時)

輸出電壓

V

VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max.

 

對稱

SYM

40%60%

50% Vcc

標準時間

tr/tf

12 ns max.(1.880MHz)

10%Vcc90%L_CMOS=15pF

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SiT1532 1508 32.768K OSC

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噪音
    在電源或輸入端上施加執行級別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導致會引發功能失常或擊穿的閉門或雜散現象。
電源線路
    電源的線路阻抗應盡可能低。1.5*0.8mm超小型有源晶振,32.768K石英振蕩子,SiT1532晶振
輸出負載
    建議將輸出負載安裝在盡可能靠近硅振蕩器的地方(在20 mm范圍之間)。
未用輸入終端的處理
    未用針腳可能會引起噪聲響應,從而導致非正常工作。同時,當P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加;因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND。
熱影響
    重復的溫度巨大變化可能會降低受損害的MEMS晶振的產品特性,并導致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。
安裝方向
    進口晶體振蕩器的不正確安裝會導致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確。SiTime晶振,32.768K有源晶振,SiT1532晶振
通電
    不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導致美國進口晶振無法產生振蕩和/或非正常工作。

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RB-5

設計振蕩回路的注意事項
1.驅動能力
驅動能力說明32.768K振蕩器所需電功率,其計算公式如下:
驅動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。1.5*0.8mm超小型有源晶振,32.768K石英振蕩子,SiT1532晶振

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2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加耐高溫晶振振蕩啟動時間,或不發生振蕩。為避免該情況發生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻。

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3.負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致石英晶體振蕩器振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。SiTime晶振,32.768K有源晶振,SiT1532晶振

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頻率和負載電容特征圖器

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振蕩回路參數設置參考

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