RTC晶振,SM33K進(jìn)口晶振,PLETRONICS晶振,SM3344KE-32.768K,2520有源貼片
頻率:32.768kHz
尺寸:2.50 x 2.00mm
RTC晶振,SM33K進(jìn)口晶振,PLETRONICS晶振,SM3344KE-32.768K,2520有源貼片
SM3344KE - 32.768K作為Pletronics的進(jìn)口SM33K系列晶振,是RTC應(yīng)用領(lǐng)域的佼佼者。采用2520貼片晶振封裝,體積小巧,便于在電路板上進(jìn)行高密度安裝,滿(mǎn)足現(xiàn)代電子設(shè)備小型化、集成化的發(fā)展需求。其以32.768kHz的標(biāo)準(zhǔn)頻率,為實(shí)時(shí)時(shí)鐘系統(tǒng)提供精準(zhǔn)的計(jì)時(shí)信號(hào)。運(yùn)用先進(jìn)的制造技術(shù)和優(yōu)質(zhì)材料,在 - 40℃至 + 85℃的寬溫度范圍內(nèi),頻率偏差能被嚴(yán)格控制在極小范圍,展現(xiàn)出卓越的頻率穩(wěn)定性。無(wú)論是在智能穿戴設(shè)備中記錄運(yùn)動(dòng)數(shù)據(jù)的時(shí)間戳,還是在物聯(lián)網(wǎng)傳感器節(jié)點(diǎn)中確保數(shù)據(jù)采集的時(shí)間同步,這款32.768K有源晶振都能憑借其穩(wěn)定的性能,成為保障設(shè)備精準(zhǔn)計(jì)時(shí)的先鋒。
SM3344KE - 32.768K在設(shè)計(jì)上融入了Pletronics的創(chuàng)新理念,2520有源貼片封裝設(shè)計(jì)不僅實(shí)現(xiàn)了體積的小型化,還優(yōu)化了散熱性能和電氣性能。這種設(shè)計(jì)使得晶振在緊湊的空間內(nèi)能夠更好地散熱,減少因溫度變化對(duì)頻率穩(wěn)定性的影響,同時(shí)提升了電氣性能,降低了信號(hào)干擾,提高了頻率精度。通過(guò)不斷優(yōu)化內(nèi)部電路和晶體結(jié)構(gòu),有效降低了相位噪聲,進(jìn)一步增強(qiáng)了其在RTC應(yīng)用中的性能表現(xiàn)。與市場(chǎng)上同類(lèi)石英晶振相比,SM3344KE - 32.768K具有更高的性?xún)r(jià)比和更好的適應(yīng)性。Pletronics持續(xù)投入研發(fā)資源,對(duì)晶振的性能進(jìn)行優(yōu)化,使其憑借創(chuàng)新設(shè)計(jì)和卓越性能,引領(lǐng)著2520封裝有源貼片RTC晶振的發(fā)展潮流,為電子設(shè)備制造商提供更優(yōu)質(zhì)、更高效的時(shí)鐘解決方案。
在生產(chǎn)SM3344KE - 32.768K的過(guò)程中,Pletronics晶振秉持環(huán)保理念,積極踐行綠色制造。從原材料的選擇到生產(chǎn)工藝的優(yōu)化,都嚴(yán)格遵循國(guó)際環(huán)保標(biāo)準(zhǔn),確保晶振符合RoHS、REACH等環(huán)保法規(guī)要求,無(wú)鉛、無(wú)汞、無(wú)其他有害物質(zhì)。采用環(huán)保型生產(chǎn)技術(shù),降低能源消耗,減少?gòu)U棄物排放,致力于減少對(duì)環(huán)境的負(fù)面影響。這種環(huán)保設(shè)計(jì)不僅符合現(xiàn)代社會(huì)對(duì)綠色電子產(chǎn)品的需求,也體現(xiàn)了Pletronics對(duì)可持續(xù)發(fā)展的承諾。在電子行業(yè)日益注重環(huán)保的今天,SM3344KE - 32.768K以其環(huán)保特性,成為綠色電子元器件的典范,為注重環(huán)保的電子設(shè)備制造商提供理想選擇,推動(dòng)整個(gè)電子行業(yè)朝著更加環(huán)保、可持續(xù)的方向發(fā)展。
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Parameter | Min | Typ | Max | Unit | Condition | |||
Frequency | - | 32.768 | - | kHz | ||||
Frequency Stability | ±20* | - | ±50 | ppm |
Includes supply voltage change, load change, aging for 1 year at 25°C
± 2°C, shock, vibration and temperatures. *See page 2
|
|||
Operating Temperature Range |
-20 -40 |
- |
+70 +85 |
°C | ||||
Supply Voltage 1 (VCC) | 1.8 | - | 3.3 | V | ±10% of selected Vcc | |||
Input Current (ICC) | - | 35 | µA | No Load | ||||
Output Disabled Current (Ist) | - | - | 5 | µA | ||||
Output Waveform | CMOS輸出晶振 | |||||||
Duty Cycle | 45 | - | 55 | % | At 50% Vcc level; CLOAD = 15 pF | |||
Output VHIGH (IOH = -1mA) | 0.9Vcc | - | - | V | ||||
Output VLOW (IOL = 1mA) | - | - | 0.1Vcc | V | ||||
Output TRISE and TFALL | - | - | 50 | ns |
CLOAD = 15 pF
10% to 90% of VCC
See Load Circuit
|
|||
Startup Time | - | - | 20 | ms | Time for output to reach specified frequency | |||
VDISABLE (VIL) | - | - | 0.3Vcc | V | Of VCC applied to Pad 1 | |||
VENABLE (VIH) | 0.7Vcc | - | ||||||
Enable/Disable Pullup Resistance | 61 | kΩ | Pad 1 open or VIH | |||||
Output Disable Time | - | - | 0.2 | µs | ||||
Output Enable Time | - | - | 20 | ms | ||||
Aging 1st Year | - | - | ±3 | ppm | At 25°C | |||
Storage Temperature Range | -55 | - | +125 | °C |
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所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)
1、抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。
2、輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。
3、化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
4、粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
5、鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂。
6、靜電
過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞產(chǎn)品,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。
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