Golledge晶振,貼片晶振,CC6F晶振,歐美晶振
頻率:30~250MHZ
尺寸:3.5*2.2*0.7mm
Golledge高利奇晶振集團將有效率的使用自然資源和能源,以便從源頭減少廢物產(chǎn)生和排放.我們將在關注于預防環(huán)境和安全事故,保護公眾健康的同時,努力改進我們的操作.我公司將積極參與加強公眾環(huán)境、健康和安全意識的活動,提高公眾對普遍的環(huán)境、健康和安全問題的注意. Golledge晶振將持續(xù)的環(huán)境、健康和安全方面的改進、污染預防和員工的努力納入日常運行當中.加強污染防治,減少現(xiàn)有的污染廢棄物以及在未來晶體諧振器、普通晶體振蕩器(SPXO),石英晶振生產(chǎn)制造中所產(chǎn)生的污染.
貼片晶振晶片邊緣處理技術:貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除無源晶振晶片的邊緣效應,在實際操作中機器運動方式設計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設計必須合理,有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定。 超強防焊裂性石英晶振,3.5*2.2mm陶瓷面晶體,CC6F晶振
Golledge晶振 |
單位 |
CC6F晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
30~250MHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-55°C ~ +125°C |
裸存 |
激勵功率 |
DL |
100μW Max. |
推薦:100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標準) |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~+70°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負載電容 |
CL |
10pF |
不同負載要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
PCB設計指導(1) 理想情況下,機械蜂鳴器應安裝在一個獨立于晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當應用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時,機械振動程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。(2) 在設計無源SMD晶振時請參考相應的推薦封裝。(3) 在使用焊料助焊劑時,按JIS標準(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。(4) 請按JIS標準(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。 超強防焊裂性石英晶振,3.5*2.2mm陶瓷面晶體,CC6F晶振
存儲事項:(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存晶振時,會影響石英晶體諧振器頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進行安裝,以免長期儲藏。 正常溫度和濕度:溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH(請參閱“測試點JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標準條件”章節(jié)內(nèi)容)。(2) 請仔細處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會導致卷帶受到損壞。
負載電容:如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致3.5*2.2mm石英晶振振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示電路的雜散電容。Golledge晶振,貼片晶振,CC6F晶振,歐美晶振
測試條件(1)電源電壓:超過 150µs,直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量頻率時,探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經(jīng)過3522貼片晶振振蕩器的放大器時,可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽,以觀察波形。(請勿使用該探頭的長接地線).
振蕩電路的檢查方法,振蕩頻率測量:必須盡可能地測量安裝在陶瓷面兩腳貼片晶振電路上的諧振器的振蕩頻率的真實值,使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中,通常使用探頭和頻率計數(shù)器。然而,我們的目標是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。有三種頻率測量模式,如下面的圖所示(圖)。2, 3和4)。最精確的測量方法是=通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實現(xiàn)的。
接觸振蕩電路:探針不影響圖2,因為緩沖器的輸出是通過3522衛(wèi)星通信晶振輸入振蕩電路的輸出來測量的。逆變器進入下一階段。探針不影響圖3,因為在IC上測量緩沖器輸出(1/1、1/2等)。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況,由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。輸出點之間的電容(3 pF以下XTAL終端IC)和探針。然而,應該注意到,使用這種方法輸出波形較小,測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形,頻率計數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下,使用放大器來測量。
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
聯(lián)系人:茹紅青
手機:13510569637
電話:0755-27837162
QQ號:657116624
微信公眾號:CITIZENCRYSTAL
搜狐公眾號:晶振石英晶振NDK晶振
郵箱:jinluodz@163.com
地址:深圳市寶安區(qū)41區(qū)甲岸路19號
網(wǎng)址:http://www.zrwej.cn/
相關的產(chǎn)品 / Related Products
- Kyocera晶振CX3225GA,CX3225GA20000D0PTVCC陶瓷晶振
Kyocera晶振CX3225GA,CX3225GA20000D0PTVCC陶瓷晶振,京瓷陶瓷諧振器,日產(chǎn)晶振,無源諧振器,SMD晶振,兩腳貼片晶振,日本進口晶振,型號CX3225GA,編碼CX3225GA20000D0PTVCC是一款陶瓷面兩腳貼片型的無源晶振,尺寸為3225mm,頻率為20MHZ,工作溫度-40°C~150°C,具備超高的穩(wěn)定性能和可靠性能,適合用于車載應用,電子數(shù)碼產(chǎn)品,產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,產(chǎn)品被廣泛用于在辦公自動化,家電領域,移動通信領域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無鉛標準,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
CX3225GA30000D0PTVCC晶振的真空封裝技術:是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進行封裝.1.防止外界氣體進入組件體內(nèi)受到污染和增加應力的產(chǎn)生;2.使晶振組件在真空下電阻減小;3.氣密性高.此技術為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關鍵技術之一.Kyocera晶振CX3225GA,CX3225GA20000D0PTVCC陶瓷晶振
- 加高晶振,貼片晶振,HSX321S晶振,石英晶振
- 3225mm體積非常小的SMDcrystal器件,是民用小型無線數(shù)碼產(chǎn)品的最佳選擇,小體積的晶振被廣泛應用到,手機藍牙,GPS定位系統(tǒng),無線通訊集,高精度和高頻率的穩(wěn)定性能,非常好的減少電磁干擾的影響,是民用無線數(shù)碼產(chǎn)品最好的選擇,符合RoHS/無鉛.
- NDK晶振,貼片晶振,NX3225GD晶振,NX3225GD-10.000M-STD-CRA-3晶振
- 貼片石英晶振最適合用于車載電子領域的小型表面貼片石英晶體諧振器.也可對應有高可靠性要求的引擎控制用CPU的時鐘部分簡稱為時鐘晶體振蕩器,在極端嚴酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標準.
JLX-PD
金洛鑫產(chǎn)品系列
PRODUCT LINE
石英晶振
QuartzCrystal
- KDS晶振
- 愛普生晶振
- NDK晶振
- 京瓷晶振
- 精工晶振
- 西鐵城晶振
- 大河晶振
- 村田晶振
- 泰藝晶振
- TXC晶振
- 鴻星晶振
- 希華晶振
- 加高晶振
- 百利通亞陶晶振
- 嘉碩晶振
- 津綻晶振
- 瑪居禮晶振
- 富士晶振
- SMI晶振
- Lihom晶振
- SHINSUNG晶振
- NAKA晶振
- AKER晶振
- NKG晶振
- NJR晶振
- Sunny晶振
貼片晶振
SMDcrystal
- CTS晶振
- 微晶晶振
- 瑞康晶振
- 康納溫菲爾德晶振
- 高利奇晶振
- Jauch晶振
- AbraconCrystal晶振
- 維管晶振
- ECScrystal晶振
- 日蝕晶振
- 拉隆晶振
- 格林雷晶振
- SiTimeCrystal晶振
- IDTcrystal晶振
- PletronicsCrystal晶振
- StatekCrystal晶振
- AEK晶振
- AEL晶振
- Cardinal晶振
- Crystek晶振
- Euroquartz晶振
- Fox晶振
- Frequency晶振
- GEYER晶振
- KVG晶振
- ILSI晶振
- Mmdcomp晶振
- MtronPTI晶振
- QANTEK晶振
- QuartzCom晶振
- Quarztechnik晶振
- Suntsu晶振
- Transko晶振
- Wi2Wi晶振
- ITTI晶振
- Oscilent晶振
- ACT晶振
- Rubyquartz晶振
- MTI-milliren晶振
- PDI晶振
- IQD晶振
- Microchip晶振
- Silicon晶振
- Anderson晶振
- Fortiming晶振
- CORE晶振
- NIPPON晶振
- NIC晶振
- QVS晶振
- Bomar晶振
- Bliley晶振
- GED晶振
- FILTRONETICS晶振
- STD晶振
- Q-Tech晶振
- Wenzel晶振
- NEL晶振
- EM晶振
- PETERMANN晶振
- FCD-Tech晶振
- HEC晶振
- FMI晶振
- Macrobizes晶振
- AXTAL晶振
- ARGO晶振
- 瑞薩renesas晶振
- Skyworks晶振