NDK晶振,貼片晶振,NX3225GD晶振,NX3225GD-10.000M-STD-CRA-3晶振
頻率:10.000MHz
尺寸:3.2*2.5*1.0mm
NDK晶振集團將方針轉換至面向量產市場的產品的再強化上,把均衡縮減戰略切換成成長戰略。并且展開在產業設備、車載、傳感器領域,利用高的品質力和技術力用實力強的產品創造出利益的中期銷售計劃。通過贏得客戶的高評價和高信賴來確保持續的成長和安定的收益,來努力達成銷售額500億日元企業的復活的目標。開發小型?高精度的OCXO(恒溫晶振)、高頻振蕩器、超低相位噪聲振蕩器等的產業用高附加價值產品并擴大其銷售。
NDK晶振,貼片晶振,石英晶體振蕩器在“制造、使用、有效利用、再利用”這樣一個產品生命周期中,努力創造豐富的價值,給社會帶來溫馨和安寧,感動和驚喜,同時為減少環境影響,努力做好“防止地球變暖、有效利用資源、對化學物質進行管理”,實現與地球的和諧相處。通過開展節能活動和減少二氧化碳排放防止全球變暖。NDK晶振,貼片晶振,NX3225GD晶振,NX3225GD-10.000M-STD-CRA-3晶振
NDK晶振,貼片晶振,NX3225GD晶振,NX3225GD-10.000M-STD-CRA-3晶振.貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發展的高端電子數碼產品,因為晶振本身小型化需求的市場領域,小型?薄型是對應陶瓷諧振器(偏差大)和普通的石英晶體諧振器(偏差小)的中間領域的一種性價比較出色的產品.產品廣泛用于車載電子,筆記本電腦,無線電話,衛星導航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.
NDK石英晶振高精度晶片的拋光技術:貼片晶振是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術,最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產品性能,使石英水晶振動子的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作。使用先進的牛頓環及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態。NX3225GD-10.000M-STD-CRA-3晶振,10M陶瓷殼封裝晶振,NX3225GD晶振
NDK晶振 |
單位 |
NX3225GD晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
7.980MHz~12.000MHz |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C~+150°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C~+150°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
10μW Max. |
推薦:10μW~200μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標準) |
+25°C 對于超出標準的規格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±150× 10-6/-40°C ~+150°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
負載電容 |
CL |
8pF |
不同負載電容要求,請聯系我們. |
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C~ +150°C, DL = 10μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
自動安裝時的沖擊
自動安裝和真空化引發的沖擊會破壞產品特性并影響這些進口晶體振蕩器。請設置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對產品特性產生影響。條件改變時,請重新檢查安裝條件。同時,在安裝前后,請確保石英晶振未撞擊機器或其他電路板等。
每個封裝類型的注意事項
(1)陶瓷包裝產品與SON產品
在焊接陶瓷晶振產品和SON產品 (MC-146,RTC-****NB,RX-****NB) 之后,彎曲電路板會因機械應力而導致焊接部分剝落或封裝分裂(開裂)。尤其在焊接這些產品之后進行電路板切割時,務必確保在應力較小的位置布局晶體并采用應力更小的切割方法。NDK晶振,貼片晶振,NX3225GD晶振,NX3225GD-10.000M-STD-CRA-3晶振
陶瓷包裝產品
在一個不同擴張系數電路板(環氧玻璃)上焊接陶瓷諧振器產品時,在溫度長時間重復變化時可能導致端子焊接部分發生斷裂,請事先檢查焊接特性。
(2)陶瓷封裝產品
在一個不同擴張系數電路板(環氧玻璃)上焊接壓電陶瓷諧振器產品時,在溫度長時間重復變化時可能導致端子焊接部分發生斷裂,請事先檢查焊接特性。NX3225GD-10.000M-STD-CRA-3晶振,10M陶瓷殼封裝晶振,NX3225GD晶振
1、設計振蕩回路的注意事項
1.驅動能力
驅動能力說明3225無源晶振所需電功率,其計算公式如下:
驅動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。NDK晶振,貼片晶振,NX3225GD晶振,NX3225GD-10.000M-STD-CRA-3晶振
2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加陶瓷兩腳晶振振蕩啟動時間,或不發生振蕩。為避免該情況發生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻。
3.負載電容
如果石英晶體諧振器振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。NX3225GD-10.000M-STD-CRA-3晶振,10M陶瓷殼封裝晶振,NX3225GD晶振
頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數設置參考
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
聯系人:茹紅青
手機:13510569637
電話:0755-27837162
QQ號:657116624
微信公眾號:CITIZENCRYSTAL
搜狐公眾號:晶振石英晶振NDK晶振
郵箱:jinluodz@163.com
地址:深圳市寶安區41區甲岸路19號
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