微晶晶振,32.768K晶振,CC4V-T1A晶振
頻率:30.000KHz~1000.000KHz
尺寸:5.0*1.9*0.9mm
微晶在瑞士、泰國建有生產中心,及遍布世界各地的代表處。我們所有的產品都得到ISO9001和ISO14001的認證,并達到RoHS,REACh等規范的要求。微晶玻璃(MC)的管理、環境與社會責任原則執行(MES)大綱標準,以確保MC設備的工作條件,以及供應鏈合作伙伴的活動支持MC的要求,是安全的,工人是尊重和尊嚴對待,以及制造過程使用MC和它的作伙伴對環境負責。5.0*1.9千赫茲石英晶體,32.768K無源諧振器,CC4V-T1A晶振
而今,微晶晶振已經發展成為一家在微型音叉式石英晶體(32kHz ~ 250MHz)、實時時鐘模塊、晶振和OCXO等多個領域的領導供貨商,通過不斷改進技術,過程、產品、服務、質量、環境保護、安全和安全方面,微晶也將保持其在未來的市場地位。
微晶晶振,32.768K晶振,CC4V-T1A晶振.5.0*1.9mm超小型表面貼片型SMD晶振,最適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領域.比如智能手機,無線通信,衛星導航,平臺基站等較高端的數碼產品,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標準,焊接方面支持表面貼裝.
微晶石英晶振的切割設計:用不同角度對晶振的石英晶棒進行切割,可獲得不同特性的石英晶片,通常我們把晶振的石英晶片對晶棒坐標軸某種方位(角度)的切割稱為石英晶片的切型。不同切型的石英晶片,因其彈性性質,壓電性質,溫度性質不同,其電特性也各異,石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。
微晶晶振 |
單位 |
CC4V-T1A晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
30.000KHZ~1000.000KHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-55°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
1.0μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±20 × 10-6 (標準) |
+25°C 對于超出標準的規格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±100 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
負載電容 |
CL |
6.0PF~12.5PF |
不同負載電容要求,請聯系我們. |
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
機械振動的影響
當晶振產品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如:壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響。這種現象對通信器材通信質量有影響。盡管石英晶體諧振器產品設計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作。5.0*1.9千赫茲石英晶體,32.768K無源諧振器,CC4V-T1A晶振
PCB設計指導
(1) 理想情況下,機械蜂鳴器應安裝在一個獨立于音叉晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當應用于PCB板本身或PCB板體內部時,機械振動程度有所不同。建議遵照內部板體特性。
(2) 在設計時請參考相應的推薦封裝。
(3) 在使用焊料助焊劑時,按JIS標準(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。
(4) 請按JIS標準(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。
存儲事項
(1)在更高或更低溫度或高濕度環境下長時間保存進口貼片晶振產品時,會影響頻率穩定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環境下保存這些晶體產品,并在開封后盡可能進行安裝,以免長期儲藏。 微晶晶振,32.768K晶振,CC4V-T1A晶振
正常溫度和濕度:
溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH(請參閱“測試點JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標準條件”章節內容)。
(2)請仔細處理內外盒與卷帶。外部壓力會導致卷帶受到損壞。

設計振蕩回路的注意事項
1.驅動能力
驅動能力說明微晶貼片晶振振蕩晶體單元所需電功率,其計算公式如下:
驅動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。微晶晶振,32.768K晶振,CC4V-T1A晶振
2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加陶瓷面兩腳晶振振蕩啟動時間,或不發生振蕩。為避免該情況發生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻。
3. 負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致5019mm壓電石英晶體振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。5.0*1.9千赫茲石英晶體,32.768K無源諧振器,CC4V-T1A晶振
頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數設置參考
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