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日本納卡晶振,CU600石英晶體,高性能晶振

頻率：8~50MHZ

尺寸：6.0*3.5mm

貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體振蕩器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因?yàn)榫д癖旧硇⌒突枨蟮氖袌?chǎng)領(lǐng)域,小型,薄型是對(duì)應(yīng)陶瓷振蕩器(偏差大)和普通的石英晶體振蕩器(偏差小)的中間領(lǐng)域的一種性價(jià)比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于筆記本電腦,無(wú)線電話,衛(wèi)星導(dǎo)航SSD,USB,Blu-ray等用途,符合無(wú)鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.

訂購(gòu)熱線：0755-27837162

日本納卡晶振,CU600石英晶體,高性能晶振，納卡晶振公司是使用模擬電路技術(shù)，擅長(zhǎng)定制規(guī)格的水晶設(shè)備制造廠。有強(qiáng)烈要求“低相位噪聲、高頻、高信賴性”的通信設(shè)備、廣播設(shè)備、測(cè)量?jī)x器、交通基礎(chǔ)設(shè)施、醫(yī)療器械、防衛(wèi)設(shè)備。另外，現(xiàn)在已經(jīng)成為問(wèn)題了，對(duì)生產(chǎn)中止，實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期性的產(chǎn)品供應(yīng)，以滿足顧客未來(lái)的企業(yè)為目標(biāo)。
總部：總社.經(jīng)營(yíng)本部東京都千代田區(qū)九階南
日本納卡晶振,CU600石英晶體,高性能晶振，日本進(jìn)口NAKAcrystal納卡晶振公司成立于1979年.日本納卡株式會(huì)社晶振公司是使用模擬電路技術(shù)定制合規(guī)的石英晶體制造廠.專業(yè)生產(chǎn)低相位噪聲,高頻,高質(zhì)量的晶振產(chǎn)品,包括TCXO溫補(bǔ)晶振,有源晶振等,并得到市場(chǎng)的認(rèn)可.
納卡株式會(huì)社來(lái)自日本,最擅長(zhǎng)生產(chǎn)定制各種石英晶振,貼片晶振,OSC晶振,TCXO晶振等各種水晶器件,日本NAKA晶振產(chǎn)品嚴(yán)格按照國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)制作,適合使用在一些電子產(chǎn)品,儀器,設(shè)備等領(lǐng)域.

日本納卡晶振,CU600石英晶體,高性能晶振，貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體振蕩器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因?yàn)?a href="http://www.zrwej.cn/" title="晶振" target="_blank">晶振本身小型化需求的市場(chǎng)領(lǐng)域,小型,薄型是對(duì)應(yīng)陶瓷振蕩器(偏差大)和普通的石英晶體振蕩器(偏差小)的中間領(lǐng)域的一種性價(jià)比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于筆記本電腦,無(wú)線電話,衛(wèi)星導(dǎo)航SSD,USB,Blu-ray等用途,符合無(wú)鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.

日本納卡晶振,CU600石英晶體,高性能晶振，貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù)：貼片晶振是晶片通過(guò)滾筒倒邊，主要是為了去除晶振晶片的邊緣效應(yīng)，在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理，有一項(xiàng)不完善都會(huì)使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過(guò)大，用在電路中Q值過(guò)小，從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定。

項(xiàng)目 Item	規(guī)格 Specification	備考 Note
出力周波數(shù) Frequency range	8～50MHz
発振モード Mode	基本波
保存溫度範(fàn)囲 Strage Temp. range	-55～+125℃
動(dòng)作溫度範(fàn)囲 Operating Temp. range	-10～+60℃、-20～+70℃、-40～+85℃、 -40～+105℃、-40～+125℃
勵(lì)振レベル Drive Leve	300µW Max.
周波數(shù)溫度特性 Freq. Tolerance vs. Temp. range	Table.1
直列抵抗 Equivalent Series Resistance	160Ω Max.(8～12MHz) 50Ω Max.(12～13MHz) 45Ω Max.(13～19MHz) 40Ω Max.(19～20MHz) 35Ω Max.(20～30MHz) 30Ω Max.(30～50MHz)
エージング Frequency Aging	+/-3ppm/年 Max.

抗沖擊
  貼片石英晶振可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。
輻射
  暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致石英晶體性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑/pH值環(huán)境
  請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。日本納卡晶振,CU600石英晶體,高性能晶振.
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致SMD無(wú)源晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
鹵化合物
  請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用貼片晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂。
靜電
過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞石英晶體諧振器，請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路，并進(jìn)行接地操作。

JLX-6

RB-6

wxewm

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FX532B-16.000石英晶振的真空封裝技術(shù)：是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝.1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使晶振組件在真空下電阻減小；3.氣密性高.此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.

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石英晶振真空退火技術(shù)：晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過(guò)程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對(duì)晶體組件進(jìn)行退火,石英晶振通過(guò)合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性.