希華晶體科技股份有限公司藉由環境/安衛管理系統的推動執行,以整合內部資源,奠定經營管理石英晶振的基礎。藉執行環境考量面/安衛危害鑒別作業,環境/安衛管理方案和內部稽核為手段,合理化推動環境/安衛管理,落實環境/安衛系統有效實施。并不斷透過教育訓練灌輸員工環境/安衛觀念及意識,藉由改善公司制程以達到污染預防、工業減廢、安全與衛生、符合法規要求使企業永續發展減少環境/安衛負擔,并滿足客戶需求,獲得客戶的信賴而努力。小體積1210石英晶振,超薄金屬面貼片晶體,SX-1210晶振
希華晶體科技成立于1988年,專精于石英頻率控制元件之研發、設計、生產與銷售。從人工晶棒長成到最終產品,透過最佳團隊組合及先進之生產技術,建立完整的產品線,包含人工水晶、石英晶片、SAW WAFER,以及石英晶體、晶體振蕩器、晶體濾波器、溫度補償型及電壓控制型產品等,以健全的供應煉系統,為客戶提供全方位的服務。 營運據點遍布臺灣、中國大陸、日本、新加坡、美國及歐洲等世界各地,使希華得以提供服務予世界電子大廠。
希華晶振,貼片晶振,SX-1210晶振,進口石英晶振,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統,產品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數碼產品市場領域,因產品小型,薄型優勢,耐環境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領域得到了廣泛的應用,晶振產品本身可發揮優良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
3.1、石英晶振生產工序主要有晶片清洗、被銀、上架電膠、微調、封焊、撿漏、印字、老化、測試,3.2、無源晶振晶片清洗:清除石英晶振晶片表面的污物、油物,以保證被銀電極。被復良好牢固。清洗間有很多化學試劑,酒精、異丙醇、硫酸、硝酸、清洗液同時還有電爐烤箱,在晶振生產過程中應注意人身安全和設備安全。3.3、被銀:用真空鍍膜原理在潔凈的石英晶振晶片上蒸鍍薄銀層,形成引出電極,并使其頻率達到一定范圍 。采用蒸鍍微調: 被銀片頻率應滿足 f 0 +(50 至 1000ppm)的要求,采用離子微調:離子微調被銀片頻率應滿足 f 0 -(50 至 1200ppm)。小體積1210石英晶振,超薄金屬面貼片晶體,SX-1210晶振
希華晶振 |
單位 |
SX-1210晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
24MHz~54MHz |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C~+90°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-20°C~+70°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
10μW Max. |
推薦:10μW~100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±15 × 10-6(標準) |
+25°C對于超出標準的規格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-10°C~+70°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
負載電容 |
CL |
2PF |
不同負載電容要求,請聯系我們. |
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-30°C~ +85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±15× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
所有產品的共同點:1:抗沖擊 抗沖擊是指晶振產品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊。如果產品已受過沖擊請勿使用。因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響。 2:輻射:將貼片晶振暴露于輻射環境會導致產品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射。 3:化學制劑 / pH值環境:請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品。希華晶振,貼片晶振,SX-1210晶振,進口石英晶振
4:粘合劑:請勿使用可能導致小體積晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能。) 5:鹵化合物:請勿在鹵素氣體環境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。6:靜電:過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。小體積1210石英晶振,超薄金屬面貼片晶體,SX-1210晶振
機械振動的影響:當晶振產品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如:壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響。這種現象對通信器材通信質量有影響。盡管SMD晶振產品設計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作。
此外,振蕩頻率與測量點不同。1。測量金屬面4P石英晶振緩沖輸出2。振蕩級輸出測量.三.通過電容器測量振蕩級輸出,圖5示出以上1-3個測量點和所測量的除緩沖器輸出外,振蕩頻率較低。希華晶振,貼片晶振,SX-1210晶振,進口石英晶振
振蕩電路的檢查方法:晶體諧振器頻率測量:必須盡可能地測量安裝在金屬四腳石英晶振電路上的諧振器的振蕩頻率的真實值,使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中,通常使用探頭和頻率計數器。然而,
我們的目標是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。有三種頻率測量模式,如下面的圖所示(圖)。2, 3和4)。最精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實現的。接觸振蕩電路。
探針不影響圖2,因為緩沖器的輸出是通過輸入振蕩電路的輸出來測量的。逆變器進入金屬面貼片晶振下一階段。探針不影響圖3,因為在IC上測量緩沖器輸出(1/1、1/2等)。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況,由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。輸出點之間的電容(3 pF以下XTAL終端IC)和探針。然而,應該注意到,使用這種方法輸出波形較小,測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形,頻率計數器的靈敏度也可以。在這種情況下,使用放大器來測量。
測試條件:(1)電源電壓超過 150µs,直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF,5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量頻率時,探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過1612小體積晶振的放大器時,可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應使用帶有小的內部阻抗的電表。使用微型插槽,以觀察波形。(請勿使用該探頭的長接地線。)