日本大河制造公司都是100%出資子公司的青森河技術有限公司,River Electronics(Ipoh)Sdn . Bhd(馬來西亞),西安大河無源晶振科技有限公司(中國)。銷售網絡的話,東京,大阪營業所,韓國駐在員事務所,銷售子公司都會100%出資公司的臺灣利巴股份有限公司(臺灣),River Electronics(Singapore)Pte .有限公司(新加坡),西安大河晶振科技有限公司(中國)。這些基礎上不僅在亞洲地區,包括北美、歐洲的世界范圍。
本公司小型追求了起因,索尼發明了,世界第一的小型晶體管收音機,散列- 55(1955年),本公司的小型抵抗器被采用了。產品陣容這件事,本公司日產晶振“輕薄短小”的概念,誰都沒做過的創造的DNA,生みつけ了。以來,本公司的主力產品從抵抗器到水晶制品的現在,也始終持續著對小型化的挑戰。其中業界獨有的電子束的氣密封裝工法用橘色的類型(表面安裝型)特化,小型便攜式設備(手機、數碼相機、手機游戲等)和近距離無線通信(藍牙和無線LAN等),汽車電子和醫療機器等最先進的領域集中在穩定的收入,確保了。同時,也作為開發的概念開發的概念,在產品的小型化中經常領導著業界的發展。
大河晶振,貼片晶振,FCX-07L晶振,日本無源晶振,小型表面貼片晶振型,是標準的石英晶體諧振器,適用于寬溫范圍的電子數碼產品,家電電器及MP3,MP4,播放器,單片機等領域.可對應24.000MHz以上的頻率,在電子數碼產品,以及家電相關電器領域里面發揮優良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
白片頻率(腐蝕頻率): 如 14.560000 MHz (是 14.318180 腐蝕片中心頻率)蒸鍍目標頻率: 標稱頻率±1000 PPM。(蒸鍍微調、離子微調)3.3.1、Space:被銀時放置石英晶振晶片的治具。根據貼片晶振晶片的直徑(長度、寬度)、厚度選用合適尺寸的Space,尺寸過大容易造成被銀電極偏位,尺寸偏小容易造成石英晶振晶片破碎和被銀后貼片晶振晶片不宜取出。3.3.2、MASK:被銀電極。一般情況下,石英晶振頻率低選用大尺寸 MASK,貼片晶振頻率高選用小尺寸 MASK,對同一規格產品 MASK 大、C0 大、電阻小。MASK 小、C0 小、電阻大。對有特殊要求(如 C0、C1、C0/C1、TS 等)的產品,在計算和試驗的基礎上選用合適的 MASK。對高頻產品(尤其是高頻 Fund)Mask 大,產品容易產生寄生。石英晶振離子刻蝕調頻技術:比目前一般使用的真空蒸鍍方式調頻,主要在產品參數有以下提升:1.微調后調整頻率能控制在±2ppm,一般只能保持在±5ppm;2.產品的激勵功率相關性參數有大幅提升;3.產品的長期老化率可保證在±2ppm之內.
大河晶振 |
單位 |
FCX-07L晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
24.000MHZ~80.000MHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C~+125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-20°C~+125°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW~100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±7ppm~±50ppm |
+25°C對于超出標準的規格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±50 × 10-6 |
超出標準的規格請聯系我們. |
負載電容 |
CL |
5pF、6pF、7pF |
不同負載電容要求,請聯系我們. |
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
一般來說,微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下:鎘和CG是外部負載電容,其中已建成的芯片組。 (請參閱芯片組的規格)Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻。它的內置芯片一般設置。Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?。這個阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路。一個穩定的振蕩電路需要的負電阻,其值應是石英SMD晶振阻力的至少五倍。它可寫為|-R|>5的Rr。例如,為了獲得穩定的振蕩電路中,IC的負電阻的值必須小于?200Ω時的晶振電阻值是40Ω。負阻“的標準來評估一個振蕩電路的質量。在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會產生振蕩的“Q”值是低的。因此,這是非常重要的衡量負電阻(-R)以下說明:大河晶振,貼片晶振,FCX-07L晶振,日本無源晶振

負載電容:如果1.6x1.2mm晶振振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示電路的雜散電容。大河晶振,貼片晶振,FCX-07L晶振,日本無源晶振
振蕩開始代替。在基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個范圍內。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流,調節1612貼片晶振負電阻和勵磁。電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動。C1、C2電容器調節負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有給定負載能力。
適當的控制電阻值(RD)取決于石英晶體諧振器的類型,頻帶和設備的價值。電容器(C1,C2)。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的(包括負電阻和驅動級)。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個范圍內。?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序,在3 pF的范圍內- 33 pF左右,僅供參考。
此外,24M晶振振蕩頻率與測量點不同。1。測量緩沖輸出2。振蕩級輸出測量三.通過電容器測量振蕩級輸出圖5示出以上1-3個測量點和所測量的除緩沖器輸出外,振蕩頻率較低。