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EPSONdhl

愛普生現(xiàn)已實現(xiàn)成為石英部件的NO1,40多年前為支持SEIKO(精工)手表而成立的Epson石英部件部門強在PC,NB,手機及消費電子等運用上,市占率高達七八成,其中又以32.768k晶振稱霸業(yè)界.愛普生以提供原子鐘的精準振蕩器知名業(yè)界,因此除了KHZ,MHZ的研究發(fā)展,另外還發(fā)明GHZ技術,使工藝技術達到人無完人,史前無例,實現(xiàn)以基波方式產(chǎn)生2.5GHz為止高頻的表面聲波(SAW)元器件.愛普生拓優(yōu)科夢把半導體(IC)稱之為"產(chǎn)業(yè)之米".

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愛普生晶振,無源晶振,FA-118T晶振,1.6*1.2*0.35mm超小型,超薄型無源MHZ赫茲貼片諧振器產(chǎn)品,投入市場之初曾引起業(yè)界的轟動,如此小型化的晶體產(chǎn)品為智能數(shù)碼領域的生產(chǎn)企業(yè)帶來新的商機,FA-118T晶振標準的精確度是±10ppm,負載電容是6pF,這樣的參數(shù)指標是眾多用戶喜愛的高穩(wěn)定參數(shù)值,老化率甚至可以達到±1ppm,壽命非常長.

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愛普生晶振	單位	FA-118T晶振	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	24.000MHZ~54.0MHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C～+125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C～+85°C	標準溫度
激勵功率	DL	100μW Max.	推薦:1μW～100μW
頻率公差	f_— l	±10 × 10-6(標準), (±10 × 10-6～±30 × 10-6可用)	+25°C對于超出標準的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關的信息,http://www.zrwej.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10-6/-20°C～+70°C	超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負載電容	CL	6pF	不同負載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
頻率老化	f_age	±1 × 10-6/ year Max.	+25°C,第一年

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FA-118T 1612

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抗沖擊
貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞。例如FA-118T貼片晶振從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會導致石英晶體性能受到損害，因此應避免照射。愛普生晶振,無源晶振,FA-118T晶振
化學制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解進口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請勿使用可能導致愛普生FA-118T晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無源晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時，請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會損壞FA-118T晶體，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進行接地操作。

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輸出波形與測試電路
1.時序表

scbx_1

2.測試條件
(1)電源電壓
超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。
電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。
(2)其他
輸入電容低于 15 pF
5倍頻率范圍或更多測量頻率。
鉛探頭應盡可能短。
測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經(jīng)過振蕩器的放大器時，可同時進行測量。
(3)其他
CL包含探頭電容。
應使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。
使用微型插槽，以觀察波形。
（請勿使用該探頭的長接地線。）愛普生晶振,無源晶振,FA-118T晶振