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首頁 加高晶振

加高晶振,貼片晶振,HSX531S晶振,進口晶振

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產品簡介

智能手機晶振,產品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領域.比如智能手機,無線通信,衛星導航,平臺基站等較高端的數碼產品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準時鐘源用頻率,貼片晶振具有優良的電氣特性,耐環境性能適用于移動通信領域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

產品詳情

JG-1

加高電子(H.ELE。)是頻率元件的專業制造商,目前所提供之石英晶體(水晶),晶體振蕩器(振蕩器)之生產及銷售規模居全臺領先地位。成立于1976年年,借由與日本DAISHINKU(KDS)株式會社的合作,引進日本精密制程,應用范圍涵蓋日常消費產品(如:網路與通訊產品,智慧家庭和個人電腦),高階工業產品和車用電子。我們在臺灣,大陸及泰國皆擁有生產工廠,并且提供多元化的網路服務,配置多國語言能力之銷售團隊.
產品技術方面,除了不斷提升既有產品規格的精密度及穩定性之外,我們更專注開發高溫度耐受性的產品,特殊應用領域之規格,并朝小型化開發設計,以滿足終端產品的發展趨勢。我們確實遵循RoHS(歐盟電子電機產品有害物質禁止用指令),SONY技術標準文件(SS-00259)及其他法規與客戶要求,推動環境教育活動,持續強化全員及供應商的環保觀念及認知重視無有害物質的產品及生產過程,致力推動設計綠色產品。臺灣加高晶振集團所生產的壓電石英晶體、有源晶體,溫補晶體振蕩器(TCXO)、恒溫晶體振蕩器(OCXO)完全符合ISO14001環境管理體系國際標準的要求,體現了一個適合、三個承諾和一個框架.
JLX-1

JG-2

加高晶振,貼片晶振,HSX321S晶振,無源石英晶振,3225mm體積非常小的SMDcrystal器件,是民用小型無線數碼產品的最佳選擇,小體積的晶振被廣泛應用到,手機藍牙,GPS定位系統,無線通訊集,高精度和高頻率的穩定性能,非常好的減少電磁干擾的影響,是民用無線數碼產品最好的選擇,符合RoHS/無鉛.
白片頻率(腐蝕頻率): 如 14.560000 MHz (是 14.318180 腐蝕片中心頻率)蒸鍍目標頻率: 標稱頻率±1000 PPM。(蒸鍍微調、離子微調)1、Space:被銀時放置石英晶振晶片的治具。根據貼片晶振晶片的直徑(長度、寬度)、厚度選用合適尺寸的Space,尺寸過大容易造成被銀電極偏位,尺寸偏小容易造成石英晶振晶片破碎和被銀后貼片晶振晶片不宜取出。2、MASK:被銀電極。一般情況下,石英晶體諧振器頻率低選用大尺寸 MASK,貼片晶振頻率高選用小尺寸 MASK,對同一規格產品 MASK 大、C0 大、電阻小。MASK 小、C0 小、電阻大。對有特殊要求(如 C0、C1、C0/C1、TS 等)的產品,在計算和試驗的基礎上選用合適的 MASK。對高頻產品(尤其是高頻 Fund)Mask 大,產品容易產生寄生。
JLX-2

RB-2

加高晶振

單位

HSX321S晶振

石英晶振基本條件

標準頻率

f_nom

10MHZ~54MHZ

標準頻率

儲存溫度

T_stg

-40°C~+125°C

裸存

工作溫度

T_use

-10°C~+60°C

標準溫度

激勵功率

DL

10~100μW Max.

推薦:1μW100μW

頻率公差

f_— l

±50× 10-6(標準),
(±7× 10-6~
±50× 10-6可用)

+25°C對于超出標準的規格說明,
請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.zrwej.cn/

頻率溫度特征

f_tem

±30× 10-6/±50× 10-6/-40°C~+105°C

超出標準的規格請聯系我們.

負載電容

CL

8pF、10pF、12PF

不同負載電容要求,請聯系我們.

串聯電阻(ESR)

R1

如下表所示

-10°C ~+60°C,DL = 100μW

頻率老化

f_age

±5× 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

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RB-3

HSX321S 3225JLX-4

RB-4

如果由頻率計數器測量的頻率比目標頻率高,要增加石英貼片晶振的電容(CL,或Cd以及C 8)的值,以降低頻率到目標頻率,反之亦然。請檢查波形幅度是否改善或沒有經過我們調整頻率。如果它的改善,這表示該電路的原始設計不是調諧到最佳共振點為晶體的情況。該晶振應正常后,諧振點的調整。如果波形幅度甚至沒有提高的頻率非常接近目標頻率.加高晶振,貼片晶振,HSX321S晶振,無源石英晶振
我們可以通過以下三種方法改進:方法1:降低產品線路外部電容(Cd和CG)的值,并通過晶體具有較低負載電容(CL)方法2:采用小電阻(RR)的晶振。方法3:使用鎘和CG的不等價的設計。
我們可以增加鎘(XOUT)的負載電容和降低CG(辛)的負載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。我們建議您使用上面的方法來節省SMD晶振成本,保證安全。請用頻率計數器來測量所述晶體,以確保經調整頻率仍然滿足原說明書后的波形的振幅進行了改進。如果頻率不符合規格,請采用晶體合適的CL值為根據您的目標頻率。請采用晶振具有較低的CL如果頻率比目標頻率,反之亦然高得多系統不能正常工作,由于輸出頻率會偏差很大。JLX-5

RB-5

接觸振蕩電路。探針不影響圖2,因為緩沖器的輸出是通過輸入SMD型石英晶體諧振器電路的輸出來測量的。逆變器進入下一階段。探針不影響圖3,因為在IC上測量緩沖器輸出(1/1、1/2等)。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況,由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。輸出點之間的電容(3 pF以下XTAL終端IC)和探針。然而,應該注意到,使用這種方法輸出波形較小,測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形,頻率計數器的靈敏度也可以。在這種情況下,使用放大器來測量。加高晶振,貼片晶振,HSX321S晶振,無源石英晶振

cptj

適當的控制電阻值(RD)取決于3225貼片晶振的類型,頻帶和設備的價值。電容器(C1,C2)。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的(包括負電阻和驅動級)。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個范圍內。?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序,在3 pF的范圍內- 33 pF左右,僅供參考。

cptj11

驅動能力:驅動能力說明3225汽車級晶振振蕩晶體單元所需電功率,其計算公式如下:驅動能力 (P) = i2?Re其中i表示經過晶體單元的電流,Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。

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