Abracon的新發布的IoT優化石英晶體系列專門設計用于解決越來越多的低功耗趨勢,從而導致設計人員在整個行業中面臨的跨導值下降。這些IoT優化的晶體與業界最低的gm_critical設計兼容。對于50MHz操作,ABM8W / ABM10W / ABM11W / ABM12W系列保證在gm_critical低至3.55mA / V的條件下工作。 ABS06W / ABS07W系列保證工作在1.1μA/ V以上的gm_critical。鑒于許多常見的MCU,例如ST Micro系列STM32M4F / STM32F3 / STM32F4 / STM32L4,其在32.768kHz操作下在1μA/ V附近顯示gm_critical,使用非常低的鍍層晶體的關鍵性是巨大的。 Abracon的新型IoT優化晶體系列目前在世界上提供了最低的負載電容選項。
Abracon晶振公司已通過iso9001 - 2008認證,并在德克薩斯州、加利福尼亞州、中國、臺灣、新加坡、蘇格蘭、以色列、匈牙利、英國、德國等地的德州和銷售辦事處獲得設計和應用工程資源。我們廣泛的產品線服務于商業、工業、消費者和選擇的軍事應用,并通過Abracon的全球分銷網絡提供。作為一個解決方案供應商,Abracon的廣泛的產品線地址信號路徑,數據路徑和電源需求在最苛刻的應用。
Abracon晶振,貼片晶振,ABM3X晶振,無源晶振,智能手機晶振,產品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領域.比如智能手機,無線通信,衛星導航,平臺基站等較高端的數碼產品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準時鐘源用頻率,貼片晶振具有優良的電氣特性,耐環境性能適用于移動通信領域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
石英晶振的切割設計:用不同角度對晶振的石英晶棒進行切割,可獲得不同特性的石英晶片,通常我們把晶振的石英晶片對晶棒坐標軸某種方位(角度)的切割稱為石英晶片的切型。不同切型的石英晶片,因其彈性性質,壓電性質,溫度性質不同,其電特性也各異,石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。其它切型還有 CT、DT、GT、NT 等。
Abracon晶振 |
單位 |
ABM3X晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
24~32MHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C~+125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-50°C~+155°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
50~100μW Max. |
推薦:50~100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±10 × 10-6(標準) |
+25°C對于超出標準的規格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±25× 10-6/-20°C~+70°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
負載電容 |
CL |
10pF |
不同負載要求,請聯系我們. |
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
晶振產品使用每種產品時,請在石英進口晶振規格說明或產品目錄規定使用條件下使用。因很多種晶振產品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項也有所不同,比如焊接模式,運輸模式,保存模式等等,都會有所差別。
機械振動的影響:當晶振產品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如:壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響。這種現象對通信器材通信質量有影響。盡管四腳晶振產品設計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作。
晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在5032貼片晶振基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個范圍內。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流,調節負電阻和勵磁。電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動。C1、C2電容器調節負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有給定負載能力。Abracon晶振,貼片晶振,ABM3X晶振,無源晶振
適當的控制電阻值(RD)取決于諧振器的類型,頻帶和設備的價值。電容器(C1,C2)。精確值是通過陶瓷貼片晶體測量振蕩電路的特性來確定的(包括負電阻和驅動級)。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個范圍內。?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序,在3 pF的范圍內- 33 pF左右,僅供參考。
振蕩補償:除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加耐高溫5032晶振振蕩啟動時間,或不發生振蕩。為避免該情況發生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻。
測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs,直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量頻率時,探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過5032四腳貼片晶振振蕩器的放大器時,可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應使用帶有小的內部阻抗的電表。使用微型插槽,以觀察波形。(請勿使用該探頭的長接地線).