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首頁 鴻星晶振

鴻星晶振,5032晶振,E5SB晶振

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產品簡介

5032mm體積非常小的SMDcrystal器件,是民用小型無線數碼產品的最佳選擇,小體積的晶振被廣泛應用到,手機藍牙,GPS定位系統,無線通訊集,高精度和高頻率的穩定性能,非常好的減少電磁干擾的影響,是民用無線數碼產品最好的選擇,符合RoHS/無鉛.

產品詳情

HX-2

鴻星的核心精神:誠信負責、團隊合作、專業創新、積極成長。HOSONIC以先進技術、優異質量、完善服務,成為晶體產業最具競爭優勢的品牌。Hosonic現在是一個領先的專業晶體諧振器、晶體振蕩器制造商在世界上,致力于直插和貼片式石英振蕩器的研發、生產和銷售。公司致力于提供最好的質量、服務和價值的客戶應對不斷變化的技術和環境的挑戰。Hosonic專注于自己的核心技術和鼓勵員工的創造力,創新和團隊合作。
鴻星格林雷晶振集團廣泛用于通信行業的需求,包括為電信、無線和SATCOM以及WiMAX等新興技術而設計的產品,包括用于電信的Stratum III和IIIE.此外,我們還為全球導航衛星系統(如GPS)提供高精度有源晶振,石英晶體振蕩器,溫補晶振等.所生產的高精密晶體諧振器、普通晶體振蕩器(SPXO)、低噪音壓控晶體振蕩器(VCXO)、低振動溫補晶體振蕩器(TCXO)、高穩定恒溫晶體振蕩器(OCXO)廣泛用于一些檢測儀器,高端設備儀器,高精密設備等產品中.

JLX-1

HX-1

鴻星晶振,5032晶振,E5SB晶振.5.0*3.2mm小型四腳SMD晶體焊接可采用自動貼片系統,產品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數碼產品市場領域,因產品小型,薄型優勢,耐環境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領域得到了廣泛的應用,晶振產品本身可發揮優良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
鴻星石英晶振離子刻蝕調頻技術:比目前一般使用的真空蒸鍍方式調頻,主要在產品參數有以下提升:1.微調后調整頻率能控制在±2ppm,一般只能保持在±5ppm;2.產品的激勵功率相關性參數有大幅提升;3.產品的長期老化率可保證在±2ppm之內.

JLX-2

RB-2

鴻星晶振

單位

E5SB晶振

石英晶振基本條件

標準頻率

f_nom

8.000MHZ~80.000MHZ

標準頻率

儲存溫度

T_stg

-55°C~+125°C

裸存

工作溫度

T_use

-30°C~+85°C

標準溫度

激勵功率

DL

100μW Max.

推薦:1μW100μW

頻率公差

f_— l

±10 × 10-6(標準),
(±10 × 10-6~
±50 × 10-6可用)

+25°C對于超出標準的規格說明,
請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.zrwej.cn/

頻率溫度特征

f_tem

±30 × 10-6/-30°C~+85°C

超出標準的規格請聯系我們.

負載電容

CL

10PF

不同負載電容要求,請聯系我們.

串聯電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C — +85°C,DL = 100μW

頻率老化

f_age

±2× 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

JLX-3

RB-3

E5SB(Former HCX-5SB) 5032

JLX-4

RB-4

抗沖擊
5032貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到沖擊。如果產品已受過沖擊請勿使用。
輻射
暴露于輻射環境會導致石英晶體性能受到損害,因此應避免照射。鴻星晶振,5032晶振,E5SB晶振
化學制劑 / pH值環境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解SMD晶體或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品。
粘合劑
請勿使用可能導致SMD晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能。)
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環境下使用無源晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會損壞無源晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。

JLX-5

RB-5

設計振蕩回路的注意事項
1.驅動能力
驅動能力說明5032四腳晶振單元所需電功率,其計算公式如下:
驅動能力 (P) = i2?Re
其中i表示經過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。

sjzrhl_1

2.振蕩補償
除非在小體積無源貼片晶體振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發生振蕩。為避免該情況發生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻。

sjzrhl_2

3.負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致鴻星壓電晶體振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。鴻星晶振,5032晶振,E5SB晶振

sjzrhl_3

頻率和負載電容特征圖器

sjzrhl_4

振蕩回路參數設置參考

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