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首頁 西鐵城晶振

西鐵城晶振,音叉晶體諧振器,CM250S晶振

西鐵城晶振,音叉晶體諧振器,CM250S晶振西鐵城晶振,音叉晶體諧振器,CM250S晶振

產品簡介

32.768K貼片晶振可以承受回流焊接的高溫,波峰焊接,回流焊接等,貼片表晶主要特點是該產品排帶包裝,焊接模式主要使用SMT焊接,給現代SMT工藝帶來高速的工作效率,32.768K系列產品本身具有體積小,厚度薄,重量輕等特點.

產品詳情

CITIZEN

西鐵城在音叉水晶表晶振動子(石英晶振)這一領域也是遙遙領先的,與日本元器件品牌愛普生晶振,日本精工晶振seiko,日本大真空KDS晶振,日本村田陶瓷晶振murata,并稱世界日產五大品牌。對于西鐵城晶振動子,其要求相比其他各大品牌,工藝也是非常之嚴格,工藝上除清洗、被銀、點膠、微調、中測、封焊、檢漏、老化、測試、打標、編帶、包裝等步驟外,選用的設備儀器其優點有先進性、功能性、適應性和經濟性,西鐵城推出3款適合時鐘上用的音叉表晶,CFS-308晶振,CFS-206晶振,CFS-145晶振。

JLX-1

RB-1

此款SMD晶體并且可以承受回流焊接的高溫,波峰焊接,回流焊接等,貼片表晶主要特點是該產品排帶包裝,焊接模式主要使用SMT焊接,給現代SMT工藝帶來高速的工作效率,32.768K系列產品本身具有體積小,厚度薄,重量輕等特點,此音叉型石英晶體諧振器,晶振產品本身具備優良的耐熱性,耐環境特性,在辦公自動化,家電領域,移動通信領域可發揮優良的電氣特性,符合無鉛標準,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產品在封裝時能發揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.

JLX-2

RB-2

西鐵城晶振

單位

晶振

石英晶振基本條件

標準頻率

f_nom

32.768KHZ

標準頻率

儲存溫度

T_stg

-40°C +125°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C +85°C

標準溫度

激勵功率

DL

200μW Max.

推薦:1μW 100μW

頻率公差

f_— l

±50 × 10-6(標準),
(±15 × 10-6
±50 × 10-6可用)

+25°C 對于超出標準的規格說明,
請聯系我們以便獲取相關的信息, http://www.zrwej.cn/

頻率溫度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C +70°C

超出標準的規格請聯系我們.

負載電容

CL

7pF

不同負載要求,請聯系我們.

串聯電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C — +85°C,DL = 100μW

頻率老化

f_age

±5 × 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

JLX-3

RB-3

CM200S_CM250SJLX-4

RB-4

自動安裝時的沖擊:

石英晶振自動安裝和真空化引發的沖擊會破壞產品特性并影響這些產品.請設置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對晶振特性產生影響.條件改變時,請重新檢查安裝條件.同時,在安裝前后,請確保石英晶振產品未撞擊機器或其他電路板等.

每個封裝類型的注意事項

陶瓷包裝晶振與SON產品
在焊接陶瓷封裝晶振和SON產品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會因機械應力而導致焊接部分剝落或封裝分裂(開裂).尤其在焊接這些產品之后進行電路板切割時,務必確保在應力較小的位置布局晶體并采用應力更小的切割方法.
陶瓷包裝石英晶振
在一個不同擴張系數電路板(環氧玻璃)上焊接陶瓷封裝石英晶振時,在溫度長時間重復變化時可能導致端子焊接部分發生斷裂,請事先檢查焊接特性.

2)陶瓷封裝貼片晶振
在一個不同擴張系數電路板(環氧玻璃)上焊接陶瓷封裝貼片晶振時,在溫度長時間重復變化時可能導致端子焊接部分發生斷裂,請事先檢查焊接特性.

3)柱面式產品
產品的玻璃部分直接彎曲引腳或用力拉伸引腳會導致在引腳根部發生密封玻璃分裂(開裂),也可能導致氣密性和產品特性受到破壞.當石英晶振的引腳需彎曲成下圖所示形狀時,應在這種場景下留出0.5mm的引腳并將其托住,以免發生分裂.當該引腳需修復時,請勿拉伸,托住彎曲部分進行修正.在該密封部分上施加一定壓力,會導致氣密性受到損壞.所以在此處請不要施加壓力.另外,為避負機器共振造成引腳疲勞切斷,建議用粘著劑將產品固在定電路板上.

JLX-5

RB-5

1、振蕩電路

晶體諧振器是無源元件,因此受到電源電壓、環境溫度、電路的影響。

配置、電路常數和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和

異常運行。因此,在振蕩電路的設計中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。

晶體諧振器的振動安全穩定。只有在做出了這個決定之后,后續的項目,例如

討論了頻率精度、頻率變化、調制度、振蕩起始時間和振蕩波形。

2。角色的分量與參考值

在振蕩電路的設計中,必須認識到個體的作用。

組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來描述角色。

(圖1)使用一個通用的C-MOS IC74hcuo4ap東芝)。

當反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時,如圖所示

1,即使在振蕩功率作用下,諧振器也不會啟動振蕩。

電路。除非有適當值的電阻器連接,否則振蕩不會啟動。

cptj1

晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。

振蕩開始代替。在基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1?。在

泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個范圍內。

K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個電阻10米或更?

cptj11

限制流入諧振器的電流,調節負電阻和勵磁。

電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動。

C1C2電容器調節負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有

給定負載能力。

適當的控制電阻值(RD)取決于諧振器的類型,頻帶和設備的價值。

電容器(C1C2)。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的(包括

負電阻和驅動級)。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個范圍內。

?K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?K?范圍。

安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和

振蕩的順序,在3 pF的范圍內- 33 pF左右,僅供參考。

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