微晶已經發展成為一家在微型音叉式石英晶體(32kHz ~ 250MHz)、實時時鐘模塊、晶振和OCXO等多個領域的領導供貨商,為世界一流的終端產品制造商提供從設計到量產的全方位支持,服務范圍涵蓋手機、計算機、汽車電子、手表、工業控制、植入式醫療及其他高可靠性產品。我們所有的產品都得到ISO9001和ISO14001的認證,并達到RoHS,REACh等規范的要求。
就原則而言,以下內容被認為是MC供應的一部分鏈,即電子制造服務(EMS)公司和原始設計制造商(ODM)包括承包勞動,設計,市場,生產和/或提供用于生產MC電子產品的貨物和服務。此外,參與者應持有其實踐對最初的MES審計和隨后的MES監督審核開放。要使這些原則獲得成功,與會者應視為原則。全面供應鏈計劃。至少,參加者應鼓勵他們的下一層。
微晶晶振,32.768K,CC7V-T1A晶振,小體積SMD時鐘晶體諧振器,是貼片音叉晶體,千赫頻率元件,應用于時鐘模塊,智能手機,全球定位系統,因產品本身體積小,SMD編帶型,可應用于高性能自動貼片焊接,被廣泛應用到各種小巧的便攜式消費電子數碼時間產品,環保性能符合ROHS/無鉛標準.
厚度單位: ?全自動石英晶振晶片清洗技術:采用高壓噴淋清洗,兆聲振動的原理,一個全自動、清洗過程由PLC控制,由傳輸裝置、噴淋清洗段、噴淋漂洗段、風力吹水段等, 操作自動化程度高,除上下工件需要人工外,其余全部由設備自動完成。根據需要,對速度,溫度,時間等參數進行調整,使之最大限度的滿足工藝需要。能最大限度除去晶片污染物,并防止人工污染。
微晶晶振 |
單位 |
CC7V-T1A晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C~+85°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
1.0μW Max. |
推薦:1μW~100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±20 × 10-6(標準) |
+25°C對于超出標準的規格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±50 × 10-6/-20°C~+70°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
負載電容 |
CL |
6.0PF~12.5PF |
不同負載電容要求,請聯系我們. |
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
超聲波清洗
(1)使用AT-切割晶體和表面聲波(SAW)諧振器/聲表面濾波器的產品,可以通過超聲波進行清洗。但是,在某些條件下, 晶體特性可能會受到影響,而且內部線路可能受到損壞。確保已事先檢查系統的適用性。微晶晶振,32.768K,CC7V-T1A晶振
(2)使用時鐘晶振和陀螺儀傳感器的產品無法確保能夠通過超聲波方法進行清洗,因為晶體可能受到破壞。
(3)請勿清洗開啟式產品
(4)對于可清洗產品,應避免使用可能對石英水晶諧振器產生負面影響的清洗劑或溶劑等。
(5)焊料助焊劑的殘留會吸收水分并凝固。這會引起諸如位移等其它現象。這將會負面影響晶振的可靠性和質量。請清理殘余的助焊劑并烘干PCB。
操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。
使用環境(溫度和濕度)
請在規定的溫度范圍內使用耐高溫晶振。這個溫度涉及本體的和季節變化的溫度。在高濕環境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產生。
1、振蕩電路
3215晶振是無源元件,因此受到電源電壓、環境溫度、電路的影響。
配置、電路常數和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和
異常運行。因此,在振蕩電路的設計中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。
晶體諧振器的振動安全穩定。只有在做出了這個決定之后,后續的項目,例如
討論了頻率精度、頻率變化、調制度、振蕩起始時間和振蕩波形。微晶晶振,32.768K,CC7V-T1A晶振
2。角色的分量與參考值
在振蕩電路的設計中,必須認識到個體的作用。
組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來描述角色。
(圖1)使用一個通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。
當反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時,如圖所示
表1,即使在振蕩功率作用下,諧振器也不會啟動振蕩。
電路。除非有適當值的電阻器連接,否則振蕩不會啟動。
晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。
振蕩開始代替。在基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在
泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個范圍內。
K?-?幾十K。在3215貼片晶振的案例(kHz頻段),需要連接一個電阻10米或更?。
限制流入諧振器的電流,調節負電阻和勵磁。
電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動。
C1、C2電容器調節負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有
給定負載能力。
適當的控制電阻值(RD)取決于二腳SMD晶體的類型,頻帶和設備的價值。
電容器(C1,C2)。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的(包括
負電阻和驅動級)。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個范圍內。
?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。
安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和
振蕩的順序,在3 pF的范圍內- 33 pF左右,僅供參考。