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首頁(yè) 愛(ài)普生晶振

愛(ài)普生晶振,貼片晶振,FC-135晶振,FC-135 32.7680KA-AC

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

智能手機(jī)晶振,"FC-135 32.7680KA-AC"產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無(wú)線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類(lèi)移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性.

產(chǎn)品詳情

EPSONdhl

在2010年全球晶振廠家排名中,占據(jù)首位.愛(ài)普生僅此一項(xiàng)水晶振動(dòng)子行業(yè)就能足矣讓電子世界的人都敬佩不已.愛(ài)普生晶振以32.768KHZ晶振稱(chēng)霸晶振行業(yè),主要消費(fèi)在手機(jī),PCB,等電子產(chǎn)品.同時(shí)愛(ài)普生以提供原子鐘的精準(zhǔn)振蕩器知名業(yè)界.僅此在音叉振子和振蕩器還遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到愛(ài)普生本身的要求.他們要求的是在元器件占領(lǐng)NO1.

jlx-1

愛(ài)普生晶振,進(jìn)口晶振,FC-135晶振,

jlx-2

愛(ài)普生晶振

符號(hào)

FC-135晶振

愛(ài)普生晶振基本信息對(duì)照表

Crystal標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

32.768kHz


儲(chǔ)存溫度

T_stg

-55°C — +125°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C — +85°C

KDS晶振特定的溫度

激勵(lì)功率

DL

0.5μW (1.0μW Max.)

如你有最大激勵(lì)功率為1.0μW需求,請(qǐng)聯(lián)系我們金洛電子

精度

f_— l

±20ppm

如有需要更高的精度可以特定.

拐點(diǎn)溫度

Ti

+25°C ±5°C


負(fù)載電容

CL

9pF, 12.5pF

可按客戶(hù)需求指定

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

70kΩ Max.

70kΩ — 45kΩ

頻率老化

f_age

±3 ×10-6/ year Max.

+25°C,第一年

jlx-3

FC-135cct

jlx-4

操作
請(qǐng)勿用鑷子或任何堅(jiān)硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請(qǐng)?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用產(chǎn)品。這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會(huì)由于凝露引起故障。請(qǐng)避免凝露的產(chǎn)生。
激勵(lì)功率
在晶體單元上施加過(guò)多驅(qū)動(dòng)力,會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品特性受到損害或破壞。電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率 (請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容)。
負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加(請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容)。
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過(guò)強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容(請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容)。
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設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)
1.驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說(shuō)明振蕩晶體單元所需電功率,其計(jì)算公式如下:
驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過(guò)晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。

sjzrhl_1

2.振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。

sjzrhl_2

3.負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。

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頻率和負(fù)載電容特征圖器

sjzrhl_4

振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考

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