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ILSI晶振,石英晶振,38晶振,插件晶振

頻率：30~192KHZ

尺寸：8*3mm

引腳焊接型石英晶體元件.工廠倉庫長時間大量庫存常用頻點,高精度的頻率和晶振本身更低的等效串聯電阻,常用負載電容.49/U石英晶振,因插件型晶體成本更低和更高的批量生產能力,主要應用于電視,機頂盒,LCDM和游戲機家用常規電器數碼產品等的最佳選擇.符合RoHS/無鉛.

訂購熱線：0755-27837162

ILSI America成立于1987年，總部位于加州科斯塔梅薩。當時的商業模式很簡單，成為石英晶體和時鐘振蕩器的供應商，以支持北美頻率控制市場,在隨后的29年中，隨著全球頻率控制產品市場需求呈指數級增長和全球化，ILSI通過有機增長和收購應對不斷變化的市場和客戶群。
1995年，ILSI晶振公司北京中國辦事處開業。1998年，ILSI美國公司搬遷到它現在的位置，這是一個位于內華達州里諾的10,000平方英尺的世界總部。1999年，ILSI香港中海物流中心開業。2007年ILSI韓國辦事處的開業完成了我們在美國和亞洲提供真正實體店的目標，這些實體由直接員工提供，以支持我們在北美，墨西哥，亞洲和歐洲快速增長的客戶群。時鐘進口圓柱晶體,插件3*8無源晶振,38晶振

ILSI晶振,石英晶振,38晶振,插件晶振,插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領域中也能使產品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時鐘信號發生源部分,好比時鐘單片機上的石英晶振,在極端嚴酷的環境條件下,晶振也能正常工作,具有穩定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環性和耐振性等的高可靠性能,由于在49/U形晶體諧振器的底部裝了樹脂底座,就可作為產品電氣特性和高可靠性無受損的表面貼片型晶體諧振器使用,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

壓電石英晶體在選用晶片時應注意溫度范圍、晶振溫度范圍內的頻差要求，貼片晶振溫度范圍寬時(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應略高。對于晶振的條片，長邊為 X 軸，短邊為 Z 軸，面為 Y 軸。對于圓片晶振，X、Z 軸較難區分，所以石英晶振對精度要求高的產品（如部分定單的 UM-1），會在 X 軸方向進行拉弦（切掉一小部分），以利于晶振的晶片有方向的裝架點膠，點膠點點在 Z 軸上。保證晶振產品的溫度特性。時鐘進口圓柱晶體,插件3*8無源晶振,38晶振

ILSI晶振	單位	38晶振	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	30~192MHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C~+85°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C~+85°C	標準溫度
激勵功率	DL	1μW Max.	推薦:1μW
頻率公差	f_— l	±20× 10-6	+25°C 對于超出標準的規格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.zrwej.cn/
頻率溫度特征	f_tem	-0.034~100× 10-6/-30°C~+85°C	超出標準的規格請聯系我們.
負載電容	CL	12.5PF	不同負載電容要求,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C~+85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5× 10-6/year Max.	+25°C,第一年

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所有產品的共同點:1：抗沖擊:抗沖擊是指貼片進口晶振產品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊。如果產品已受過沖擊請勿使用。因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響。 2：輻射:將貼片晶振暴露于輻射環境會導致產品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射。 3：化學制劑 / pH值環境:請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品。 ILSI晶振,石英晶振,38晶振,插件晶振

4：粘合劑:請勿使用可能導致無源石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能。） 5：鹵化合物:請勿在鹵素氣體環境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。6：靜電:過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。

晶振產品使用每種產品時,請在進口石英晶振規格說明或產品目錄規定使用條件下使用。因很多種晶振產品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項也有所不同,比如焊接模式,運輸模式,保存模式等等,都會有所差別。時鐘進口圓柱晶體,插件3*8無源晶振,38晶振

測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量美國圓柱DIP進口晶振頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過振蕩器的放大器時，可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應使用帶有小的內部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.ILSI晶振,石英晶振,38晶振,插件晶振

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1.振蕩電路:晶體諧振器是無源元件，因此受到圓柱插件晶振電源電壓、環境溫度、電路的影響。配置、電路常數和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和異常運行。因此，在振蕩電路的設計中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動安全穩定。只有在做出了這個決定之后，后續的項目，例如討論了頻率精度、頻率變化、調制度、振蕩起始時間和振蕩波形。

2.角色的分量與參考值:在振蕩電路的設計中，必須認識到3*8插件晶振個體的作用。組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來描述角色。（圖1）使用一個通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。當反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時，如圖所示表1，即使在振蕩功率作用下，諧振器也不會啟動振蕩。電路。除非有適當值的電阻器連接，否則振蕩不會啟動.

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