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透過圖文發現貼片晶振激光減薄工藝及刻蝕圖形的優缺點
現如今激光刻蝕頻率微調是海內外各大晶振廠家經常用在貼片晶振生產過程的新型加工技術，是科學家們長期艱苦鉆研的結果，可以讓廠家們快速大量的批量制造晶振。算是一種比較快捷的途徑，所以在享受這種加工技術的同時，也會產生弊端。接下來讓金洛鑫電子用論文以及示意圖，為大家分析分析，激光減薄工藝的優勢以及劣勢。
激光減薄工藝的優點在于,只減薄表面銀層,并不傷及晶片本身;同時由于不改變電極有效面積,因而對石英晶振晶片本身電性能參數影響不大;刻蝕圖形選擇較靈活;刻蝕外形美觀,肉眼幾乎看不出痕跡。
而其缺點在于可調的頻率微調量小,真空中最大只能調節到500ppm左右,而大氣中最大只能調節到100ppm左右。而在需要較大頻率微調量的情況下,加在激光強度,很容易就會把中央膜層擊穿,完全打光,而這樣就會對石英晶體晶片的電性能參數及頻率曲線造成嚴重損害,并且刻蝕表面不美觀。
激光刻蝕圖形：
所謂激光刻蝕圖形,是指以一定的圖形在石英晶體諧振器晶片表面膜層上進行掃描,并把被掃描處的膜層全部刻光,剝落出石英晶片。其示意圖如下圖所示。
激光刻蝕工藝的刻蝕圖形：
實驗中用到的刻蝕圖形如下圖所示。為圓環形刻蝕,環與環之間線寬為激光刻蝕最小線寬0.02m。
同激光減薄一樣,激光刻蝕工藝的圖形也十分靈活,可根據需要進行繪制。
激光刻蝕圖形工藝的優、缺點：
用激光刻蝕圖形,把SMD晶振晶片表面電極層部分完全剝落的方法,其優點首先在于頻率微調量大,大氣中即可達到2000pm以上的頻率微調量。
其次,刻蝕圖形的方法,可以對無源晶振晶片一面進行加工,而實現兩面同時同剝落其次,刻蝕圖形的方法,可以對晶片一面進行加工,而實現兩面同時同剝落。
第三,由于在生產過程中,晶片表面的電極層是靠掩膜鍍敷到晶振晶片表面上的,在掩膜的過程中,邊緣處會產生散射,使得沉積在晶片上的銀層邊界線不夠清晰有部分散射銀殘留的現象,同時也會影響晶片的Q值。用激光刻蝕圖形的方法,對晶片邊緣進行加工,便可以清除邊界殘留銀層,使得晶片表面銀層清晰于凈,時提高晶片的Q值。
利用激光刻蝕圖形工藝進行貼片石英晶振頻率微調,對于準備性有較高的要求,否則就較易刻蝕到晶片本身,因而對于刻蝕圖形形狀,填充間距等要求較高。總的來說,這種工藝比較適用于對調節量要求較大,大規模快速生產的情況,比激光減薄工藝更利于產業化。
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