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IDT有源晶體代碼XLH335024.000000X與MEMS系列對比結論

返回列表 來源:金洛鑫 瀏覽:- 發布日期:2019-10-15 10:54:59【
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IDT有源晶體代碼XLH335024.000000XMEMS系列對比結論

美國Integrated Device Technology,Inc.公司總部位于加州圣何塞市,1980年才成立的石英晶振,MEMS晶振,時鐘時序,存儲器/邏輯,接口/連接,電源管理,傳感器,RF,無線電源等電子產品制造商.其核心的技術是頻率控制、RF、高性能定時、存儲接口、實時互聯、光互聯、無線電源、及智能傳感器.IDT晶振在行業里具有不錯的口碑和知名度,IDT公司雖然不是專門只做頻率元件的,但是這個石英晶振模塊的產品卻成功銷往世界范圍內的50多個國家.

XLH335024.000000XIDT公司旗下一款有源晶振的原廠代碼,近年來在網絡上出現得比較頻繁,因為現在大多數客戶,都習慣使用編碼或者代碼來咨詢供應商訂購.這條代碼的組合方式相對來說算是比較簡單的,開關的字母代表的是系列型號,后面的24.0000則指的是頻率,其他主要參數如電源電壓,輸出邏輯,頻率穩定度等都是用后面的數字和字母表示.

IDT有源晶體代碼XLH335024.000000X與MEMS系列對比結論

IDT提供石英晶體振蕩器(XO)FemtoClock®NG可編程振蕩器IC,可滿足幾乎任何應用的需求.XL、XAXUXFXP系列晶體振蕩器產品屬于高性能、低抖動時鐘源,具有低至120fs的典型RMS相位抖動,可提供各種頻率、性能等級、輸出類型、穩定性、輸入電壓、封裝、引腳配置和溫度等級選項.FemtoClockNG器件是高級系統設計人員的首選,可滿足高性能時鐘源需求,采用與標準石英晶體振蕩器同樣的占板面積,卻能發揮無與倫比的靈活性.以下是IDT晶振有源系列的原廠代碼數據信息表.

XLH335036.000000X

HCMOS

3.3V

(3.30mmx2.60mm)

XLH335033.333000X

HCMOS

3.3V

(3.30mmx2.60mm)

XLH335024.000000X

HCMOS

3.3V

(3.30mmx2.60mm)

XLH335022.400000X

HCMOS

3.3V

(3.30mmx2.60mm)

XLH335012.000000X

HCMOS

3.3V

(3.30mmx2.60mm)

XLH335074.250000I

HCMOS

3.3V

(3.30mmx2.60mm)

XLH335070.000000I

HCMOS

3.3V

(3.30mmx2.60mm)

XLH335036.864000I

HCMOS

3.3V

(3.30mmx2.60mm)

XLH335029.491200I

HCMOS

3.3V

(3.30mmx2.60mm)

XLH335019.440000I

HCMOS

3.3V

(3.30mmx2.60mm)

XLH335008.000000I

HCMOS

3.3V

(3.30mmx2.60mm)

XLH335014.318180I

HCMOS

3.3V

(3.30mmx2.60mm)

XLH335106.250000I

HCMOS

3.3V

(3.30mmx2.60mm)

XLH335156.250000I

HCMOS

3.3V

(3.30mmx2.60mm)

XLH335033.000000I

HCMOS

3.3V

(3.30mmx2.60mm)

IDT8102-25VPCNSG

CMOS

1.8V~3.3V

(5.00mmx3.20mm)

IDT8102-25VPCNVG

CMOS

1.8V~3.3V

(2.50mmx2.00mm)

IDT8102-40VPCNSG

CMOS

1.8V~3.3V

(5.00mmx3.20mm)

IDT8102-50VPCNVG

CMOS

1.8V~3.3V

(2.50mmx2.00mm)

4MA125000Z4AACTGI

LVDS

3.3V

(5.00mmx3.20mm)

4MA148500Z3AACTGI

LVPECL

3.3V

(5.00mmx3.20mm)

4MA148500Z4AACTGI

LVDS

3.3V

(5.00mmx3.20mm)

4MA150000Z4AACTGI

LVDS

3.3V

(5.00mmx3.20mm)

4MA155520Z4AACTGI

LVDS

3.3V

(5.00mmx3.20mm)

4MA156250Z4AACTGI

LVDS

3.3V

(5.00mmx3.20mm)

IDT4MA100000Z3AACUGI8

LVPECL

3.3V

(7.00mmx5.00mm)

IDT4MA100000Z3AACUGI8

LVPECL

3.3V

(7.00mmx5.00mm)

IDT4MA125000Z3AACUGI8

LVPECL

3.3V

(7.00mmx5.00mm)

IDT4MA125000Z3AACUGI8

LVPECL

3.3V

(7.00mmx5.00mm)

IDT4MA133333Z3AACUGI8

LVPECL

3.3V

(7.00mmx5.00mm)

IDT4MA133333Z3AACUGI8

LVPECL

3.3V

(7.00mmx5.00mm)

IDT4MA150000Z3AACUGI8

LVPECL

3.3V

(7.00mmx5.00mm)

IDT4MA150000Z3AACUGI8

LVPECL

3.3V

(7.00mmx5.00mm)

IDT4MA156250Z3AACUGI8

LVPECL

3.3V

(7.00mmx5.00mm)

IDT4MA156250Z3AACUGI8

LVPECL

3.3V

(7.00mmx5.00mm)

IDT4MA200000Z3AACUGI8

LVPECL

3.3V

(7.00mmx5.00mm)

IDT4MA200000Z3AACUGI8

LVPECL

3.3V

(7.00mmx5.00mm)

IDT4MA200000Z3AACUGI8

LVPECL

3.3V

(7.00mmx5.00mm)

4MA050000Z4AACTGI

LVDS

3.3V

(5.00mmx3.20mm)

4MA050000Z4AACUGI

LVDS

3.3V

(7.00mmx5.00mm)

4MA050000Z4BACTGI

LVDS

2.5V

(5.00mmx3.20mm)

4MA050000Z4BACUGI

LVDS

2.5V

(7.00mmx5.00mm)

4MA066000Z3AACTGI

LVPECL

3.3V

(5.00mmx3.20mm)

4MA066000Z3AACUGI

LVPECL

3.3V

(7.00mmx5.00mm)

4MA100000Z3AACTGI

LVPECL

3.3V

(5.00mmx3.20mm)

4MA100000Z3AACUGI

LVPECL

3.3V

(7.00mmx5.00mm)

4MA100000Z4AACTGI

LVDS

3.3V

(5.00mmx3.20mm)

4MA100000Z4AACUGI

LVDS

3.3V

(7.00mmx5.00mm)

4MA125000Z3AACTGI

LVPECL

3.3V

(5.00mmx3.20mm)

4MA125000Z3AACUGI

LVPECL

3.3V

(7.00mmx5.00mm)

4MA125000Z4AACTGI8

LVDS

3.3V

(5.00mmx3.20mm)

4MA125000Z4AACUGI

LVDS

3.3V

(7.00mmx5.00mm)

4MA125000Z4AACUGI8

LVDS

3.3V

(7.00mmx5.00mm)

4MA125000Z4BACTGI

LVDS

2.5V

(5.00mmx3.20mm)

4MA125000Z4BACTGI8

LVDS

2.5V

(5.00mmx3.20mm)

4MA133000Z3AACTGI

LVPECL

3.3V

(5.00mmx3.20mm)

4MA133000Z3AACTGI8

LVPECL

3.3V

(5.00mmx3.20mm)

4MA133000Z3AACUGI

LVPECL

3.3V

(7.00mmx5.00mm)

4MA133000Z3AACUGI8

LVPECL

3.3V

(7.00mmx5.00mm)

4MA133330Z4AACTGI

LVDS

3.3V

(5.00mmx3.20mm)

4MA133330Z4AACTGI8

LVDS

3.3V

(5.00mmx3.20mm)

4MA133330Z4BACTGI

LVDS

2.5V

(5.00mmx3.20mm)

4MA133330Z4BACTGI8

LVDS

2.5V

(5.00mmx3.20mm)

當使用MEMS可編程晶振,關于提高振動靈敏度,降低制造成本以及提高可靠性有許多要求.但是,一旦您開始研究這些領域,數據有時就無法呈現現實情況.例如,基于MEMS的設備的平均無故障間隔時間(MTBF)130,000,而基于夸脫的解決方案的平均無故障間隔時間(MTBF)30,000,對于任何設計人員而言,都不是主要問題.但是,當以兩次故障之間的平均改善時間來表示時,這會在不影響零件的長期可靠性的情況下,在設計人員的思維中產生不同的印象.

設計師認為30,000年是可接受的MTBF水平,因此無法提出這一主張.MEMS諧振器的關鍵特性之一是振動靈敏度(有時稱為重力靈敏度或振動引起的相位偏移).這在2001年左右就得到了認可,并已作為諧振器的關鍵破壞特征進行銷售.但是,一旦我們開始查看數據,就可以開始質疑是否存在任何真正的優勢.考慮以下:

1.典型的振動范圍規定為從Hz級到2kHz.

2.在大多數應用中,振動密度水平會停止或大大降低至2kHz以上.

根據相位噪聲測量,相位抖動通常具有12kHz20MHz的積分范圍,該范圍是任何客戶指定的最大振動水平的六倍,振動敏感度的度量單位是每十億分之一振動的十億分之一(ppb/g),MEMS振動靈敏度基于諧振器方向在0.01ppg/g1ppb/g的范圍內,石英振動靈敏度基于諧振器方向在0.1ppb/g1ppb/g的范圍內,石英制造商在過去20年中已大大提高了對MEMS的振動靈敏度.

毛坯尺寸的變化,更高頻率的應用以及毛坯對齊的精度提高是主要改進,這些變化大大改善了石英振蕩器的振動敏感性和沖擊敏感性.XTXP現場可編程時鐘振蕩器的IDTProXO系列使用這些石英晶振生產工藝改進來獲得較低的沖擊和振動敏感度,振動引起的相位偏移(增加的相位噪聲水平)與溫度和網絡引起的相位噪聲互斥,振動引起的噪聲是溫度和網絡引起的噪聲的均方根值.

在振動引起的噪聲等于或高于溫度和網絡噪聲引起的噪聲的水平之前,可以忽略振動引起的噪聲.如果我們以156.25MHz的頻率在10gs的振動下查看基于MEMS的振蕩器和基于石英的振蕩器的典型相位噪聲電平,則會發現:

1.在靜態條件下,石英振蕩器通常比MEMS振蕩器低40db.

2.連續振動水平高時,石英晶體振蕩器的振動靈敏度等于MEMS振蕩器的靜態振動水平.

3.由于基于MEM的振蕩器的靜態和動態電平幾乎相等,因此在此范圍內其相位噪聲電平幾乎沒有增加.

IDT有源晶體代碼XLH335024.000000X與MEMS系列對比結論

當在10Hz2kHz的振動范圍內發生10gs的連續振動時,基于石英晶振的振蕩器和基于MEMS的振蕩器的相位噪聲電平相等.但是,由于印刷電路板和系統中其他更大,更重的部件的重量增加,在此頻率范圍內連續出現10g的振動水平將導致長期可靠性降低和產品損壞.假設10gs只會在很小的時間內發生,基于石英的振蕩器將具有較低的相位噪聲性能,使其成為現實條件下的更好解決方案.

IDT有源晶體代碼XLH335024.000000X與MEMS系列對比結論

通過此處查看的數據,我們發現使用MEMS諧振器振蕩器與更常見且穩定的石英振蕩器相比并沒有真正的優勢.因此,IDT幾年前就從我們的產品組合中刪除了該產品,并繼續專注于Quartz Crystal,并改進了我們提供的集成了內部諧振器的器件,包括新的ProXO系列可編程時鐘振蕩器.

IDT有源晶體代碼XLH335024.000000XMEMS系列對比結論

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    【本文標簽】:XLH335024.000000X晶振 IDT有源晶振代碼 IDT晶振資料
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