手機版
美國Silicon振蕩器501EAA48M0000CAG編碼的實際意義
美國Silicon振蕩器501EAA48M0000CAG編碼的實際意義
Silicon Laboratories.公司是美國眾多晶體制造商中,少有的可以與SiTime晶振相提并論的一家硅振蕩器供應商,目前量產可編程振蕩器的廠家并不算多,至少與石英組件的比起來.與其他晶振廠家不一樣的是,Silicon晶振公司只生產SPXO,VCXO,MEMS類型的晶體振蕩器,而且每一款都可以按客戶的要求定制,具體優良的靈活性,可靠性,穩定性.Silicon Labs的晶體振蕩器(XO)和壓控振蕩器(VCXO)產品可為高達3GHz的任何頻率提供快速,輕松的定制,精度為六位數.雙路,四路和I2C可編程振蕩器產品替代了多個振蕩器和多路復用器,同時提高了石英晶振可靠性和性能.
Silicon公司石英晶體振蕩器具有10年的使用壽命,可在所有工作條件下提供±30ppm的穩定性,包括-40°C至+85°C工業溫度范圍.對于需要較低抖動的較高頻率應用,石英晶體振蕩器的可編程頻率高達810MHz.硅振蕩器提供基于石英振蕩器的低成本替代可編程,通過使用全硅LC振蕩器產生的任何輸出頻率從0.9至200兆赫.
501EAA48M0000CAG是Silicon集團OSC振蕩器系列的其中一條原廠編碼,它的系列型號是Si501晶振晶振,尺寸是3.2*2.5*0.9mm的,常規的四腳金屬外殼封裝,可應用到高端產品設備,耐高溫性,耐沖撞性,耐惡劣環境等特性達到及格以上.通常用戶和供應商都是通過原廠編碼,來確定是哪一款晶振,是什么規格參數的,根據前面介紹的其他品牌的晶振編碼,可以看出這條編碼系列料號后面的數字,指的就是頻率.
|
501EAA48M0000CAG |
Si501晶振 |
48MHz |
(3.20mmx2.50mm) |
|
501BAA16M0000BAG |
Si501晶振 |
16MHz |
(4.00mmx3.20mm) |
|
501BAA16M0000CAG |
Si501晶振 |
16MHz |
(3.20mmx2.50mm) |
|
501JAA24M0000BAG |
Si501晶振 |
24MHz |
(4.00mmx3.20mm) |
|
501AAA27M0000BAG |
Si501晶振 |
27MHz |
(4.00mmx3.20mm) |
|
501ACA10M0000CAF |
Si501晶振 |
10MHz |
(3.20mmx2.50mm) |
|
501JAA40M0000BAG |
Si501晶振 |
40MHz |
(4.00mmx3.20mm) |
|
501ACA10M0000BAF |
Si501晶振 |
10MHz |
(4.00mmx3.20mm) |
|
501JCA10M0000BAF |
Si501晶振 |
10MHz |
(4.00mmx3.20mm) |
|
501HCA12M0000BAF |
Si501晶振 |
12MHz |
(4.00mmx3.20mm) |
|
501JCA25M0000CAF |
Si501晶振 |
25MHz |
(3.20mmx2.50mm) |
|
501HCA27M0000BAF |
Si501晶振 |
27MHz |
(4.00mmx3.20mm) |
|
501AAA50M0000BAG |
Si501晶振 |
50MHz |
(4.00mmx3.20mm) |
|
501ABA8M00000BAG |
Si501晶振 |
8MHz |
(4.00mmx3.20mm) |
|
501HCA27M0000DAG |
Si501晶振 |
27MHz |
(2.50mmx2.00mm) |
|
501ABA8M00000CAG |
Si501晶振 |
8MHz |
(3.20mmx2.50mm) |
|
501JCA10M0000BAG |
Si501晶振 |
10MHz |
(4.00mmx3.20mm) |
|
501ACA10M0000BAG |
Si501晶振 |
10MHz |
(4.00mmx3.20mm) |
|
501JCA20M0000CAG |
Si501晶振 |
20MHz |
(3.20mmx2.50mm) |
|
501BCA16M0000BAG |
Si501晶振 |
16MHz |
(4.00mmx3.20mm) |
|
501BCA16M0000CAG |
Si501晶振 |
16MHz |
(3.20mmx2.50mm) |
|
501JCA100M000DAF |
Si501晶振 |
100MHz |
(2.50mmx2.00mm) |
|
501JCA100M000CAF |
Si501晶振 |
100MHz |
(3.20mmx2.50mm) |
|
501JCA100M000BAF |
Si501晶振 |
100MHz |
(4.00mmx3.20mm) |
|
501JCAM032768DAF |
Si501晶振 |
32.768kHz |
(2.50mmx2.00mm) |
|
501HCAM032768DAF |
Si501晶振 |
32.768kHz |
(2.50mmx2.00mm) |
|
501JCAM032768CAF |
Si501晶振 |
32.768kHz |
(3.20mmx2.50mm) |
|
501BCAM032768BAF |
Si501晶振 |
32.768kHz |
(4.00mmx3.20mm) |
|
501BCAM032768CAF |
Si501晶振 |
32.768kHz |
(3.20mmx2.50mm) |
|
501BCAM032768CAG |
Si501晶振 |
32.768kHz |
(3.20mmx2.50mm) |
|
500DLAA125M000ACF |
Si500D晶振 |
125MHz |
(4.00mmx3.20mm) |
|
500DLAA200M000ACF |
Si500D晶振 |
200MHz |
(7.00mmx5.00mm) |
|
510ABA100M000BAGR |
Si510晶振 |
100MHz |
(5.00mmx3.20mm) |
|
510ABA125M000BAGR |
Si510晶振 |
125MHz |
(5.00mmx3.20mm) |
|
510BBA100M000BAGR |
Si510晶振 |
100MHz |
(5.00mmx3.20mm) |
|
510BBA125M000BAGR |
Si510晶振 |
125MHz |
(5.00mmx3.20mm) |
|
510FBA100M000BAGR |
Si510晶振 |
100MHz |
(5.00mmx3.20mm) |
|
510FBA125M000BAGR |
Si510晶振 |
125MHz |
(5.00mmx3.20mm) |
|
511ABA100M000BAGR |
Si511晶振 |
100MHz |
(5.00mmx3.20mm) |
|
511ABA125M000BAGR |
Si511晶振 |
125MHz |
(5.00mmx3.20mm) |
|
511BBA100M000BAGR |
Si511晶振 |
100MHz |
(5.00mmx3.20mm) |
|
511BBA125M000BAGR |
Si511晶振 |
125MHz |
(5.00mmx3.20mm) |
|
511FBA100M000BAGR |
Si511晶振 |
100MHz |
(5.00mmx3.20mm) |
|
511FBA125M000BAGR |
Si511晶振 |
125MHz |
(5.00mmx3.20mm) |
|
510ABA106M250BAGR |
Si510晶振 |
106.25MHz |
(5.00mmx3.20mm) |
|
510BBA106M250BAGR |
Si510晶振 |
106.25MHz |
(5.00mmx3.20mm) |
|
511ABA106M250BAGR |
Si511晶振 |
106.25MHz |
(5.00mmx3.20mm) |
|
511BBA106M250BAGR |
Si511晶振 |
106.25MHz |
(5.00mmx3.20mm) |
|
511FBA106M250BAGR |
Si511晶振 |
106.25MHz |
(5.00mmx3.20mm) |
|
510ABA000149BAGR |
Si510晶振 |
74.175824MHz |
(5.00mmx3.20mm) |
|
510ABA74M2500BAGR |
Si510晶振 |
74.25MHz |
(5.00mmx3.20mm) |
|
510BBA000149BAGR |
Si510晶振 |
74.175824MHz |
(5.00mmx3.20mm) |
|
510BBA74M2500BAGR |
Si510晶振 |
74.25MHz |
(5.00mmx3.20mm) |
|
510FBA000149BAGR |
Si510晶振 |
74.175824MHz |
(5.00mmx3.20mm) |
|
510FBA74M2500BAGR |
Si510晶振 |
74.25MHz |
(5.00mmx3.20mm) |
|
511ABA000149BAGR |
Si511晶振 |
74.175824MHz |
(5.00mmx3.20mm) |
|
511ABA74M2500BAGR |
Si511晶振 |
74.25MHz |
(5.00mmx3.20mm) |
|
511BBA000149BAGR |
Si511晶振 |
74.175824MHz |
(5.00mmx3.20mm) |
|
511BBA74M2500BAGR |
Si511晶振 |
74.25MHz |
(5.00mmx3.20mm) |
|
511FBA000149BAGR |
Si511晶振 |
74.175824MHz |
(5.00mmx3.20mm) |
|
511FBA74M2500BAGR |
Si511晶振 |
74.25MHz |
(5.00mmx3.20mm) |
|
510ABA100M000AAGR |
Si510晶振 |
100MHz |
(7.00mmx5.00mm) |
|
510ABA125M000AAGR |
Si510晶振 |
125MHz |
(7.00mmx5.00mm) |
|
510BBA100M000AAGR |
Si510晶振 |
100MHz |
(7.00mmx5.00mm) |
501EAA48M0000CAG晶振是Silicon集團出口數量比較多的一款,上面表格里的是其他封裝型號的原廠編碼,每一款都在市面上熱銷,是知名的美國晶振品牌之一,成立多年,致力于研發優質,性價比高的石英晶振和時序元件.從501EAA48M0000CAG這條編碼上我們可以得知詳細的型號,尺寸,外觀,材料,精度,電壓,輸出,溫度,頻率等信息,這就是為什么現在采購都喜歡使用原廠編碼的因素.
Silicon晶振公司提供了業界最廣泛的石英振蕩器,時鐘發生器,時鐘緩沖器和抖動衰減器產品以及PCI Express(PCIe)時鐘發生器和PCI Express緩沖器產品組合Silicon公司的專利技術將一流的頻率靈活性與業界最低的抖動相結合,提供了石英晶振的定制解決方案,可簡化電路板設計,減少分立組件并最大化系統性能.
振蕩器對于確定節點可以將時間誤差保持在可接受水平的時間變得極為重要.使用±1.5µs的LTE-TDD小型蜂窩移動網絡的端到端時間誤差限制,使用基于OCXO的振蕩器作為其本地參考的系統將時間誤差保持在此限制內僅3個多小時,而使用一個基于TCXO的溫補晶體振蕩器,其本地參考僅在20分鐘后就超過了此限制.事實證明,長期保持性能的限制因素是老化.
Silicon Laboratories.將繼續利用技術進步來開發價格實惠且緊湊的本地時鐘,這些時鐘具有出色的穩定性能(例如,經過老化補償的DOCXO石英晶振),這可能使節點能夠滿足LTE-TDD的端到端時間誤差限制,即使沒有物理層時鐘參考,也可以在24小時內保持±1.5µs的蜂窩移動網絡.Silicon Labs打算繼續測試這些改進的振蕩器.
美國Silicon振蕩器501EAA48M0000CAG編碼的實際意義
