手機版
KT2520Y40000ECV28TBA京瓷TCXO晶振是如何降低EMI干擾的
KT2520Y40000ECV28TBA京瓷TCXO晶振是如何降低EMI干擾的
EMI是電磁干擾ElectromagneticInterference的縮寫簡稱,電子電力設備最怕的就是電磁干擾,阻礙正常的工作運行,因此許多生產廠家在采購石英晶體振蕩器的時候,都要求帶有抗EMI的特性要求.并不是每一款振蕩器都具有這種功能的,但是溫補晶振大多數都可以做到,京瓷KT2520Y40000ECV28TBA晶振是TCXO系列的產品,在設計之初,工程人員就將其設置為可抗EMI.EMI由晶體振蕩電路的各個部分產生.通過對基板進行設計,并通過明確EMI產生部分來抑制產生,可以降低EMI等級.
KT2520Y40000ECV28TBA溫補晶振本身就具體優良的溫度補償性能,所以京瓷集團的工程師,想將其設計成降低EMI電磁干擾,并不算十分困難的事情.京瓷晶振的TCXO系列,無論是體積,品質,性能還是交期,都讓用戶滿意,下面為大家介紹下京瓷品牌其他溫補晶振的產品以及降低EMI干擾的對策方案.
|
KT2520K40000DAW18TAS |
KT2520K晶振 |
40MHz |
(2.50mmx2.00mm) |
|
KT2016K26000BCW18ZAS |
KT2016晶振 |
26MHz |
(2.00mmx1.60mm) |
|
KT2520K26000CCW18ZUS |
KT2520晶振 |
26MHz |
(2.50mmx2.00mm) |
|
KT2520K26000DCW28QAS |
KT2520晶振 |
26MHz |
(2.50mmx2.00mm) |
|
KT2520F16369ACW18TAG |
KT2520F晶振 |
16.369MHz |
(2.50mmx2.00mm) |
|
KT2520F16800ACW28TAK |
KT2520F晶振 |
16.8MHz |
(2.50mmx2.00mm) |
|
KT2520F37400ZAW18TBK |
KT2520F晶振 |
37.4MHz |
(2.50mmx2.00mm) |
|
KT2520K26000AAW18TAS |
KT2520K晶振 |
26MHz |
(2.50mmx2.00mm) |
|
KT2016A26000ACW18TLG |
KT2016A晶振 |
26MHz |
(2.00mmx1.60mm) |
|
KT2520F16369ACW28TAK |
KT2520F晶振 |
16.369MHz |
(2.50mmx2.00mm) |
|
KT2520F38400DEV30TAK |
KT2520F晶振 |
38.4MHz |
(2.50mmx2.00mm) |
|
KT2520F26000ZAW18TKK |
KT2520F晶振 |
26MHz |
(2.50mmx2.00mm) |
|
KT7050B12800KAW33TAD |
KT7050B晶振 |
12.8MHz |
(7.00mmx5.00mm) |
|
KT5032F12800KAW33TAA |
KT5032F晶振 |
12.8MHz |
(5.00mmx3.20mm) |
|
KT7050A20000KAW33TAD |
KT7050晶振 |
20MHz |
(7.00mmx5.00mm) |
|
KT7050A24576KAW33TAD |
KT7050晶振 |
24.576MHz |
(7.00mmx5.00mm) |
|
KT3225F16367ACW30TA0 |
KT3225F晶振 |
16.367MHz |
(3.20mmx2.50mm) |
|
KT3225F16367ACW30TA0 |
KT3225F晶振 |
16.367MHz |
(3.20mmx2.50mm) |
|
KT3225F16369ACW28TA0 |
KT3225F晶振 |
16.369MHz |
(3.20mmx2.50mm) |
|
KT3225F27456ZAW28TA0 |
KT3225F晶振 |
27.456MHz |
(3.20mmx2.50mm) |
|
KT3225F27456ZAW28TA0 |
KT3225F晶振 |
27.456MHz |
(3.20mmx2.50mm) |
|
KT2520F27456ZAW28TBA |
KT2520F晶振 |
27.456MHz |
(2.50mmx2.00mm) |
|
KT2520F27456ZAW28TBA |
KT2520F晶振 |
27.456MHz |
(2.50mmx2.00mm) |
|
KT2520K26000ZAW18TAS |
KT2520晶振 |
26MHz |
(2.50mmx2.00mm) |
|
KT3225T32768EAW30TAA |
KT3225T晶振 |
32.768kHz |
(3.20mmx2.50mm) |
|
KT2520K26000ACW18TAS |
KT2520晶振 |
26MHz |
(2.50mmx2.00mm) |
|
KT2520F38400ZAW18TEK |
KT2520F晶振 |
38.4MHz |
(2.50mmx2.00mm) |
|
KT2016A26000ECW18TLG |
KT2016A晶振 |
26MHz |
(2.00mmx1.60mm) |
|
KT2016A52000ECW18TEG |
KT2016A晶振 |
52MHz |
(2.00mmx1.60mm) |
|
KT3225K26000ZAW25TCS |
KT3225K晶振 |
26MHz |
(3.20mmx2.50mm) |
|
KT1612A26000ECW18TBA |
KT1612A晶振 |
26MHz |
(1.70mmx1.30mm) |
|
KT1612A52000ECW18TAA |
KT1612A晶振 |
52MHz |
(1.70mmx1.30mm) |
|
KT3225T32768DAW33T |
KT3225T晶振 |
32.768kHz |
(3.20mmx2.50mm) |
|
KT2016A20000ACW18TAG |
KT2016A晶振 |
20MHz |
(2.00mmx1.60mm) |
|
KT2520Y40000ECV28TBA |
KT2520Y晶振 |
40MHz |
(2.50mmx2.00mm) |
|
KT3225R40000ECV28TBA |
KT3225R晶振 |
40MHz |
(3.20mmx2.50mm) |
|
KT3225R26000ZAW28TMA |
KT3225R晶振 |
26MHz |
(3.20mmx2.50mm) |
將IC連接至晶體振子或電容器的基板圖案變長時,該部分成為天線,EMI電平變高,但是,逆變器的OUT側的圖案會產生很多EMI.如圖所示,平行拉長IN和OUT線不是優選的,因為負電阻也會減小.
振蕩頻率的交流振幅出現在振蕩晶體的電極上,但是由于振蕩級的IN側電極通常是接近正弦波的波形,所以EMI電平非常低.它會發出高強度的EMI,其波形接近電波并包含許多諧波.高接地線阻抗會增加EMI電平.通常,電源線為交流接地線.如果電源線的交流阻抗增加,則電源線將成為輻射EMI的天線.輸出數據的端口也會產生EMI.
電源:
如果電源輸出本身包含噪聲,則溫補晶體振蕩器振蕩電路和其他功能電路會受到該噪聲的調制,并且這些電路產生的EMI電平會增加.另外,如果電源線的阻抗較高,則在電源線上會出現振蕩幅度,并且使用電源線作為天線會輻射EMI.由于使用C-MOS逆變器的皮爾斯晶體振蕩電路的IN側的振蕩波是正弦波或接近正弦波的波形,因此從該部分產生的諧波非常小.相比之下,逆變器OUT側的波形是方波或具有失真的方波,因此它包含許多諧波分量.連接到該部分的電路板圖案成為天線,并以EMI的形式輻射到空氣中.
(1)從IC內部產生的EMI
在板上的IC下方提供接地層可以減少輻射到IC下部的EMI.
(2)基板圖案產生的EMI
如右圖所示,設計該板時,將IC與晶體單元和電容器連接的板圖樣不會成為輻射EMI的天線,因此圖樣長度應盡可能短.用接地圖形屏蔽振蕩部分信號圖形的外圍也是有效的,但是,如果這些圖形太靠近在一起,則負電阻會減小,因此在設計電路板圖形時必須小心.同樣,重要的是設計接地圖案,使其末端如箭頭所示敞開,并且不產生回路.
在TCXO振蕩器的電路板圖形中,連接到反相器OUT側的線會產生很多EMI,因此設計此圖形的長度盡可能短很重要.另外,請參閱后述的“印刷電路板設計注意事項”,因為在大多數情況下,逆變器的IN側的波形為正弦波,所以產生的EMI較低,電路板的圖案必須比OUT側長.由于EMI的增加量比延長OUT側圖樣時要小得多.
晶體單元產生的EMI:
帶金屬蓋CX-2520SB,CX-3225SB,KSX-23,CX-4025S,CX-96F,KSX-35,KSX-36,CX-91F的SMD晶體單元帶有免費端子因為它在EMI級別內連接到金屬帽,所以可以通過將空端子接地將其降低到從晶體單元感應到電極帽并輻射到空氣中的EMI級別.罐型(鉛型)晶體單元出現時,在整個蓋中感應出振蕩幅度,并作為EMI輻射到空氣中.為了降低從晶體單元輻射到空氣中的電磁干擾水平,請使用配有金屬護套的CX-49L型將罐子接地.
接地線產生的EMI:
如果將電容器的接地圖案拉長,則該部分將成為天線并輻射EMI,因此,必須在設計電路板時將其連接到具有最短圖案長度的接地線上.
電力線產生的電磁干擾:
連接幾種具有不同自諧振頻率的旁路電容器是有效的,這樣電源線的阻抗不會在一個寬頻帶內增加.通常,CM,CT或CF系列的高介電陶瓷電容器作為旁路電容器連接在晶體振蕩電路IC的電源端子附近,且圖案長度最短,如右圖所示.在電源線較長的板上,將這些電容器作為一組在多個位置連接非常有效.如果一個LSI需要幾種類型的電源電壓,則每個LSI都需要一個旁路電容器.對于低頻噪聲,請使用容量為數μF以上的電解電容器,但是,如果將大容量的電容器連接至功率調節器的輸出端子,則調節器IC本身可能會發生振蕩.是必需的.同樣,使用KNH系列EMI濾波器KNH21104或KNH21473抑制從電源線輻射的EMI是有效的.
輸出端口產生EMI:
根據數據的形式,可以使用線路濾波器.如果無法實現,則可以使用上述(2)中所述的方法覆蓋端口的外圍和數據傳輸圖案,并在其另一側覆蓋表面接地圖案.是的用IC手冊中規定的適當阻抗端接未使用的端口等.
from電源產生的EMI:
為了減少從直流電源產生電路輻射的電磁干擾,用金屬蓋屏蔽電源電路是有效的.
選擇電路配置和降低EMI的常數(防止諧波產生的措施):
EMI的大小和水平取決于石英晶體振蕩器振動波形的形狀,但是當振動波形為正弦波時,EMI會降至最低.在C-MOS反相器晶體振蕩電路中,反相器IN側的振動波形接近正弦波,因此從該引腳產生的EMI很小.但是,OUT端包含很多諧波,因為它顯示為方波,而IN端的正弦波被反相并放大.通過以下方法,可以通過減小OUT側振蕩波形的失真來減少EMI.
(1)使用Rd和Rx減少充入C2的電荷量.
通過使用這些電阻,振蕩電路的負電阻將減小,振蕩啟動時間將改變,因此通過檢查電路來選擇合適的電阻值并滿足設計目標值.您需要確保自己這樣做.
(2)與C1相比,C2使用極小的值.
例如,如果減小OUT側的電容值,例如C1=22pF且C2=5pF,則OUT側的波形將從方波變為正弦波,因此EMI電平會降低.但是,如果OUT側電容器的電容值太小,則振幅電平會降低,因此有必要確認OUT側的振幅電平足以驅動后續電路.
KT2520Y40000ECV28TBA京瓷TCXO晶振是如何降低EMI干擾的
“推薦閱讀”
【責任編輯】：金洛鑫版權所有：http://www.zrwej.cn轉載請注明出處
相關技術支持
- FCD-Tech石英晶體F2520A-30-50-K-30-F-34.000MHz術語和定義理論
- ECS許多應用需要石英振蕩器ECS-100AX-110.5和其他定時解決方案
- Abracon超小型ABS05-32.768KHZ-T音叉晶體專為節能MCU而優化
- Bliley壓控晶振BVCS5-24.000MHZMDN-ABCBT如何工作？
- Microchip用于嵌入式系統的新型PIC18F06Q20微控制器(MCU)
- Golledge下一代GSRFTA0942A頻率控制5G網絡的解決方案
- CTS最新推出的OCXO完美應用于各個領域
- 遙遙領先的Harmony Electronics Corp.用水晶增強安全駕駛
- 了解遙遙領先的SIWARD希華晶體振蕩器
- 領先全球Skyworks晶振為下一代Wi-Fi 6/6E設備提供前所未有的能效
