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- [技術(shù)支持]硅MEMS與Oscillator的電磁敏感性2019年03月07日 11:15
- 上一篇為大家講述了LVCMOS和MEMS系列電磁干擾和電磁兼容性處理方案,今天的主題依舊是晶振的電磁性,不同的是,內(nèi)容會(huì)是MEMS可編程晶振,與普通石英振蕩器的電磁敏感性.對(duì)電磁有所了解的都知道,EMI設(shè)計(jì)會(huì)影響高端振蕩器的相位噪聲,相位抖動(dòng)和時(shí)鐘頻率等,美國(guó)和歐洲的晶體制造商幾十年來(lái),不斷的探討和研究如何提升振蕩器抗電磁干擾的性能,并將其列入振蕩器的設(shè)計(jì)方案中,直到現(xiàn)在,絕大多數(shù)的Oscillator和硅MEMS晶振,都已實(shí)現(xiàn)抗電磁干擾性能.
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