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Renesas晶振,XLL53V52.000000I,VCXO振蕩器,6G通信晶振

頻率:52MHZ

尺寸:5.0mm x 3.2mm

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Renesas晶振,XLL53V52.000000I,VCXO振蕩器,6G通信晶振,Renesas晶振,XL進口有源晶振,XLL53V52.000000I晶振,5032mm晶振,VCXO振蕩器,LVDS輸出差分晶振,頻率52MHz,工作溫度-40~85°C,電壓3.3V,低相噪晶振,低抖動晶振,6G通信晶振,網絡終端晶振,數據中心晶振,高速轉換器晶振.

Renesas晶振,XLL53V52.000000I,VCXO振蕩器,6G通信晶振特點:

輸出類型:LVDS, LVPECL, LVCMOS

相位抖動(12kHz至20MHz): 750fs至890fs典型

供電電壓:2.5V或3.3V

包裝選項:

•3.2 × 2.5 × 1.0 mm (VCXO不可用)

•5.0 × 3.2 × 1.2毫米

•7.0 × 5.0 × 1.3 mm

工作溫度:-20℃~ +70℃

•頻率穩定性選項:±20,±25,±50,或±100 ppm(僅XO)

•±50ppm APR(僅限VCXO)

工作溫度:-40°C至+85°C

•頻率穩定性選項:±25,±50,或±100 ppm(僅XO)

•±50ppm APR(僅限VCXO)

工作溫度:-40°C至+105°C(僅XO)

•頻率穩定性選項:±50或±100ppm

kV 85ppm/伏,典型范圍從0.5VDC到VDD(僅限VCXO)

•Vc范圍線性度優于±10%

高端數碼電子諧振器,8045陶瓷殼2P晶振,NX8045GE晶振

Renesas晶振,XLL53V52.000000I,VCXO振蕩器,6G通信晶振參數表

項目 符號 規格說明 條件
額定頻率 f_nom 52MHz 請聯系我們以便獲取其它可用頻率的相關信息
電源電壓 Vcc 3.3V±0.3V
儲存溫度 T_stg -55℃~+125℃ 裸存
工作溫度 T_use -40℃~ +85℃
頻率公差(標準) f_tol ±100 ppm  +25℃,超出標準的規格說明請聯系我們以便獲取相關信息
供電電流 IDD 47mA Max   LVDS  40+MHz to 220MHz
差分輸出電壓 VOD 0.6V Max VDD = 3.3V ±5%.
對稱性 SYM 47%~53% At outputs crossing  point
輸出負載 L_LVDS 100Ω LVDS Differential.
輸入電壓 VIH 70%VDD Min LVDS
VIL 30%VDD Max
上升下降時間 tr/tf 400ps Max LVDS 20% to 80% Vpp
起始時間 t str 10ms Max VDD達到最小指定水平后輸出有效時間
周期抖動 JPER

3ps Typ

LVDS
相位抖動 tpj 890 fs Typ 12KHZ~20MHz
老化 f_aging ±3ppm/year  +25℃,第一年

高端數碼電子諧振器,8045陶瓷殼2P晶振,NX8045GE晶振

Renesas晶振,XLL53V52.000000I,VCXO振蕩器,6G通信晶振尺寸

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