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QVS晶振,QV3S晶振,QV3S-7XEF12.5-32.768KHz晶振

頻率：32.768KHZ

尺寸：2.0*1.2mm

32.768K時鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體振蕩器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷振蕩器外殼更好的耐沖擊性.

訂購熱線：0755-27837162

QVS晶振,QV3S晶振,QV3S-7XEF12.5-32.768KHz晶振，QVS TECH INC已成功提供高品質(zhì)的頻率控制產(chǎn)品超過15年。作為位于加利福尼亞州卡爾斯巴德的女性擁有的小型企業(yè)總部，QVS TECH INC以為我們的客戶提供優(yōu)質(zhì)服務(wù)和快速交貨而享有盛譽。多年來，QVS TECH INC與我們通過ISO9001認(rèn)證的離岸制造設(shè)施建立了牢固的關(guān)系。這確保了我們能夠始終如一地為我們的客戶提供最優(yōu)質(zhì)的晶振產(chǎn)品和業(yè)內(nèi)最短的交貨時間。

QVS晶振,QV3S晶振,QV3S-7XEF12.5-32.768KHz晶振，QVS Crystal成立至今已向市場提供了近20年的QVS壓控晶體,石英晶體,時鐘晶體振蕩器等元件給市場使用到各種電子產(chǎn)品系統(tǒng)中,QVS晶振公司的質(zhì)量,價值和服務(wù),核心原則將不斷給用戶提供優(yōu)質(zhì)的晶振產(chǎn)品,并為社會創(chuàng)造更加的價值。

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貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù)：貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊，主要是為了去除晶振晶片的邊緣效應(yīng)，在實際操作中機器運動方式設(shè)計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設(shè)計必須合理，有一項不完善都會使SMD晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過大，用在電路中Q值過小，從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定。

Frequency	32.768 KHz
ESR (Equivalent Series Resistance)	Less than 90 k?
Shunt Capacitance (C0)	1.3pF Typ
Motional Capacitance (CI)	6.5pF Typ.
Frequency Tolerance @ 25° C ±5ºC	±20 ppm Standard
Frequency Stability over Temperature	Parabolic -0.034 ppm / ° C2 Typ. Turnover point +25º ±5ºC See Graph Below
Crystal Cut	X-Cut
Load Capacitance	12.5 pF Standard
Operating	-40° C to +85° C Standard
Storage	-55° C to +125° C Standard

抗沖擊
  晶振可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
輻射
  暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致無源貼片晶振性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑/pH值環(huán)境
  請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
鹵化合物
  請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無源晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時，請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電，QVS晶振,QV3S晶振,QV3S-7XEF12.5-32.768KHz晶振.
過高的靜電可能會損壞石英晶體諧振器，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進行接地操作。