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IDT晶振,5032晶振,XU晶振

頻率：0.016MHz~1500MHz

尺寸：5.0*3.2

貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統,光纖通道,千兆以太網,串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發射基站等領域.符合RoHS/無鉛.

訂購熱線：0755-27837162

IDT-1

IDT的創新時機、互連、PMIC和無線電力解決方案使客戶能夠開發具有創新功能、改進性能和延長電池壽命的移動和個人電子產品。IDT晶振領先的串行RapidIO®,PCI Express®,電源管理,和先進的時機解決方案包括網絡同步產品超越競爭,使客戶開發最先進的系統。IDT在德國的全資子公司- IDT歐洲有限公司(前身為ZMD AG)運營其卓越的汽車中心。5032普通晶體振蕩器,低電壓有源晶振,XU晶振
在IDT，我們認為作為一個行業領導者，我們在解決我們星球上一些最偉大的社會和環境挑戰方面發揮了關鍵作用。IDT致力于通過網站運營和有源晶振產品開發，持續改進作為一個全球性的組織。IDT的創新時機、互連、PMIC和無線電力解決方案使客戶能夠開發具有創新功能、改進性能和延長電池壽命的移動和個人電子產品。
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IDT晶振,5032晶振,XU晶振.5032mm體積的石英晶體振蕩器有源晶振,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應自動高速貼片機自動焊接,及IR回流焊接（無鉛對應）,為無鉛產品,超小型,質地輕.產品被廣泛應用到集成電路,程控交換系統,無線發射基站.
石英晶振頻率穩定度：關鍵參數，我們的高端貼片晶振可以達到10-9級別。指在規定的工作溫度范圍內，與標稱頻率允許的偏差，用PPm（百萬分之一）表示。一般來說，晶振穩定度越高或溫度范圍越寬，價格越高。對于頻率穩定度要求±20ppm或以上的應用，可使用普通無補償的石英晶體振蕩器。
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IDT晶振	標示	XU晶振	晶振基本信息對照表
標準范圍	f0	0.016MHz～1500MHz
電源電圧	Vcc	+1.8V、＋2.5V、＋3.3V
輸出電流	Icc	3.5 mA max.	Vcc=3.3V
頻率負載	L_CMOS	15pF	CMOS 出力
標準頻率偏差	f_tol	±25、±50、±100×10-6 max.	初期偏差、周波數溫度特性、電源、負荷変動特性、経時変化(1年、＋25℃時)
輸出電壓	V	VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max.
對稱	SYM	40%～60%	50% Vcc
標準時間	tr/tf	12 ns max.(1.8～80MHz)	10%Vcc～90%、L_CMOS=15pF

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XUH 5032 HCMOS

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機械振動的影響
當晶振產品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時，比如：壓電揚聲器，壓電蜂鳴器，以及喇叭等，輸出頻率和幅度會受到影響。這種現象對通信器材通信質量有影響。盡管石英晶體振蕩器產品設計可最小化這種機械振動的影響，我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作。IDT晶振,5032晶振,XU晶振
PCB設計指導
(1) 理想情況下，機械蜂鳴器應安裝在一個獨立于進口晶振器件的PCB板上。如果您安裝在同一個PCB板上，最好使用余量或切割PCB。當應用于PCB板本身或PCB板體內部時，機械振動程度有所不同。建議遵照內部板體特性。
(2) 在設計時請參考相應的推薦封裝。
(3) 在使用焊料助焊劑時，按JIS標準(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。
(4) 請按JIS標準(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。
存儲事項
(1)在更高或更低溫度或高濕度環境下長時間保存進口晶體振蕩器產品時，會影響頻率穩定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環境下保存這些晶體產品，并在開封后盡可能進行安裝，以免長期儲藏。 5032普通晶體振蕩器,低電壓有源晶振,XU晶振
正常溫度和濕度：
溫度：+15°C 至 +35°C，濕度 25 % RH 至 85 % RH（請參閱“測試點JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標準條件”章節內容）。
(2)請仔細處理內外盒與卷帶。外部壓力會導致卷帶受到損壞。

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1、振蕩電路
5032晶振是有源元件，因此不會受到電源電壓、環境溫度、電路的影響。
配置、電路常數和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和
異常運行。因此，在振蕩電路的設計中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。
晶體諧振器的振動安全穩定。只有在做出了這個決定之后，后續的項目，例如
討論了頻率精度、頻率變化、調制度、振蕩起始時間和振蕩波形。5032普通晶體振蕩器,低電壓有源晶振,XU晶振
2。角色的分量與參考值
在5032M有源晶振振蕩電路的設計中，必須認識到個體的作用。
組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來描述角色。
（圖1）使用一個通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。
當反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時，如圖所示
表1，即使在振蕩功率作用下，諧振器也不會啟動振蕩。
電路。除非有適當值的電阻器連接，否則振蕩不會啟動。

晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。
振蕩開始代替。在基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在
泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個范圍內。
K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個電阻10米或更?。

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限制流入諧振器的電流，調節負電阻和勵磁。
電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動。
C1、C2電容器調節負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有
給定負載能力。IDT晶振,5032晶振,XU晶振
適當的控制電阻值（RD）取決于諧振器的類型，頻帶和設備的價值。
電容器（C1，C2）。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的（包括
負電阻和驅動級）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個范圍內。
?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。
安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和
振蕩的順序，在3 pF的范圍內- 33 pF左右，僅供參考。