泰藝晶振,XN晶振,7015晶振,8038晶振
頻率:32.768KHz
尺寸:7.0*1.5*0.5mm,8.0*3.8*2.54mm
1. 晶振,石英晶振,有源晶振,壓控晶振自設計階段至成品完成后之服務即應考察該產(chǎn)品對環(huán)境產(chǎn)生之沖擊,避免使用會造成污染之原物料及制程;對污染之防治應從根源解決問題,以《不產(chǎn)生、不使用》為最高指導原則.
2.若無法避免需產(chǎn)生或使用時,應管制單位產(chǎn)生量及使用量,做持續(xù)性之追蹤管制、改進并制定預防方案或是降低污染量,水電等消耗性(能)資源使用,應從系統(tǒng)研究改善使用效率,以達成節(jié)約能源之目標.
3.公司所有活動皆遵循環(huán)保法規(guī)及承諾,作好SMD晶振綠色設計與生產(chǎn)以及污染預防,減少使用危害環(huán)境的原物料,積極節(jié)約材料資源,降低對整體環(huán)境沖擊的影響,實施相關預防矯正、持續(xù)改善作業(yè),落實與維護環(huán)境保護,響應全球環(huán)保運動.
4.藉由環(huán)境稽核確認環(huán)境改善績效,使公司所有活動過程均能達成環(huán)境目標及標的,并期望透過全體員工共同努力,貢獻愛護地球的一份心力.7.0*1.5mm千赫茲晶體,8038壓電石英諧振器,XN晶振
泰藝石英晶振離子刻蝕調(diào)頻技術(shù):比目前一般使用的真空蒸鍍方式調(diào)頻,主要在產(chǎn)品參數(shù)有以下提升:1.微調(diào)后調(diào)整頻率能控制在±2ppm,一般只能保持在±5ppm;2.產(chǎn)品的激勵功率相關性參數(shù)有大幅提升;3.產(chǎn)品的長期老化率可保證在±3ppm之內(nèi).
泰藝晶振規(guī)格 |
單位 |
XN晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-55°C ~+125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~+85°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
0.1μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±20 × 10-6 (標準), |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±20 × 10-6/-40°C ~+85°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負載電容 |
CL |
9pF、12.5PF |
超出標準說明,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會導致石英晶體諧振器性能受到損害,因此應避免照射。泰藝晶振,XN晶振,7015晶振,8038晶振
化學制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解進口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請勿使用可能導致進口貼片晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無源晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會損壞無源晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。7.0*1.5mm千赫茲晶體,8038壓電石英諧振器,XN晶振
設計振蕩回路的注意事項
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明振蕩晶體單元所需電功率,其計算公式如下:
驅(qū)動能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示小體積貼片晶振單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。7.0*1.5mm千赫茲晶體,8038壓電石英諧振器,XN晶振
2.振蕩補償
除非在8038貼片晶振振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻。
3. 負載電容
如果32.768K手機晶振振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。泰藝晶振,XN晶振,7015晶振,8038晶振
頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設置參考
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
聯(lián)系人:茹紅青
手機:13510569637
電話:0755-27837162
QQ號:657116624
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搜狐公眾號:晶振石英晶振NDK晶振
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JLX-PD
金洛鑫產(chǎn)品系列
PRODUCT LINE
石英晶振
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- KDS晶振
- 愛普生晶振
- NDK晶振
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