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熱門關鍵詞 : 石英晶體諧振器進口晶振精工晶振京瓷晶振西鐵城晶振鴻星晶振石英晶振加高晶振希華晶振NDK晶振村田晶振

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泰藝晶振,XN晶振,7015晶振,8038晶振

頻率:32.768KHz

尺寸:7.0*1.5*0.5mm,8.0*3.8*2.54mm

32.768K時鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體諧振器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
訂購熱線:0755-27837162
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TY-2

泰藝石英晶振公司自公司成立以來,秉持對環(huán)境保護承諾之宣言:『還給后代一個干凈的地球』,所有活動應遵從以下政策:
1. 晶振,石英晶振,有源晶振,壓控晶振自設計階段至成品完成后之服務即應考察該產(chǎn)品對環(huán)境產(chǎn)生之沖擊,避免使用會造成污染之原物料及制程;對污染之防治應從根源解決問題,以《不產(chǎn)生、不使用》為最高指導原則.
2.若無法避免需產(chǎn)生或使用時,應管制單位產(chǎn)生量及使用量,做持續(xù)性之追蹤管制、改進并制定預防方案或是降低污染量,水電等消耗性(能)資源使用,應從系統(tǒng)研究改善使用效率,以達成節(jié)約能源之目標.
3.公司所有活動皆遵循環(huán)保法規(guī)及承諾,作好SMD晶振綠色設計與生產(chǎn)以及污染預防,減少使用危害環(huán)境的原物料,積極節(jié)約材料資源,降低對整體環(huán)境沖擊的影響,實施相關預防矯正、持續(xù)改善作業(yè),落實與維護環(huán)境保護,響應全球環(huán)保運動.
4.藉由環(huán)境稽核確認環(huán)境改善績效,使公司所有活動過程均能達成環(huán)境目標及標的,并期望透過全體員工共同努力,貢獻愛護地球的一份心力.7.0*1.5mm千赫茲晶體,8038壓電石英諧振器,XN晶振

JLX-1

TY-1

泰藝晶振,XN晶振,7015晶振,8038晶振.小型表面貼片晶振型,是標準的石英晶體諧振器,適用于寬溫范圍的電子數(shù)碼產(chǎn)品,智能手機,智能手環(huán),家電電器及MP3,MP4,播放器,單片機等領域.32.768K系列晶振具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性.
泰藝石英晶振離子刻蝕調(diào)頻技術(shù):比目前一般使用的真空蒸鍍方式調(diào)頻,主要在產(chǎn)品參數(shù)有以下提升:1.微調(diào)后調(diào)整頻率能控制在±2ppm,一般只能保持在±5ppm;2.產(chǎn)品的激勵功率相關性參數(shù)有大幅提升;3.產(chǎn)品的長期老化率可保證在±3ppm之內(nèi).

JLX-2

RB-2

泰藝晶振規(guī)格

單位

XN晶振

石英晶振基本條件

標準頻率

f_nom

32.768KHZ

標準頻率

儲存溫度

T_stg

-55°C ~+125°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C ~+85°C

標準溫度

激勵功率

DL

0.1μW Max.

推薦:1μW  100μW

頻率公差

f_— l

±20 × 10-6 (標準),

+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關的信息,http://www.zrwej.cn/

頻率溫度特征

f_tem

±20 × 10-6/-40°C ~+85°C

超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.

負載電容

CL

9pF、12.5PF

超出標準說明,請聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

頻率老化

f_age

±3× 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

JLX-3

RB-3

XN 6914XN 8038

JLX-4

RB-4

抗沖擊
貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會導致石英晶體諧振器性能受到損害,因此應避免照射。泰藝晶振,XN晶振,7015晶振,8038晶振
化學制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解進口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請勿使用可能導致進口貼片晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無源晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會損壞無源晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。7.0*1.5mm千赫茲晶體,8038壓電石英諧振器,XN晶振

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RB-5

設計振蕩回路的注意事項
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明振蕩晶體單元所需電功率,其計算公式如下:
驅(qū)動能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示小體積貼片晶振單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。7.0*1.5mm千赫茲晶體,8038壓電石英諧振器,XN晶振

sjzrhl_1

2.振蕩補償
除非在8038貼片晶振振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻。

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3. 負載電容
如果32.768K手機晶振振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。泰藝晶振,XN晶振,7015晶振,8038晶振

sjzrhl_3

頻率和負載電容特征圖器

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振蕩回路參數(shù)設置參考

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RB-6

wxewm

公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司

聯(lián)系人:茹紅青

手機:13510569637

電話:0755-27837162

QQ號:657116624

微信公眾號:CITIZENCRYSTAL

搜狐公眾號:晶振石英晶振NDK晶振

郵箱:jinluodz@163.com

地址:深圳市寶安區(qū)41區(qū)甲岸路19號

網(wǎng)址:http://www.zrwej.cn/

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JLX-PD

金洛鑫產(chǎn)品系列

PRODUCT LINE

石英晶振
QuartzCrystal

貼片晶振
SMDcrystal

諧振器濾波器
Resonator

溫補晶振
TCXOcrystal

32.768K
32768Kcrystal

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AtomizationPiece

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