IDT晶振,差分晶振,XLL晶振
頻率:0.750MHz~1350.000MHz
尺寸:5.0*3.2*1.1mm
IDT為高性能的網絡通信應用提供了廣泛的解決方案。IDT領先的串行RapidIO®,PCI Express®,電源管理,和先進的時機解決方案包括網絡同步產品超越競爭,使客戶開發最先進的系統。IDT積極提高產品和包裝,以產生最快、最可靠的設備。然而,由于IDT晶振產品性能往往受到其實現的影響,因此建議仔細考慮影響設備運行溫度的因素,以達到最好的效果。
在IDT,我們認為作為一個行業領導者,我們在解決我們星球上一些最偉大的社會和環境挑戰方面發揮了關鍵作用。IDT致力于通過網站運營和產品開發,持續改進作為一個全球性的組織。IDT是為4G、5G和云計算等無線基礎設施應用而設計的高性能的領先創新者。解決方案包括行業領先的射頻信號鏈產品,串行RapidIO®,和先進的時機。5032差分晶體振蕩器,LVDS輸出晶振,XLL晶振
IDT晶振,差分晶振,XLL晶振.是5.0*3.2*1.1mm的LVDS晶體振蕩器,具有超過12kHz至20 MHz帶寬的0.89ps典型相位抖動。在寬頻率范圍為0.750MHz至1350MHz的情況下,IDT XLL系列晶體振蕩器采用一系列專有ASIC,主要關注降噪技術。三階Delta Sigma調制器將噪聲降低到與傳統 散裝石英和SAW振蕩器。交貨期短,成本低,噪音低,頻率范圍寬,環境性能優異,XLL是傳統技術的絕佳選擇。 XLL具有±20ppm的穩定性,標準和定制頻率的交付極快。
IDT晶振 |
標示 |
XLL晶振 |
晶振基本信息對照表 |
標準范圍 |
f0 |
0.750MHz~1350MHz |
|
電源電圧 |
Vcc |
+2.5V、+2.8V、+3.3V |
|
輸出電流 |
Icc |
3.5 mA max. |
Vcc=3.3V |
頻率負載 |
L_CMOS |
15pF |
CMOS 出力 |
標準頻率偏差 |
f_tol |
±25、±25、±50、±100×10-6 max.
|
初期偏差、 |
輸出電壓 |
V |
VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max. |
|
對稱 |
SYM |
40%~60% |
50% Vcc |
標準時間 |
tr/tf |
12 ns max.(1.8~80MHz) |
10%Vcc~90%、L_CMOS=15pF |
抗沖擊
貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到沖擊。如果產品已受過沖擊請勿使用。IDT晶振,差分晶振,XLL晶振
輻射
暴露于輻射環境會導致差分振蕩器性能受到損害,因此應避免照射。
化學制劑 / pH值環境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解進口晶振或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品。
粘合劑
請勿使用可能導致SMD晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能。)
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環境下使用有源晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。5032差分晶體振蕩器,LVDS輸出晶振,XLL晶振
靜電
過高的靜電可能會損壞差分石英晶體振蕩器,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。
設計振蕩回路的注意事項
1.驅動能力
驅動能力說明5032貼片晶振單元所需電功率,其計算公式如下:
驅動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。5032差分晶體振蕩器,LVDS輸出晶振,XLL晶振
2.振蕩補償
除非在LVDS晶振振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發生振蕩。為避免該情況發生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻。
3. 負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致差分石英晶振振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。IDT晶振,差分晶振,XLL晶振
頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數設置參考
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聯系人:茹紅青
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