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EPSON晶體,有源晶振,SG2016CAN晶振,X1G0048010002晶振
頻率：1.2~75MHZ
尺寸：2.0*1.6mm
EPSON愛普生公司成立于1942年5月,總部位于日本長野縣諏訪市,是數(shù)碼映像領(lǐng)域的全球領(lǐng)先企業(yè).愛普生集團(tuán)通過富有創(chuàng)新和創(chuàng)造力的文化,提升企業(yè)價值,致力于為客戶提供數(shù)碼影像創(chuàng)新技術(shù)和解決方案.愛普生拓優(yōu)科夢是一家專業(yè)從事晶體元件的廠商,愛普生拓優(yōu)科夢（Epson — yocom）運(yùn)用長年積累的培育人工貼片晶振以及以加工為代表的、實現(xiàn)精微化、高精度、高品質(zhì)的綜合技術(shù),提出“3D戰(zhàn)略”究極應(yīng)用石英特性而制造的三大元器件:定時元器件、傳感元器件、光學(xué)元器件,并創(chuàng)出將其復(fù)合而成的模塊,為成為不可缺少的企業(yè)而邁進(jìn)至今.
伴隨信息化社會的進(jìn)程,現(xiàn)在壓電石英晶體元器件已被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備以及家電產(chǎn)品之中,日趨重要. 愛普生拓優(yōu)科夢（Epson — yocom）將進(jìn)一步究極用精微加工發(fā)揮“石英”材料的優(yōu)越性能的“QMEMS”技術(shù),創(chuàng)造出更小、更高性能或全新功能的元器件;同時,融合愛普生集團(tuán)的半導(dǎo)體與軟件技術(shù)增添便于使用、能讓顧客更體驗到利用價值的“解決方案”.通過上述工作,我們將為社會的發(fā)展以及實現(xiàn)更舒暢的未來而竭誠奉獻(xiàn).
EPSON晶體,有源晶振,SG2016CAN晶振,X1G0048010002晶振,晶振高精密點膠技術(shù)：石英晶振晶片膠點的位置、大小：位置準(zhǔn)確度以及膠點大小一致性，通過圖像識別及高精密度數(shù)字定位系統(tǒng)的運(yùn)用、使石英晶振晶片的點膠的精度在±0.02mm之內(nèi)。將被上銀電極的晶片裝在彈簧支架上，點上導(dǎo)電膠，并高溫固化，通過彈簧即可引出電信號。
小型貼片振蕩器,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,貼片高速自動安裝和高溫回流焊設(shè)計,Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和各式IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.
|
愛普生晶振規(guī)格 |
SG2016CAN晶振 |
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驅(qū)動輸出 |
CMOS |
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常用頻率 |
1.2~75MHZ |
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工作電壓 |
+1.6~+3.63V （代表値） |
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靜態(tài)電流 |
（工作時）+1.2 mA max. (F≦15MHz) +1.4 mA max. (15＜F≦26MHｚ） |
|
TCXO輸出電壓 |
0.8Vp-p min. |
|
TCXO輸出負(fù)載 |
（10kΩ//10pF) ±10％ |
|
常規(guī)溫度偏差 |
±20/30/50×10-6 (After 2 reflows) |
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頻率溫度偏差 |
±30×10-6/-40℃～+85℃ |
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±50×10-6/-55℃～+125℃（オプション） |
愛普生日產(chǎn)有源兆赫茲晶振型號列表：
愛普生日產(chǎn)有源兆赫茲晶振編碼列表：
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
SG-210SEBA
33.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 1.6 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
SG-210SEBA
16.666600 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 1.6 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG-210SEBA
14.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 2.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
SG-210SEBA
37.125000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 2.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
SG2016CAN
24.000000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.70 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 2.2 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG2016CAN
25.000000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.70 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 2.2 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG2016CAN
16.000000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.70 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 1.8 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG2016CAN
74.250000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.70 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 3.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
Product Number
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
X1G004611A013
SG-210SEBA
33.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 1.6 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
X1G004611A014
SG-210SEBA
16.666600 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 1.6 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G004611A016
SG-210SEBA
14.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 2.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
X1G004611A017
SG-210SEBA
37.125000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 2.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
X1G0048010002
SG2016CAN
24.000000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.70 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 2.2 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G0048010012
SG2016CAN
25.000000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.70 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 2.2 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G0048010014
SG2016CAN
16.000000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.70 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 1.8 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G0048010016
SG2016CAN
74.250000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.70 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 3.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
石英貼片晶振自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請設(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時,請重新檢查安裝條件。同時,在安裝前后,請確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。EPSON晶體,有源晶振,SG2016CAN晶振,X1G0048010002晶振
每個封裝類型的注意事項所有石英晶體振蕩器和實時時鐘模塊都以IC形式提供。噪音:在電源或輸入端上施加執(zhí)行級別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導(dǎo)致會引發(fā)功能失常或擊穿的閉門或雜散現(xiàn)象。電源線路:電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低。輸出負(fù)載:建議將石英晶振輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方（在20 mm范圍之間）。未用輸入終端的處理:未用針腳可能會引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作。
同時,當(dāng)P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加；因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND。熱影響:重復(fù)的溫度巨大變化可能會降低受損害的進(jìn)口石英晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。安裝方向:振蕩器的不正確安裝會導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確。通電:不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導(dǎo)致無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）.振蕩補(bǔ)償:除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會增加振蕩啟動時間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請在電路設(shè)計時提供足夠的負(fù)極電阻。EPSON晶體,有源晶振,SG2016CAN晶振,X1G0048010002晶振
驅(qū)動能力:驅(qū)動能力說明SPXO振蕩器振蕩晶體單元所需電功率，其計算公式如下：驅(qū)動能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流.
振蕩電路:晶體諧振器是無源元件，因此受到小體積貼片晶振電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和異常運(yùn)行。因此，在振蕩電路的設(shè)計中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動安全穩(wěn)定。只有在做出了這個決定之后，后續(xù)的項目，例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時間和振蕩波形。
角色的分量與參考值:在貼片金屬面晶振振蕩電路的設(shè)計中，必須認(rèn)識到個體的作用。組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來描述角色。（圖1）使用一個通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。當(dāng)反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時，如圖所示表1，即使在振蕩功率作用下，諧振器也不會啟動振蕩。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接，否則振蕩不會啟動。
公司名：深圳市金洛鑫電子有限公司
聯(lián)系人：茹紅青
手機(jī)：13510569637
電話：0755-27837162
QQ號：657116624
微信公眾號：CITIZENCRYSTAL
搜狐公眾號：晶振石英晶振NDK晶振
郵箱：jinluodz@163.com
地址：深圳市寶安區(qū)41區(qū)甲岸路19號
網(wǎng)址：http://www.zrwej.cn/
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