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愛普生晶振,差分晶振,SG5032VAN晶振,X1G0042610001晶振

頻率：100.000MHz

尺寸：5.0*3.2*1.0mm

差分晶振的使用特點在于能夠從50MHZ頻率做到700MHZ的高頻點.特別是“SAW單元很低的抖動振蕩器”能達到聲表面波等要求值,簡稱為“低抖動振蕩器”.此款晶振電源電壓相較于之前能夠做到2.5V~3.3V之間,其工作溫度以及儲存溫度范圍超過了普通晶振,達到了-45°~+100°的溫度范圍.

訂購熱線：0755-27837162

晶振技術參數點擊下載

愛普生株式會社愛普生拓優科夢,（EPSON — YOCOM）1942年成立時是精工集團的第三家手表制造公司,以石英手表起家的愛普生公司到后續的生產石英晶體振蕩器,1996年2月在中國蘇州投資建廠,在當時員工人數就達2000人,總投資4.055億美元,公司占地200畝,現已經是世界500強企業.
愛普生以提供原子鐘的時鐘晶體知名業界。在電子部件幅員中,2008年石英振蕩器(包括Cystral和OSC)的市場規模僅約為半導體(約2600億美元)的2%(約50億美元)不到,算是利基市場,也因此身為其間的指導廠商,EPSON(Epson Toyocom的營業額高達800億日圓)最大的希望是要讓石英部件產業更上一層樓;并期許自身的目的是要從Leading No.1增長到Unique1。愛普生晶振,差分晶振,SG5032VAN晶振,X1G0042610001晶振

愛普生晶振,差分晶振,SG5032VAN晶振,X1G0042610001晶振.差分晶振具有低電平,低功耗等功能,低電流電壓可達到低值1V, 工作電壓在2.5V-3.3V,低抖動差分晶振是目前行業中具有高要求,高技術的石英晶體振蕩器,差分晶振相位低,低損耗等特點, 差分晶振的頻率相對都比較高,差分貼片晶體振蕩器使用于產品中能夠很容易地識別小信號,能夠從容精確地處理'雙極'信號,對外部電磁干擾（EMI）是高度免疫的.
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術：是愛普生晶振目前研發及生產高精度、高穩定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關鍵技術之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設計等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內。

愛普生晶振	標示	SG5032VAN晶振	晶振基本信息對照表
標準范圍	f0	73.500MHz~700.000MHz
電源電圧	Vcc	＋2.5V~＋3.3V
輸出電流	Icc	3.5mA max.	Vcc=3.3V
頻率負載	L_CMOS	15pF
標準頻率偏差	f_tol	±20、30、50×10-6 max.	初期偏差、周波數溫度特性、電源、負荷変動特性、経時変化(1年、＋25℃時)
輸出電壓	V	VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max.
對稱	SYM	40%～60%	50% Vcc
標準時間	tr/tf	12ns max.(1.8～80MHz)	10%Vcc～90%

X1G0042610001晶振系列原廠編碼規格表：

Product Number

Model

Frequency

LxWxH

Output Wave

Ope Temperature

Freq. Tol.

I [Max]

25°C Aging

Symmetry

X1G0042610001

SG5032VAN

100.000000 MHz

5.00 x 3.20 x 1.20 mm

LVDS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 30.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

X1G0042610002

SG5032VAN

125.000000 MHz

5.00 x 3.20 x 1.20 mm

LVDS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 30.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

X1G0042610003

SG5032VAN

125.006250 MHz

5.00 x 3.20 x 1.20 mm

LVDS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 30.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

X1G0042610005

SG5032VAN

200.000000 MHz

5.00 x 3.20 x 1.20 mm

LVDS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 30.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

X1G0042610006

SG5032VAN

156.250000 MHz

5.00 x 3.20 x 1.20 mm

LVDS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 30.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

X1G0042610007

SG5032VAN

400.000000 MHz

5.00 x 3.20 x 1.20 mm

LVDS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 30.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

X1G0042610008

SG5032VAN

106.250000 MHz

5.00 x 3.20 x 1.20 mm

LVDS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 30.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

X1G0042610009

SG5032VAN

212.500000 MHz

5.00 x 3.20 x 1.20 mm

LVDS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 30.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

X1G0042610010

SG5032VAN

74.250000 MHz

5.00 x 3.20 x 1.20 mm

LVDS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 30.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

X1G0042610011

SG5032VAN

148.500000 MHz

5.00 x 3.20 x 1.20 mm

LVDS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 30.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

X1G0042610012

SG5032VAN

75.000000 MHz

5.00 x 3.20 x 1.20 mm

LVDS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 30.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

X1G0042610013

SG5032VAN

150.000000 MHz

5.00 x 3.20 x 1.20 mm

LVDS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 30.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

愛普生SG5032VAN晶振同類型型號表：

抗沖擊
貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到沖擊。如果產品已受過沖擊請勿使用。
輻射
暴露于輻射環境會導致六腳石英晶振性能受到損害，因此應避免照射。
化學制劑/pH值環境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解進口晶振或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品。
粘合劑
請勿使用可能導致5032貼片晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質量，降低性能。）
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環境下使用無源晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內，都可能產生腐蝕。同時，請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會損壞六腳貼片5032晶振，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進行接地操作。

晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個范圍內。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個電阻10米。限制流入諧振器的電流，調節負電阻和勵磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動。C1、C2電容器調節負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有給定負載能力。愛普生晶振,差分晶振,SG5032VAN晶振,X1G0042610001晶振
適當的控制電阻值（RD）取決于差分石英晶振的類型，頻帶和設備的價值。電容器（C1，C2）。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的（包括負電阻和驅動級）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個范圍內。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K。安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3pF的范圍內-33pF左右，僅供參考。