愛普生晶振,溫補晶振,TG-5006CE晶振,X1G0042010025晶振
頻率:32.000MHz
尺寸:3.2*2.5*0.9mm
小體積貼片3225mm晶振,外觀小型,表面貼片型有源貼片晶振,因本身體積小等優勢,適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領域.小型,薄型,輕型(2.5 × 2.0 × 0.5 mm typ.)具備優良的耐環境特性及高耐熱性強.滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
愛普生拓優科夢是一家專業從事晶體元件的廠商,愛普生拓優科夢(Epson — yocom)運用長年積累的培育人工石英貼片晶振以及以加工為代表的、實現精微化、高精度、高品質的綜合技術,提出“3D戰略”究極應用石英特性而制造的三大元器件:石英晶體諧振器、傳感元器件、光學元器件,并創出將其復合而成的模塊,為成為不可缺少的企業而邁進至今.愛普生拓優科夢把半導體(IC)稱之為“產業之米”,并認為晶體元器件更是離不開的“產業之鹽”.將進一步致力于小型、高穩定、高精度晶體元器件的開發,為現有的應用程序以及生活新藍圖開拓廣闊前景.
40多年前為支持SEIKO(精工)手表而成立的Epson石英部件部門強在PC、NB、手機及消費電子等運用上,市占率高達七八成,其中又以32.768K晶振稱霸業界。愛普生以提供原子鐘的精準振蕩器知名業界。1996年2月在中國蘇州投資建廠,在當時員工人數就達2000人,總投資4.055億美元,公司占地200畝,現已經是世界500強企業.
愛普生晶振,溫補晶振,TG-5006CE晶振,X1G0042010025晶振.接縫密封溫度補償型石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5 V,高穩定性,低抖動,低功耗,主要應用領域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本WLAN,藍牙,數碼相機,DSL和其他IT產品的晶振應用,三態功能,PC和LCDM等高端數碼領域,符合RoHS/無鉛.
石英晶振高精度晶片的拋光技術:溫補晶振是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術,最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作。使用先進的牛頓環及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態。愛普生晶振,溫補晶振,TG-5006CE晶振,X1G0042010025晶振
溫補晶振規格 |
TG-5006CE晶振 |
溫補晶振頻率 |
13.000MHz~52.000MHz |
常用標準頻率 |
16.3676/ 16.368/ 16.369/ 16.8/19.2/ 38.4/ 20/ 26MHz |
工作電壓 |
+1.8V~+3.3V (代表値) |
靜態電流 |
(工作時)+1.2 mA max. (F≦15MHz) +1.4 mA max. (15<F≦26MHz) |
TCXO輸出電壓 |
0.8Vp-p min. |
TCXO輸出負載 |
(10kΩ//10pF) ±10% |
常規溫度偏差 |
±2.0×10-6 (After 2 reflows) |
頻率溫度偏差 |
±0.5×10-6/-30℃~+85℃ |
±2.0×10-6/-40℃~+85℃(オプション) |
TG-5006CE晶振系列原廠編碼:
|
Model |
|
LxWxH | Output Wave | F.Tol@25°C | Ope Temperature |
|
I [Max] | Freq. Control | 25°C Aging | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0042010006 | TG-5006CE | 16.367667 MHz | 3.20 x 2.50 x 0.90 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-1ppm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0042010008 | TG-5006CE | 16.369000 MHz | 3.20 x 2.50 x 0.90 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-1ppm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0042010010 | TG-5006CE | 26.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 0.90 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-1ppm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0042010013 | TG-5006CE | 16.367667 MHz | 3.20 x 2.50 x 0.90 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-2.00 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-1ppm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0042010017 | TG-5006CE | 26.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 0.90 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 2.0 mA | +/-1ppm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0042010020 | TG-5006CE | 26.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 0.90 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-2.00 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-9 to +/-15 Vc=0.4 to 2.4V | +/-1ppm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0042010023 | TG-5006CE | 26.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 0.90 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-8 to +/-15 Vc=0.4 to 2.4V | +/-1ppm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0042010025 | TG-5006CE | 32.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 0.90 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 2.0 mA | +/-1ppm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0042010026 | TG-5006CE | 26.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 0.90 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-8 to +/-14 Vc=0.5 to 2.5V | +/-1ppm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0042010032 | TG-5006CE | 20.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 0.90 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-2.00 ppm | ≤ 2.0 mA | +/-1ppm |

輸出頻率和輸出電平
測量輸出頻率或輸出電平時一個晶體振蕩器,調整輸入阻抗測量儀器對3225溫補振蕩器的負載阻抗振蕩器。當測量儀器的輸入阻抗為不同于晶體振蕩器的負載阻抗,用高電平測量輸出頻率或輸出電平阻抗使測量側的阻抗可以忽略。
機械處理
1.沖擊
不要對溫補晶體振蕩器施加任何強烈沖擊。攜帶振蕩器或將其安裝在另一個振蕩器上時設備,保護設備免受任何沖擊,小心不要放下它或用堅硬的物體擊打它。強烈沖擊可能會導致可能會損壞晶體振蕩器內部的部件導致振蕩器無法工作。如果振蕩器受到強烈沖擊,請確保在使用之前檢查其特性。
2.安裝引線安裝晶體振蕩器
不要對端子施加過大的力安裝進口TCXO溫補晶振的螺絲。將晶體振蕩器安裝在印刷電路板上時,請對齊安裝孔之間的距離終端。如果強制安裝振蕩器和這些距離彼此不同,終端可以是破損。不要彎曲直徑為0.6mm或以下的密封端子更多。即使需要彎曲直徑的端子0.6毫米或更小,不要直接彎曲它們密封底座,以保護密封玻璃。如果玻璃破裂,可能會有氣密密封和絕緣受影響的單位可能無法交付規定的特點。
當一個非密封晶體振蕩器(與其產品安裝有用于頻率校正的孔的盒子,小心防止助焊劑進入孔中,因為可移動元件,如可變電容器和可變電阻器位于孔的內側。將端子焊接在260°C(溫度為20°C)終端)最多五秒鐘。不要焊接端子直接連接到蓋子或底座。
愛普生溫補晶振系列型號表:
模型 | 功能 |
尺寸 [mm] |
輸出 頻率 范圍 [MHz] |
頻率容差 [x10 ^ -6] @ + 25°C |
頻率容差/工作溫度 [x10 ^ -6] @ + 25°C |
輸出 波 |
供電電壓 [V] |
新 TG2016SMN |
TCXO或 VC-TCXO |
2.0x1.6 x0.73 |
10至55 標準頻率 19.2MHz 26.0MHz 38.4MHz |
+/- 1.5 |
+/- 0.5 / -40至+85 +/- 2.0 / -40至+85 |
削峰 正弦波 波 |
1.7 至 3.63 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
新 TG2520SMN |
TCXO或 VC-TCXO |
2.5x2.0 x0.8 |
10至55 標準頻率 19.2MHz 26.0MHz 38.4MHz |
+/- 1.5 |
+/- 0.5 / -40至+85 +/- 2.0 / -40至+85 |
削峰 正弦波 波 |
1.7 至 3.63 |
TG-5006CE |
TCXO或 VC-TCXO |
3.2x2.5 x0.9 |
13至20 25至40 |
+/- 2 |
+/- 0.5 / -30至+85 +/- 2 / -30至+85 |
削峰 正弦波 波 |
1.7 至 3.63 |
TG2520CEN |
TCXO VC-TCXO |
2.5x20 x0.8,更能體現 |
12至50歲 | +/- 2 |
+/- 2 / -40到+85 |
CMOS |
2.375 至 3.63 |
TG3225CEN |
TCXO或 VC-TCXO |
3.2x2.5 x0.9 |
12至50歲 | +/- 2 |
+/- 2 / -40到+85 |
CMOS |
2.375 至 3.63 |
TG5032CGN |
TCXO VC-TCXO (適用于網絡系統) |
5.0x3.2 x1.45 (10針) |
10到40 | +/- 1 |
+/- 0.1 / -40至+85 +/- 0.25 / -40至+85 +/- 0.28 / -40至+85 |
CMOS |
3.3 Typ。 (2.375至3.63) |
驅動能力:驅動能力說明溫補晶體振蕩器單元所需電功率,其計算公式如下:驅動能力 (P) = i2_Re其中i表示經過晶體單元的電流,Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
工控晶振測試條件:(1) 電源電壓? 超過 150µs,直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他 輸入電容低于 15 pF, 5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量頻率時,探頭阻抗將高于1MΩ。當波形經過石英晶體振蕩器的放大器時,可同時進行測量。(3) 其他? CL包含探頭電容。 應使用帶有小的內部阻抗的電表。使用微型插槽,以觀察波形。(請勿使用該探頭的長接地線)
振蕩電路:石英晶體振蕩器是無源元件,因此受到電源電壓、環境溫度、電路的影響。配置、電路常數和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和異常運行。因此,在振蕩電路的設計中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動安全穩定。只有在做出了這個決定之后,后續的項目,例如討論了頻率精度、頻率變化、調制度、振蕩起始時間和振蕩波形。
角色的分量與參考值:在振蕩電路的設計中,必須認識到個體的作用。組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來描述角色。(圖1)使用一個通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。當反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時,如圖所示表1,即使在振蕩功率作用下,諧振器也不會啟動振蕩。電路。除非有適當值的電阻器連接,否則振蕩不會啟動。晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。愛普生晶振,溫補晶振,TG-5006CE晶振,X1G0042010025晶振
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
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