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EPSON晶體,有源晶振,SG-210SCH晶振,X1G0039310001晶振

頻率:80~170MHZ

尺寸:2.5*2.0mm

小型貼片有源晶振,體積的變小也使產品帶來了更高的穩定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,貼片高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5 V,高穩定性,低抖動,低功耗,主要應用領域:無線通訊,智能手機,平板筆記本WLAN,藍牙,數碼相機,DSL和各式IT產品的晶振應用,三態功能,PC和LCDM等數碼領域,符合RoHS/無鉛.
訂購熱線:0755-27837162
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       在2010年全球晶振廠家排名中,占據首位.愛普生僅此一項水晶振動子行業就能足矣讓電子世界的人都敬佩不已.愛普生晶振以32.768KHZ晶振稱霸晶振行業,主要消費在手機,PCB,等電子產品.同時愛普生以提供原子鐘的精準振蕩器知名業界.僅此在音叉振子和振蕩器還遠遠達不到愛普生本身的要求.他們要求的是在元器件占領NO1.

       因此除了KHZ,MHZ的研究發展,另外還發明GHZ技術,使工藝技術達到人無完人,史前無例,實現以基波方式產生2.5GHz為止高頻的表面聲波(SAW)元器件.愛普生拓優科夢把半導體(IC)稱之為“產業之米”,并認為貼片晶振元器件更是離不開的“產業之鹽”.將進一步致力于小型、高穩定、高精度晶體元器件的開發,為現有的應用程序以及生活新藍圖開拓廣闊前景.  愛普生晶振在KHZ,MHZ,以及GHZ上都有重大突破,使得愛普生拓優科夢的晶振元器件已以23%的市場占有率位于業界第一.

      EPSON晶體,有源晶振,SG-210SCH晶振,X1G0039310001晶振,石英晶振高精度晶片的拋光技術:貼片晶振是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術,最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作。使用先進的牛頓環及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態。

      2520mm體積的晶振,可以說是目前小型數碼產品的福音,目前超小型的智能手機里面所應用的就是小型的2520晶振,該產品最適用于無線通訊系統,無線局域網,已實現低相位噪聲,低電壓,低消費電流和高穩定度,超小型,質量輕等產品特點,產品本身編帶包裝方式,可對應自動高速貼片機應用,以及高溫回流焊接(產品無鉛對應),為無鉛產品.

愛普生晶振規格

SG-210SCH晶振

驅動輸出

CMOS

常用頻率

80~170MHZ

工作電壓

+3.3V(代表値) 
電源電圧は+1.7V+3.3V範囲の任意の電圧で動作可能

靜態電流

(工作時)+1.2 mA max. (F15MHz) +1.4 mA max. (15F26MHz) 
+1.6 mA max. (F26MHz)(スタンバイ時)+1μA以下

TCXO輸出電壓

0.8Vp-p min.

TCXO輸出負載

10kΩ//10pF) ±10

常規溫度偏差

±20/30/50×10-6 (After 2 reflows)

頻率溫度偏差

±30×10-6/-40℃~+85

±50×10-6/-55℃~+125℃(オプション)

愛普生日產有源兆赫茲晶振型號列表:

Rearranges Rearranges Rearranges
Model
Frequency LxWxH Rearranges
Output Wave
Rearranges,Rearranges
Ope Temperature
Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges
Freq. Tol.
I [Max] 25°C Aging Aging2 Symmetry
SG-211SEE 25.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS -40 to 90 °C +/-15 ppm ≤ 2.3 mA Included in Frequency tolerance First year 45 to 55 %
SG-211SEE 19.200000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS -20 to 70 °C +/-20 ppm ≤ 2.3 mA Included in Frequency tolerance First year 45 to 55 %
SG-211SEE 37.125000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS -40 to 85 °C +/-20 ppm ≤ 2.8 mA Included in Frequency tolerance First year 45 to 55 %
SG-211SEE 27.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS -20 to 70 °C +/-15 ppm ≤ 2.3 mA Included in Frequency tolerance First year 45 to 55 %
SG-210SCH 100.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 9.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
SG-210SCH 125.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 9.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
SG-210SCH 100.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -20 to 70 °C +/-50 ppm ≤ 9.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
SG-210SCH 125.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -20 to 70 °C +/-50 ppm ≤ 9.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
愛普生日產有源兆赫茲晶振編碼列表:

Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges
Product Number
Model Frequency LxWxH Rearranges
Output Wave
Rearranges,Rearranges
Ope Temperature
Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges
Freq. Tol.
I [Max] 25°C Aging Aging2 Symmetry
X1G0036410042 SG-211SEE 25.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS -40 to 90 °C +/-15 ppm ≤ 2.3 mA Included in Frequency tolerance First year 45 to 55 %
X1G0036410043 SG-211SEE 19.200000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS -20 to 70 °C +/-20 ppm ≤ 2.3 mA Included in Frequency tolerance First year 45 to 55 %
X1G0036410044 SG-211SEE 37.125000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS -40 to 85 °C +/-20 ppm ≤ 2.8 mA Included in Frequency tolerance First year 45 to 55 %
X1G0036410045 SG-211SEE 27.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS -20 to 70 °C +/-15 ppm ≤ 2.3 mA Included in Frequency tolerance First year 45 to 55 %
X1G0039310001 SG-210SCH 100.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 9.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0039310004 SG-210SCH 125.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 9.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0039310009 SG-210SCH 100.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -20 to 70 °C +/-50 ppm ≤ 9.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0039310011 SG-210SCH 125.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -20 to 70 °C +/-50 ppm ≤ 9.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %

SG-211SEE SDE SCE 2520 COMS

      存儲事項:(1) 在更高或更低溫度或高濕度環境下長時間保存進口晶振時,會影響頻率穩定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環境下保存這些石英晶振產品,并在開封后盡可能進行安裝,以免長期儲藏。 正常溫度和濕度: 溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請仔細處理內外盒與卷帶。外部壓力會導致卷帶受到損壞。

      機械振動的影響:當日產晶振產品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如:壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響。這種現象對通信器材通信質量有影響。盡管晶振產品設計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作。 

      PCB設計指導:(1) 理想情況下,機械蜂鳴器應安裝在一個獨立于晶體振蕩器器件的PCB板上。如果您安裝在同一個PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當應用于PCB板本身或PCB板體內部時,機械振動程度有所不同。建議遵照內部板體特性。(2) 在設計時請參考相應的推薦封裝。(3) 在使用焊料助焊劑時,按JIS標準(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。(4) 請按JIS標準(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。 

           振蕩補償:除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發生振蕩。為避免該情況發生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻。EPSON晶體,有源晶振,SG-210SCH晶振,X1G0039310001晶振

20181212163930

       測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs,直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量SPXO晶體振蕩器頻率時,探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過振蕩器的放大器時,可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應使用帶有小的內部阻抗的電表。使用微型插槽,以觀察波形。(請勿使用該探頭的長接地線).

20181212163902

        晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在進口石英晶振基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個范圍內。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流,調節負電阻和勵磁。電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動。C1、C2電容器調節負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有給定負載能力。

       適當的控制電阻值(RD)取決于諧振器的類型,頻帶和設備的價值。電容器(C1,C2)。精確值是通過四腳有源貼片晶振測量振蕩電路的特性來確定的(包括負電阻和驅動級)。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個范圍內。?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序,在3 pF的范圍內- 33 pF左右,僅供參考。


20181212163842

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