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EPSON晶體,有源晶振,SG-211SEE晶振,X1G0036410002晶振

頻率：2.375~60MHZ

尺寸：2.5*2.0mm

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊盤（無鉛對應）產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.

訂購熱線：0755-27837162

日本精工愛普生接受了中國蘇州政府2007 年的招商引資,命名為【愛普生拓優科夢水晶元器件（蘇州）有限公司】愛普生拓優科夢（Epson Toyocom）是精工愛普生株式會社與愛普生（中國）有限公司共同投資成立的有限責任公司（外商合資）.目前注冊資本2500萬美金.現員工人數:1500人.主要從事壓電石英晶振系列產品的生產,投資初期主要生產32.768KHZ系列產品,從2009年起32.768K系列產品轉向馬來西亞量產.蘇州愛普生工廠就以生產高端的石英晶體振蕩器為主,普通石英晶體諧振器為輔.

愛普生品牌系列千赫子的貼片晶振,目前占據了中國市場進口晶振25％的份額,品牌質量,貨期,品種,品質是廣大用戶有目共睹,從MC-146晶振最早期從MP4,MP3收音機模塊啟用開始,在到國內外各大知名品牌手機,最后應用到國內山寨手機市場,幾乎占據80％的手機行業晶振類別,產品本身特點是體積小,耐高溫,穩定性能高,排帶包裝,應用自動貼片方便.愛普生晶振小體積SMD時鐘晶體諧振器,是貼片音叉晶體,千赫頻率元件,應用于時鐘模塊,智能手機,全球定位系統,因產品本身體積小,SMD編帶型,可應用于高性能自動貼片焊接,被廣泛應用到各種小巧的便攜式消費電子數碼時間產品,環保性能符合ROHS/無鉛標準.

EPSON晶體,有源晶振,SG-211SEE晶振,X1G0036410002晶振,石英晶振產品電極的設計：石英晶振產品的電極對于石英晶體元器件來講作用是1.改變頻率；2.往外界引出電極；3.改變電阻；4.抑制雜波。第1、2、3項相對簡單，第4項的設計很關鍵，電極的形狀、尺寸、厚度以及電極的種類(如金、銀等)都會導致第4項的變化。特別是隨著晶振的晶片尺寸的縮小對于晶片電極設計的形狀及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等對晶振產品的影響的程度增大，故對電極的設計提出了更精準的要求。

2520mm體積的晶振,可以說是目前小型數碼產品的福音,目前超小型的智能手機里面所應用的就是小型的2520晶振,該產品最適用于無線通訊系統,無線局域網,已實現低相位噪聲,低電壓,低消費電流和高穩定度,超小型,質量輕等產品特點,產品本身編帶包裝方式,可對應自動高速貼片機應用,以及高溫回流焊接（產品無鉛對應）,為無鉛產品.

愛普生晶振規格	SG-211SEE晶振
驅動輸出	CMOS
常用頻率	2.375~60MHZ
工作電壓	+1.6~2.2V （代表値）電源電圧は+1.7V～+3.3V範囲の任意の電圧で動作可能
靜態電流	（工作時）+1.2 mA max. (F≦15MHz) +1.4 mA max. (15＜F≦26MHｚ） +1.6 mA max. (F＞26MHz)（スタンバイ時）+1μA以下
TCXO輸出電壓	0.8Vp-p min.
TCXO輸出負載	（10kΩ//10pF) ±10％
常規溫度偏差	±20/30/50×10-6 (After 2 reflows)
頻率溫度偏差	±30×10-6/-40℃～+85℃
頻率溫度偏差	±50×10-6/-55℃～+125℃（オプション）

愛普生日產有源兆赫茲晶振型號列表：

Model

Frequency

LxWxH

Output Wave

Ope Temperature

Freq. Tol.

I [Max]

25°C Aging

Aging2

Symmetry

SG-211SDE

25.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-20 ppm

≤ 2.5 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

SG-211SDE

40.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-15 ppm

≤ 3.0 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

SG-211SDE

36.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-20 to 70 °C

+/-20 ppm

≤ 3.0 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

SG-211SDE

24.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-20 ppm

≤ 2.5 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

SG-211SEE

40.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-15 ppm

≤ 2.8 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

SG-211SEE

40.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-20 ppm

≤ 2.8 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

SG-211SEE

11.289600 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-20 to 70 °C

+/-20 ppm

≤ 2.3 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

SG-211SEE

25.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-20 to 70 °C

+/-20 ppm

≤ 2.3 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

愛普生日產有源兆赫茲晶振編碼列表：

Product Number

Model

Frequency

LxWxH

Output Wave

Ope Temperature

Freq. Tol.

I [Max]

25°C Aging

Aging2

Symmetry

X1G0036310020

SG-211SDE

25.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-20 ppm

≤ 2.5 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

X1G0036310021

SG-211SDE

40.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-15 ppm

≤ 3.0 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

X1G0036310022

SG-211SDE

36.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-20 to 70 °C

+/-20 ppm

≤ 3.0 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

X1G0036310023

SG-211SDE

24.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-20 ppm

≤ 2.5 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

X1G0036410002

SG-211SEE

40.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-15 ppm

≤ 2.8 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

X1G0036410003

SG-211SEE

40.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-20 ppm

≤ 2.8 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

X1G0036410004

SG-211SEE

11.289600 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-20 to 70 °C

+/-20 ppm

≤ 2.3 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

X1G0036410005

SG-211SEE

25.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-20 to 70 °C

+/-20 ppm

≤ 2.3 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

SG-211SEE SDE SCE 2520 COMS

所有產品的共同點1：抗沖擊:抗沖擊是指晶振產品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊。如果產品已受過沖擊請勿使用。因為無論何種進口石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響。 2：輻射:將貼片晶振暴露于輻射環境會導致產品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射。 3：化學制劑 / pH值環境:請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品。 EPSON晶體,有源晶振,SG-211SEE晶振,X1G0036410002晶振
4：粘合劑:請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能。） 5：鹵化合物:請勿在鹵素氣體環境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。6：靜電:過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。
晶振產品使用每種產品時,請在貼片有源晶振規格說明或產品目錄規定使用條件下使用。因很多種晶振產品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項也有所不同,比如焊接模式,運輸模式,保存模式等等,都會有所差別。

驅動能力:驅動能力說明晶體單元所需電功率，其計算公式如下：驅動能力 (P) = i2?Re其中i表示經過晶體單元的電流.EPSON晶體,有源晶振,SG-211SEE晶振,X1G0036410002晶振

20181212163938

晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在2520時鐘有源振蕩器基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個范圍內。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調節負電阻和勵磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動。C1、C2電容器調節負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有給定負載能力。

適當的控制電阻值（RD）取決于諧振器的類型，頻帶和設備的價值。電容器（C1，C2）。精確值是通過金屬面有源晶振測量振蕩電路的特性來確定的（包括負電阻和驅動級）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個范圍內。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內- 33 pF左右，僅供參考。

20181212163842