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EPSON晶體,有源晶振,SG-211SDE晶振,X1G0036310003晶振

頻率：2.375~60MHZ

尺寸：2.5*2.0mm

2520mm體積的晶振,可以說是目前小型數碼產品的福音,目前超小型的智能手機里面所應用的就是小型的石英晶振,該產品最適用于無線通訊系統,無線局域網,已實現低相位噪聲,低電壓,低消費電流和高穩定度,超小型,質量輕等產品特點,產品本身編帶包裝方式,可對應自動高速貼片機應用,以及高溫回流焊接（產品無鉛對應）,為無鉛產品.

訂購熱線：0755-27837162

愛普生品牌系列千赫子的貼片晶振,目前占據了中國市場進口晶振25％的份額,品牌質量,貨期,品種,品質是廣大用戶有目共睹,從MC-146晶振最早期從MP4,MP3收音機模塊啟用開始,在到國內外各大知名品牌手機,最后應用到國內山寨手機市場,幾乎占據80％的手機行業晶振類別,產品本身特點是體積小,耐高溫,穩定性能高,排帶包裝,應用自動貼片方便.愛普生晶振小體積SMD時鐘晶體諧振器,是貼片音叉晶體,千赫頻率元件,應用于時鐘模塊,智能手機,全球定位系統,因產品本身體積小,SMD編帶型,可應用于高性能自動貼片焊接,被廣泛應用到各種小巧的便攜式消費電子數碼時間產品,環保性能符合ROHS/無鉛標準.

精工愛普生株式會社（總經理:碓井稔,以下簡稱為“愛普生”）在2008年正式和深圳市金洛鑫電子有限公司簽訂在中國區域深圳總代理簽訂合作協議,在同年期間蘇州愛普生水晶宣布將高端的石英晶體振蕩器生產重心轉移到中國蘇州愛普生工廠生產,并且成立研發中心.因為智能手機,以及GPS衛星導航的普及,有源晶振得到迅速的發展,并且從早期5X7mm的體積演變到今天2520mm體積的溫補晶振,壓控晶振,以下是有源石英晶體振蕩器部分產品型號,愛普生料號等.

EPSON晶體,有源晶振,SG-211SDE晶振,X1G0036310003晶振,石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術：是目前研發及生產高精度、高穩定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關鍵技術之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設計等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內。

小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體振蕩器,特別適用于有小型化要求的市場領域,比如智能手機,無線藍牙,平板電腦等電子數碼產品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優良的耐環境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動化,家電相關電器領域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無線通信領域可發揮優良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

愛普生晶振規格	SG-211SDE晶振
驅動輸出	CMOS
常用頻率	2.375~60MHZ
工作電壓	+2.2~2.7V （代表値）電源電圧は+1.7V～+3.3V範囲の任意の電圧で動作可能
靜態電流	（工作時）+1.2 mA max. (F≦15MHz) +1.4 mA max. (15＜F≦26MHｚ） +1.6 mA max. (F＞26MHz)（スタンバイ時）+1μA以下
TCXO輸出電壓	0.8Vp-p min.
TCXO輸出負載	（10kΩ//10pF) ±10％
常規溫度偏差	±20/30/50×10-6 (After 2 reflows)
頻率溫度偏差	±30×10-6/-40℃～+85℃
頻率溫度偏差	±50×10-6/-55℃～+125℃（オプション）

愛普生日產有源兆赫茲晶振型號列表：

Model

Frequency

LxWxH

Output Wave

Ope Temperature

Freq. Tol.

I [Max]

25°C Aging

Aging2

Symmetry

SG-211SCE

24.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-40 to 90 °C

+/-25 ppm

≤ 3.5 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

SG-211SCE

10.000250 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-15 ppm

≤ 3.5 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

SG-211SCE

10.000400 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-15 ppm

≤ 3.5 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

SG-211SCE

19.660000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-20 to 70 °C

+/-15 ppm

≤ 4.0 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

SG-211SDE

26.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-20 ppm

≤ 2.5 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

SG-211SDE

40.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-20 ppm

≤ 3.0 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

SG-211SDE

37.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-20 to 70 °C

+/-20 ppm

≤ 3.0 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

SG-211SDE

54.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-15 ppm

≤ 5.0 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

愛普生日產有源兆赫茲晶振編碼列表：

Product Number

Model

Frequency

LxWxH

Output Wave

Ope Temperature

Freq. Tol.

I [Max]

25°C Aging

Aging2

Symmetry

X1G0036210198

SG-211SCE

24.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-40 to 90 °C

+/-25 ppm

≤ 3.5 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

X1G0036210200

SG-211SCE

10.000250 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-15 ppm

≤ 3.5 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

X1G0036210201

SG-211SCE

10.000400 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-15 ppm

≤ 3.5 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

X1G0036210202

SG-211SCE

19.660000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-20 to 70 °C

+/-15 ppm

≤ 4.0 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

X1G0036310003

SG-211SDE

26.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-20 ppm

≤ 2.5 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

X1G0036310004

SG-211SDE

40.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-20 ppm

≤ 3.0 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

X1G0036310005

SG-211SDE

37.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-20 to 70 °C

+/-20 ppm

≤ 3.0 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

X1G0036310006

SG-211SDE

54.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-15 ppm

≤ 5.0 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

SG-211SEE SDE SCE 2520 COMS

晶振產品使用每種產品時,請在OSC晶振規格說明或產品目錄規定使用條件下使用。因很多種晶振產品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項也有所不同,比如焊接模式,運輸模式,保存模式等等,都會有所差別。 EPSON晶體,有源晶振,SG-211SDE晶振,X1G0036310003晶振

所有產品的共同點1：抗沖擊:抗沖擊是指晶振產品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊。如果產品已受過沖擊請勿使用。因為無論何種金屬面晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響。 2：輻射:將貼片晶振暴露于輻射環境會導致產品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射。 3：化學制劑 / pH值環境:請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品。
4：粘合劑:請勿使用可能導致2520晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能。） 5：鹵化合物:請勿在鹵素氣體環境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。6：靜電:過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。

測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過振蕩器的放大器時，可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應使用帶有小的內部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.EPSON晶體,有源晶振,SG-211SDE晶振,X1G0036310003晶振

20181212163902

晶體諧振腔的形式模式，但日本進口有源晶振泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個范圍內。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調節負電阻和勵磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動。C1、C2電容器調節負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有給定負載能力。

適當的控制電阻值（RD）取決于諧振器的類型，頻帶和設備的價值。電容器（C1，C2）。精確值是通過2520小體積晶振振蕩電路的特性來確定的（包括負電阻和驅動級）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個范圍內。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內- 33 pF左右，僅供參考。

20181212163842