CTS晶振,貼片晶振,TFA16晶振,音叉晶振
頻率:32.768KHZ
尺寸:1.6*1.0mm
隨著科技的不斷進步,我們已經并肩前行,工程智能的方式來滿足人們不斷變化的需求。CTS晶振引入新的視野和品牌,明確地傳達我們是誰,為什么我們在這里,我們代表什么。CTS的身份已經建立在120年的堅實基礎上。一個基金會將繼續建立我們公司的聲譽,解決問題,面對挑戰,利用機遇,所有的人都有經驗,沒有人能比得上。小體型1610晶振,無源石英音叉諧振器,TFA16晶振
CTS是航空航天、通信、國防、工業、信息技術、醫療和運輸市場的OEM、傳感器和電子元器件的主要設計者和制造商。CTS生產的進口晶振在北美洲、歐洲和亞洲。2013一月,奧沙利文加入了CTS的總裁和首席執行官。作為戰略的一部分,CTS銷售EMS業務。該交易加劇了CTS對其零部件和傳感器業務的關注,并提供額外資金以推動核心能力的增長。
CTS晶振,貼片晶振,TFA16晶振,音叉晶振,小體積SMD時鐘晶體諧振器,是貼片音叉晶體,千赫頻率元件,應用于時鐘模塊,智能手機,全球定位系統,因產品本身體積小,SMD編帶型,可應用于高性能自動貼片焊接,被廣泛應用到各種小巧的便攜式消費電子數碼時間產品,環保性能符合ROHS/無鉛標準.
石英晶振高精度晶片的拋光技術:貼片晶振是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術,最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作。使用先進的牛頓環及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態。小體型1610晶振,無源石英音叉諧振器,TFA16晶振
CTS晶振 |
單位 |
TF16晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C~+105°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
0.1~0.5μW Max. |
推薦:0.1~0.5μW |
頻率公差 |
f_— l |
±10,20× 10-6 |
+25°C 對于超出標準的規格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±15~ ±100× 10-6/-30°C~+85°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
負載電容 |
CL |
5,7,9,12.5PF |
不同負載電容要求,請聯系我們. |
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C~+85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6/year Max. |
+25°C,第一年 |
我們可以先使用示波器或者頻率計數器來檢查石英晶體諧振器終端的兩個信號,如果沒有信號輸出,請按照步驟1-1到1-4步執行檢查。如果有從石英晶振(XOUT)的輸出端子的輸出信號,而是從在終端(辛)輸出沒有信號,請檢查石英晶振體以下step1-5到步驟1-6。
你可以先把晶體卸載下來并測試進口SMD晶振的頻率和負載電容,看看他們是否能振動,也可以使用專業的石英晶體測試儀器來檢測 。如果你沒法檢測你也可以將不良品發送給我公司,我們檢測分析之后告訴你結果。如果有下列情況發生,晶振不起振,首先你先查看你產品上使用的負載電容CL是否對,是否跟你的線路相匹配,或者是晶振的精度是否符合你的要求,或者你可以把產品發送回我公司分析。如果晶振頻率和負載電容跟要求相對應的話,我們將需要進行等效電路測試。比如等效電路測試如下:小體型1610晶振,無源石英音叉諧振器,TFA16晶振
此外,振蕩頻率與測量點不同。1。測量緩沖輸出2。振蕩級輸出測量三.通過1610mm石英晶體諧振器電容器測量振蕩級輸出圖5示出以上1-3個測量點和所測量的除緩沖器輸出外,振蕩頻率較低。CTS晶振,貼片晶振,TFA16晶振,音叉晶振
晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在二腳無源貼片晶振基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個范圍內。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流,調節負電阻和勵磁。電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動。C1、C2電容器調節負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有給定負載能力。
適當的控制電阻值(RD)取決于諧振器的類型,頻帶和設備的價值。電容器(C1,C2)。精確值是通過小體積晶振測量振蕩電路的特性來確定的(包括負電阻和驅動級)。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個范圍內。?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序,在3 pF的范圍內- 33 pF左右,僅供參考。
負載電容:如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致32.768K音叉晶體振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示電路的雜散電容。
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