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熱門關鍵詞 : 石英晶體諧振器進口晶振精工晶振京瓷晶振西鐵城晶振鴻星晶振石英晶振加高晶振希華晶振NDK晶振村田晶振

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SiTime晶振,陶瓷面有源晶振,SiT8002AA晶振

頻率:1.000MHz~125.000MHz

尺寸:2.5*2.0*0.85mm

2520mm體積的晶振,可以說是目前小型數碼產品的福音,目前超小型的智能手機里面所應用的就是小型的有源晶振,該產品最適用于無線通訊系統,無線局域網,已實現低相位噪聲,低電壓,低消費電流和高穩定度,超小型,質量輕等產品特點,產品本身編帶包裝方式,可對應自動高速貼片機應用,以及高溫回流焊接(產品無鉛對應),為無鉛產品.
訂購熱線:0755-27837162
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Sitime-2

    計時產品提供了所有數字電子系統的心跳。在所有主要的市場中,有超過5000個客戶在200多個應用中使用SiTime產品。我們的最高容量設計是在網絡、消費者、計算和存儲領域。2011年,我們開始為電信、無線和工業應用提供產品。SiTime的基于內存的硅計時解決方案受益于廣泛的應用。作為石英晶振的替代品,SiTime的振蕩器和時鐘發生器已經成功地將石英計時工業轉化為硅基產品。
    SiTime改變了時機市場。在過去的幾十年里,石英晶體振蕩器、溫補晶振、時鐘發生器和諧振器是電子器件中主要的參考計時元件。由于沒有其他選擇,oem和ODMs接受了石英計時設備的固有限制。現在,隨著強大的MEMS諧振器和高性能模擬電路的出現,SiTime已經開發出了克服石英器件局限性的突破性解決方案。除了MEMS和模擬電路的專業知識外,SiTime還具備以優異的質量和可靠性交付大量產品的能力。7050普通有源晶體,陶瓷封裝晶體振蕩器,SiT8002AA晶振

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    SiTime晶振,陶瓷面有源晶振,SiT8002AA晶振.適用于時鐘發生器,工業和太空/衛星應用.MEMS諧振器的體積比石英諧振器小1000倍,并且建在大批量的CMOS工廠中,而不是小型的定制生產設備。 由于體積小,體積大,制造工藝簡單,MEMS振蕩器本身更加可靠,性能更加穩定,一直處于備貨狀態.SiT8002AA通過消除石英晶體諧振器,對振動,沖擊,應變等環境影響 ,絕對濕度。
    SiTime貼片晶振的切型。采用高速線切割技術:1.優化及嚴格規范線切割機各項設備參數;2.通過試驗精選所使用的各類線切割料,如:磨料、線切割線、槽輪等;3.確認最優的石英晶振切割工藝參數。通過以上方法使切割出的貼片晶振晶片在厚度一致性、平行度、表面粗糙度上都超越其它切割方式,提高了石英晶振晶片的精度,提高了生產效率。

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RB-1

SiTime晶振

標示

SiT8002AA晶振

晶振基本信息對照表

標準范圍

f0

1.000MHz~125.000MHz

 

電源電圧

Vcc

1.8V/+2.5V/+3.3V

 

輸出電流

Icc

3.5 mA max.

Vcc=3.3V

頻率負載

L_CMOS

30pF

CMOS出力

標準頻率偏差

f_tol

±100±200、500×10-6 max.


初期偏差、
周波數溫度特性、
電源、負荷変動特性、
経時変化(1年、+25℃時)

輸出電壓

V

VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max.

 

對稱

SYM

40%60%

50% Vcc

標準時間

tr/tf

12 ns max.(1.880MHz)

10%Vcc90%L_CMOS=15pF

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SiT8002AA 2520 OSC

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<晶體諧振器>
    如果過大的激勵電力對SMD晶體外加電壓,有可能導致特性老化或損壞,因此請在宣傳冊、規格書中規定的范圍內使用。
    讓無源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負性阻抗值。本公司推薦此負性阻抗為諧振器串聯電阻規格值的5倍以上,若是車載和安全設備,則推薦10倍 以上。7050普通有源晶體,陶瓷封裝晶體振蕩器,SiT8002AA晶振
<晶體振蕩器>
    晶體振蕩器的內部電路使用C-MOS。閉鎖、靜電對策請和一般的C-MOS IC一樣考慮。
有些石英晶體振蕩器沒有和旁路電容器進行內部連接。使用時,請在Vdd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器(陶瓷片狀電容器等)以 最短距離連接。關于個別機型請確認宣傳冊、規格書。
<晶體濾波器>
    注意電路板圖形的配置,避免輸入端子和輸出端子靠得太近。如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大,為了消除該雜散電容,有時需要配置調諧電路。如果過大的激勵電力對諧振器外加電壓,有可能導致特性老化或損壞,因此請在濾波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態下使用。
<光學產品>
    由于制造過程中進行了灰塵等異物管理,因此包裝開封以后,請在進行清潔度管理的環境中使用。SiTime晶振,陶瓷面有源晶振,SiT8002AA晶振

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設計振蕩回路的注意事項
1.驅動能力
驅動能力說明硅MEMS振蕩器單元所需電功率,其計算公式如下:
驅動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。SiTime晶振,陶瓷面有源晶振,SiT8002AA晶振

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2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加2520四腳貼片晶振振蕩啟動時間,或不發生振蕩。為避免該情況發生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻。

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3.負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。7050普通有源晶體,陶瓷封裝晶體振蕩器,SiT8002AA晶振

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頻率和負載電容特征圖器

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振蕩回路參數設置參考

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公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司

聯系人:茹紅青

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JLX-PD

金洛鑫產品系列

PRODUCT LINE

石英晶振
QuartzCrystal

貼片晶振
SMDcrystal

諧振器濾波器
Resonator

溫補晶振
TCXOcrystal

32.768K
32768Kcrystal

霧化片
AtomizationPiece

智能穿戴

車載安防

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