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熱門關(guān)鍵詞 : 石英晶體諧振器進(jìn)口晶振精工晶振京瓷晶振西鐵城晶振鴻星晶振石英晶振加高晶振希華晶振NDK晶振村田晶振

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Raltron晶振,貼片晶振,R2016晶振

頻率:20.000MHz~80.000MHz

尺寸:2.0*1.6*0.5mm

小型表面貼片晶振型,是標(biāo)準(zhǔn)的石英晶體諧振器,適用于寬溫范圍的電子數(shù)碼產(chǎn)品,家電電器及MP3,MP4,播放器,單片機(jī)等領(lǐng)域.可對應(yīng)20.000MHz以上的頻率,在電子數(shù)碼產(chǎn)品,以及家電相關(guān)電器領(lǐng)域里面發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
訂購熱線:0755-27837162
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Ral-1

        成立于邁阿密,在1983年,Raltron電子公司已經(jīng)發(fā)展成為其中之一公認(rèn)的經(jīng)驗豐富的頻率管理產(chǎn)品制造商在世界各地。從簡單圓柱晶振到高穩(wěn)定性控制晶體振蕩器,Raltron提供最多全行業(yè)的頻率管理設(shè)備。Raltron通過全球獨立銷售網(wǎng)絡(luò)為全球客戶提供支持代表以及亞洲的幾個附屬辦事處,戰(zhàn)略地位于主要客戶附近和市場。該公司的產(chǎn)品由幾家大型全球經(jīng)銷商分銷目錄房屋以及區(qū)域經(jīng)銷商處理具體的市場。
        Raltron自豪地為消費電子市場提供晶體,調(diào)諧叉,時鐘振蕩器,鋸設(shè)備,陶瓷晶振,LTCC RF陶瓷產(chǎn)品和天線。該產(chǎn)品旨在滿足消費者應(yīng)用的關(guān)鍵要求,如電池操作相關(guān)的低尺寸,小尺寸和低功耗。Raltron Electronics致力于為符合歐盟議會和2011年6月08日理事會2011/65 / EU指令的頻率管理設(shè)備提供限制在電氣和電子設(shè)備中使用某些有害物質(zhì)(RoHS指令)。Raltron晶振,貼片晶振,R2016晶振

JLX-1

Ral-2

        Raltron晶振,貼片晶振,R2016晶振.外觀完全使用金屬材料封裝的,產(chǎn)品本身采用全自動石英晶體檢測儀,以及跌落,漏氣等苛刻實驗.產(chǎn)品本身具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性,采用編帶包裝,可對應(yīng)產(chǎn)品應(yīng)用到自動貼片機(jī)告訴安裝,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
        Raltron貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片石英晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實際操作中機(jī)器運(yùn)動方式設(shè)計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設(shè)計必須合理,有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定。低頻率小體積晶振,2016四腳石英晶振,R2016晶振

JLX-2

RB-2

Raltron晶振

單位

R2016晶振

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

20.000MHz~80.000MHz

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲存溫度

T_stg

-40°C~+85°C

裸存

工作溫度

T_use

-10°C~+60°C/-40°C~+85°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵功率

DL

100μW Max.

推薦:100μW

頻率公差

f_— l

±50×10-6 (標(biāo)準(zhǔn)),
(±10×10-6~
±50×10-6 可用)

+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.zrwej.cn/

頻率溫度特征

f_tem

±10~±50×10-6/-20°C~+70°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

8pF~22pF

不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-10°C~+60°C, DL=100μW

頻率老化

f_age

±5×10-6/year Max.

+25°C,第一年

JLX-3

RB-3

R2016 2016

JLX-4

RB-4

抗沖擊
        貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。低頻率小體積晶振,2016四腳石英晶振,R2016晶振
輻射
        暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致石英晶體性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。Raltron晶振,貼片晶振,R2016晶振
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
        請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進(jìn)口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
        請勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
鹵化合物
        請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無源晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
        過高的靜電可能會損壞石英晶體諧振器,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作。

JLX-5

RB-5

設(shè)計振蕩回路的注意事項
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明2016貼片晶振所需電功率,其計算公式如下:
驅(qū)動能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。Raltron晶振,貼片晶振,R2016晶振

sjzrhl_1

2.振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會增加小體積貼片晶振振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設(shè)計時提供足夠的負(fù)極電阻。

sjzrhl_2

3. 負(fù)載電容
如果2016小尺寸晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。低頻率小體積晶振,2016四腳石英晶振,R2016晶振

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頻率和負(fù)載電容特征圖器

sjzrhl_4

振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考

JLX-6

RB-6

wxewm

公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司

聯(lián)系人:茹紅青

手機(jī):13510569637

電話:0755-27837162

QQ號:657116624

微信公眾號:CITIZENCRYSTAL

搜狐公眾號:晶振石英晶振NDK晶振

郵箱:jinluodz@163.com

地址:深圳市寶安區(qū)41區(qū)甲岸路19號

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JLX-PD

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石英晶振
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貼片晶振
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TCXOcrystal

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