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NDK車規(guī)晶振NZ2016SH,NZ2016SH-24.000MHZNSC5022C車載有源晶振

頻率：24MHZ

尺寸：2.0mm×1.6mm

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訂購熱線：0755-27837162

高端數(shù)碼電子諧振器,8045陶瓷殼2P晶振,NX8045GE晶振

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NDK晶振規(guī)格	NZ2016SH晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	24MHz	標(biāo)準(zhǔn)頻率，可提供其他頻率
儲存溫度	-55℃~+125℃	裸存
工作溫度	-40℃~+85℃	標(biāo)準(zhǔn)溫度
上升(Tr) /下降(Tf)時間	5 ns Max.
頻率穩(wěn)定度	±50ppm	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.zrwej.cn/
啟動時間	4 ms Max.	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
輸出負(fù)載	15pF	超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們.
輸出方式	CMOS
電源電流	90mA Max.
電源電壓	3V
頻率老化	±1×10-6/year Max.	+25°C,第一年

NDK車規(guī)晶振NZ2016SH,NZ2016SH-24.000MHZNSC5022C車載有源晶振

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1.熱影響：重復(fù)的溫度巨大變化可能會降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.

2.安裝方向：石英晶體振蕩器的不正確安裝會導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確.

3.通電：不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導(dǎo)致無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.

4.有源晶振的負(fù)載電容與阻抗：負(fù)載電容與阻抗有源晶振設(shè)置一個規(guī)定的負(fù)載阻抗值.當(dāng)一個值除了規(guī)定的一個設(shè)置為負(fù)載阻抗輸出頻率和輸出電平不會滿足時,指定的值這可能會導(dǎo)致問題例如：失真的輸出波形.特別是設(shè)置電抗,根據(jù)規(guī)范的負(fù)載阻抗.輸出頻率和輸出電平,當(dāng)測量輸出頻率或輸出水平,石英晶體振蕩器調(diào)整的輸入阻抗,測量儀器的負(fù)載阻抗晶體振蕩器.當(dāng)輸入阻抗的測量儀器,不同的負(fù)載阻抗的晶體振蕩器,測量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測量可以忽略.NDK車規(guī)晶振NZ2016SH,NZ2016SH-24.000MHZNSC5022C車載有源晶振

5.抗沖擊：抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種貼片石英晶振,其內(nèi)部晶片都是貼片晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.

6.耐焊性：將晶振加熱包裝材料至+150℃以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150℃以上焊接石英晶振,建議使用有源貼片晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對石英耐高溫晶振產(chǎn)品甚至晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.

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測試條件(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量陶瓷面貼片晶振頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時，可同時進(jìn)行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.NDK車規(guī)晶振NZ2016SH,NZ2016SH-24.000MHZNSC5022C車載有源晶振

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驅(qū)動能力:驅(qū)動能力說明振蕩晶體單元所需電功率，其計算公式如下：驅(qū)動能力 (P) = i2Re其中i表示經(jīng)過8x4.5mm汽車級晶振晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）.

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NDK車規(guī)晶振NZ2016SH,NZ2016SH-24.000MHZNSC5022C車載有源晶振晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在2016小體積基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個范圍內(nèi)。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個電阻10米或更長。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于諧振器的類型，頻帶和設(shè)備的價值。電容器（C1，C2）。精確值是通過2016貼片晶振測量振蕩電路的特性來確定的（包括負(fù)電阻和驅(qū)動級）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個范圍內(nèi)。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 KHz范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。

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