NDK晶振,貼片晶振,NX3215SA晶振
頻率:32.768KHz
尺寸:3.2*1.5*0.8mm
NDK晶振集團作為頻率的綜合生產企業(yè),為了向客戶提供高信賴性品質的產品,我們始終追求最高品質的石英晶振生產和服務,以「通過對客戶的服務,為社會繁榮和世界和平作貢獻」這樣的公司創(chuàng)業(yè)理念作為我們的使命,加大強化相關經(jīng)營監(jiān)察機能、遵守法律,確保說明責任,迅速且適當?shù)毓夹畔ⅲ男协h(huán)境保全等的社會責任。3215mm音叉型貼片晶振,高精度SMD晶體,NX3215SA晶振
NDK晶振,貼片晶振,NX3215SA晶振,在晶體領域里3.2*1.5mm的小型SMD晶振格外受到歡迎,這種尺寸的石英晶體通常都是32.768KHz的,NDK品牌的這款NX3215SA晶振通過了AEC-Q200認證,適用于智能汽車車載電子產品,每月可生產6000萬顆以上,NDK創(chuàng)造利益的同時也給用戶帶來更多的財富.
NDK晶振 |
標示 |
NX3215SA晶振 |
晶振基本信息對照表 |
||
Crystal標準頻率 |
f_nom |
32.768kHz |
|
請選擇你需要的頻率范圍. |
|
保存溫度 |
T_stg |
-40°C — +85°C |
產品保存溫度 |
||
工作溫度 |
T_use |
-40°C — +85°C |
|||
激勵功率 |
DL |
0.5μW (1.0μW Max.) |
1.0uw最大 |
||
頻率偏差范圍 |
f_— l |
±20ppm |
精度范圍可指定. |
||
頂點溫度 |
Ti |
+25°C ±5°C |
|||
二次溫度係數(shù) |
B |
-0.04 × 10-6/ °C2 Max. |
|||
負荷容量 |
CL |
6pF, 9pF, 12.5pF |
可指定 |
||
直列抵抗 |
R1 |
70kΩ Max. |
70kΩ — 45kΩ |
||
直列容量 |
C1 |
3.4fF Typ. |
3.7fF — 1.6fF |
||
並列容量 |
C0 |
1.0pF Typ. |
1.3pF — 0.5pF |
||
周波數(shù)経年変化 |
f_age |
±3 ×10-6 / year Max. |
+25°C, 初年度 |
機械振動的影響
當NDK石英晶體諧振器產品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如:壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響。這種現(xiàn)象對通信器材通信質量有影響。盡管晶體產品設計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作。NDK晶振,貼片晶振,NX3215SA晶振
PCB設計指導
(1)理想情況下,機械蜂鳴器應安裝在一個獨立于音叉晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當應用于PCB板本身或PCB板體內部時,機械振動程度有所不同。建議遵照內部板體特性。
(2)在設計時請參考相應的推薦封裝。
(3)在使用焊料助焊劑時,按JIS標準(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。
(4)請按JIS標準(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。
存儲事項
(1)在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存3215mm晶體諧振器產品時,會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些晶體產品,并在開封后盡可能進行安裝,以免長期儲藏。
正常溫度和濕度:
溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH(請參閱“測試點JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標準條件”章節(jié)內容)。
(2)請仔細處理內外盒與卷帶。外部壓力會導致卷帶受到損壞。
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產品特性或損害諧振器。如需在+150°C以上焊接晶體產品,建議使用SMD晶體。在下列回流條件下,對晶體產品甚至32.768KHZ晶振使用更高溫度,會破壞產品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產品之前,應檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查。如果需要焊接的晶體產品在下列配置條件下進行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關信息。3215mm音叉型貼片晶振,高精度SMD晶體,NX3215SA晶振
1、設計振蕩回路的注意事項
1.驅動能力
驅動能力說明振蕩晶體單元所需電功率,其計算公式如下:
驅動能力 (P) = i2 Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。NDK晶振,貼片晶振,NX3215SA晶振
2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻。
3.負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。3215mm音叉型貼片晶振,高精度SMD晶體,NX3215SA晶振
頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設置參考
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
聯(lián)系人:茹紅青
手機:13510569637
電話:0755-27837162
QQ號:657116624
微信公眾號:CITIZENCRYSTAL
搜狐公眾號:晶振石英晶振NDK晶振
郵箱:jinluodz@163.com
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