NDK晶振,貼片晶振,NX2016GC晶振
頻率:16.000MHz~50.000MHz
尺寸:2.0*1.6*0.8mm
日本NDK晶振集團創造利益,提升企業價值的同時,為了繼續提升企業的價值,我們認為維持經營的透明性,確實盡到對各位股份持有者說明的責任這樣的公司治理的構筑必不可少,我們把其放在經營最重要的課題之一的位置。在ADAS(先進駕駛輔助系統)所使用的車載相機和倒車雷達、遠程信息處理等用途,晶體元器件的需求也呈現增加的趨勢。因此,我們會開發TCXO(溫補晶振)、ICXO(鐘用晶體振蕩器)、SAW器件等的車載用高信賴性產品并擴大其銷售。
致力于環境保護,包括預防污染。在貼片晶振產品的規劃到制造、運行維修等整個過程中,努力提供環保型的產品和服務。在業務活動中,努力節約資源并節省能源,致力于減少廢棄物和再生資源的回收利用。在積極公開有關環境的信息的同時,通過支持環?;顒樱瑥V泛地為社會作貢獻。致力于保護生物多樣性和可持續利用。切實運行環境管理系統PDmCA(Plan-Do-multiple Check-Act),努力提高環境性能,不斷改善運用系統。NDK晶振,貼片晶振,NX2016GC晶振
NDK晶振,貼片晶振,NX2016GC晶振.2016mm體積貼片晶振適用于汽車電子領域的表面貼片型石英晶振,本產品已被確定的高信賴性最適合用于汽車電子部件,晶體在極端嚴酷的環境條件下也能發揮穩定的起振特性,晶振本身具有耐熱,耐振,耐沖擊等優良的耐環境特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標準.
NDK石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術:是目前研發及生產高精度、高穩定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關鍵技術之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設計等)。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強,貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內。2016陶瓷面晶體,二腳壓電石英晶振,NX2016GC晶振
NDK晶振 |
單位 |
NX2016GC晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
16.000MHz~50.000MHz |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C~+150°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C~+150°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
10μW Max. |
推薦:10μW~200μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標準) |
+25°C 對于超出標準的規格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±150× 10-6/-40°C ~+150°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
負載電容 |
CL |
8pF |
不同負載電容要求,請聯系我們. |
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C~ +150°C, DL = 10μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
<晶體諧振器>
如果過大的激勵電力對無源晶振外加電壓,有可能導致特性老化或損壞,因此請在宣傳冊、規格書中規定的范圍內使用。讓無源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負性阻抗值。本公司推薦此負性阻抗為諧振器串聯電阻規格值的5倍以上,若是車載和安全設備,則推薦10倍 以上。2016陶瓷面晶體,二腳壓電石英晶振,NX2016GC晶振
<晶體振蕩器>
晶體振蕩器的內部電路使用C-MOS。閉鎖、靜電對策請和一般的C-MOS IC一樣考慮。有些貼片有源晶振沒有和旁路電容器進行內部連接。使用時,請在Vdd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器(陶瓷片狀電容器等)以 最短距離連接。關于個別機型請確認宣傳冊、規格書。
<晶體濾波器>
注意電路板圖形的配置,避免輸入端子和輸出端子靠得太近。如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大,為了消除該雜散電容,有時需要配置調諧電路。如果過大的激勵電力對諧振器外加電壓,有可能導致特性老化或損壞,因此請在聲表濾波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態下使用。
<光學產品>
由于制造過程中進行了灰塵等異物管理,因此包裝開封以后,請在進行清潔度管理的環境中使用。NDK晶振,貼片晶振,NX2016GC晶振
1、設計振蕩回路的注意事項
1.驅動能力
驅動能力說明2016石英晶體所需電功率,其計算公式如下:
驅動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。NDK晶振,貼片晶振,NX2016GC晶振
2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加陶瓷面兩腳晶振振蕩啟動時間,或不發生振蕩。為避免該情況發生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻。
3.負載電容
如果2016貼片晶振振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。2016陶瓷面晶體,二腳壓電石英晶振,NX2016GC晶振
頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數設置參考
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
聯系人:茹紅青
手機:13510569637
電話:0755-27837162
QQ號:657116624
微信公眾號:CITIZENCRYSTAL
搜狐公眾號:晶振石英晶振NDK晶振
郵箱:jinluodz@163.com
地址:深圳市寶安區41區甲岸路19號
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