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愛普生晶振,貼片晶振,MA-505晶振,石英SMD晶體,MA-505 40.0000M-C0:ROHS

頻率:4~64MHZ

尺寸:13.46*5.08mm

貼片晶振本身體積小,"MA-505 40.0000M-C0:ROHS"超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發展的高端電子數碼產品,因為晶振本身小型化需求的市場領域,小型,薄型是對應陶瓷諧振器(偏差大)和普通的石英晶體諧振器(偏差小)的中間領域的一種性價比較出色的產品.產品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛星導航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.
訂購熱線:0755-27837162
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高端進口石英諧振器,低頻率陶瓷貼片晶振,MA-505晶振

   在2010年全球晶振廠家排名中,占據首位.愛普生僅此一項水晶振動子行業就能足矣讓電子世界的人都敬佩不已.愛普生晶振以32.768KHZ晶振稱霸晶振行業,主要消費在手機,PCB,等電子產品.同時愛普生以提供原子鐘的精準振蕩器知名業界.僅此在音叉振子和振蕩器還遠遠達不到愛普生本身的要求.他們要求的是在元器件占領NO1.因此除了KHZ,MHZ的研究發展,另外還發明GHZ技術,使工藝技術達到人無完人,史前無例,實現以基波方式產生2.5GHz為止高頻的表面聲波(SAW)元器件.愛普生拓優科夢把半導體(IC)稱之為“產業之米”,并認為晶體元器件更是離不開的“產業之鹽”.將進一步致力于小型、高穩定、高精度晶體元器件的開發,為現有的應用程序以及生活新藍圖開拓廣闊前景.  愛普生晶振在KHZ,MHZ,以及GHZ上都有重大突破,使得愛普生拓優科夢的晶振元器件已以23%的市場占有率位于業界第一.
   伴隨信息化社會的進程,現在石英晶振已被廣泛應用于各種電子設備以及家電產品之中,日趨重要. 愛普生拓優科夢(Epson — yocom)將進一步究極用精微加工發揮“石英”材料的優越性能的“QMEMS”技術,創造出更小、更高性能或全新功能的元器件;同時,融合愛普生集團的半導體與軟件技術增添便于使用、能讓顧客更體驗到利用價值的“解決方案”.通過上述工作,我們將為社會的發展以及實現更舒暢的未來而竭誠奉獻. 高端進口石英諧振器,低頻率陶瓷貼片晶振,MA-505晶振,"MA-505 40.0000M-C0:ROHS"

高端進口石英諧振器,低頻率陶瓷貼片晶振,MA-505晶振

     愛普生晶振,貼片晶振,MA-505晶振,石英SMD晶體,"MA-505 40.0000M-C0:ROHS",智能手機晶振,產品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領域.比如智能手機,無線通信,衛星導航,平臺基站等較高端的數碼產品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準時鐘源用頻率,貼片晶振具有優良的電氣特性,耐環境性能適用于移動通信領域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
     石英晶振的研磨技術:通過對晶振切割整形后的晶片進行研磨,使無源晶振的晶片達到(厚度/頻率)的一定范圍。石英晶振晶片厚度與頻率的關系為:在壓電晶體行業,生產晶振頻率的高低是顯示鴻星技術水平的一個方面,通過理論與實際相結合,累積多年的晶振研磨經驗,通過深入細致地完善石英晶振研磨工藝技術,注重貼片晶振研磨過程的各種細節,注重晶振所用精磨研磨設備的選擇;注重所使用水晶、研磨砂的選擇等;注重石英晶振研磨用工裝如:游輪的設計及選擇,從而使研磨晶振晶片在平面度、平行度、彎曲度都有很好的控制,最終使可研磨的石英晶振晶片的厚度越來越薄,貼片晶振晶片的頻率越來越高,為公司在高頻石英晶振的研發生產打下堅實基礎,提升了晶振廠家的競爭力,使晶振廠家高頻石英晶振的研發及生產領先于國內其它公司 .高端進口石英諧振器,低頻率陶瓷貼片晶振,MA-505晶振

高端進口石英諧振器,低頻率陶瓷貼片晶振,MA-505晶振

愛普生晶振

單位

MA-505晶振

石英晶振基本條件

標準頻率

f_nom

4.000MHZ~64.000MHZ

標準頻率

儲存溫度

T_stg

-55°C  +125°C

裸存

工作溫度

T_use

-20°C  +70°C

標準溫度

激勵功率

DL

10~100μW Max.

推薦:10μW  100μW

頻率公差

f_— l

±50 × 10-6 (標準),
(±50× 10-6 
可用)

+25°C 對于超出標準的規格說明,
請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.zrwej.cn/

頻率溫度特征

f_tem

±30× 10-6/-20°C  +70°C

超出標準的規格請聯系我們.

負載電容

CL

5pF 

不同負載電容要求,請聯系我們.

串聯電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

頻率老化

f_age

±5× 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

高端進口石英諧振器,低頻率陶瓷貼片晶振,MA-505晶振

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      一般來說,微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下:鎘和CG是外部負載電容,其中已建成的芯片組。 (請參閱芯片組的規格)Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻。它的內置芯片一般設置。Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?。這個阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路。一個穩定的振蕩電路需要的負電阻,其值應是晶振阻力的至少五倍。它可寫為|-R|>5的Rr。例如,為了獲得穩定的振蕩電路中,IC的負電阻的值必須小于?200Ω時的SMD晶振電阻值是40Ω。負阻“的標準來評估一個振蕩電路的質量。在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會產生振蕩的“Q”值是低的。因此,這是非常重要的衡量負電阻(-R)以下說明:愛普生晶振,貼片晶振,MA-505晶振,石英SMD晶體,"MA-505 40.0000M-C0:ROHS"

20180607084414

      線路連接的電阻(R)與陶瓷晶振串聯(2)從起點到振蕩的停止點調整R的值。(3)振蕩期間測量R的值。(4)你將能夠獲得負電阻的值,|•R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力。附:所連接的電路的雜散電容,可能會影響測定值。
     如果晶振的參數是正常的,但它不工作穩步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅動電路。如果是這樣的話,我們有三種方法來改善這樣的情況:降低外部電容(Cd和CG)的值,并采用其他晶振具有較低負載電容(CL)。采用具有較低電阻(RR)的石英晶體諧振器。使用光盤和CG的不等價的設計。我們可以增加鎘(XOUT)的負載電容和降低CG(辛)的負載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。高端進口石英諧振器,低頻率陶瓷貼片晶振,MA-505晶振,"MA-505 40.0000M-C0:ROHS"

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     振蕩開始代替。表面陶瓷面晶振在基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個范圍內。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流,調節負電阻和勵磁。電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動。C1、C2電容器調節負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有給定負載能力,愛普生晶振,貼片晶振,MA-505晶振,石英SMD晶體,"MA-505 40.0000M-C0:ROHS"
     適當的控制電阻值(RD)取決于諧振器的類型,頻帶和設備的價值。電容器(C1,C2)。精確值是通過進口貼片晶振測量振蕩電路的特性來確定的(包括負電阻和驅動級)。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個范圍內。?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序,在3 pF的范圍內- 33 pF左右,僅供參考。

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     此外,振蕩頻率與測量點不同。1。測量進口晶振緩沖輸出2。振蕩級輸出測量三.通過電容器測量振蕩級輸出圖5示出以上1-3個測量點和所測量的除緩沖器輸出外,振蕩頻率較低。

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     負載電容:如果石英諧振器振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示電路的雜散電容。

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