愛普生晶振,貼片晶振,MA-505晶振,石英SMD晶體,MA-505 40.0000M-C0:ROHS
頻率:4~64MHZ
尺寸:13.46*5.08mm
伴隨信息化社會的進程,現在石英晶振已被廣泛應用于各種電子設備以及家電產品之中,日趨重要. 愛普生拓優科夢(Epson — yocom)將進一步究極用精微加工發揮“石英”材料的優越性能的“QMEMS”技術,創造出更小、更高性能或全新功能的元器件;同時,融合愛普生集團的半導體與軟件技術增添便于使用、能讓顧客更體驗到利用價值的“解決方案”.通過上述工作,我們將為社會的發展以及實現更舒暢的未來而竭誠奉獻. 高端進口石英諧振器,低頻率陶瓷貼片晶振,MA-505晶振,"MA-505 40.0000M-C0:ROHS"

愛普生晶振,貼片晶振,MA-505晶振,石英SMD晶體,"MA-505 40.0000M-C0:ROHS",智能手機晶振,產品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領域.比如智能手機,無線通信,衛星導航,平臺基站等較高端的數碼產品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準時鐘源用頻率,貼片晶振具有優良的電氣特性,耐環境性能適用于移動通信領域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
石英晶振的研磨技術:通過對晶振切割整形后的晶片進行研磨,使無源晶振的晶片達到(厚度/頻率)的一定范圍。石英晶振晶片厚度與頻率的關系為:在壓電晶體行業,生產晶振頻率的高低是顯示鴻星技術水平的一個方面,通過理論與實際相結合,累積多年的晶振研磨經驗,通過深入細致地完善石英晶振研磨工藝技術,注重貼片晶振研磨過程的各種細節,注重晶振所用精磨研磨設備的選擇;注重所使用水晶、研磨砂的選擇等;注重石英晶振研磨用工裝如:游輪的設計及選擇,從而使研磨晶振晶片在平面度、平行度、彎曲度都有很好的控制,最終使可研磨的石英晶振晶片的厚度越來越薄,貼片晶振晶片的頻率越來越高,為公司在高頻石英晶振的研發生產打下堅實基礎,提升了晶振廠家的競爭力,使晶振廠家高頻石英晶振的研發及生產領先于國內其它公司 .高端進口石英諧振器,低頻率陶瓷貼片晶振,MA-505晶振
愛普生晶振 |
單位 |
MA-505晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
4.000MHZ~64.000MHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-55°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-20°C ~ +70°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
10~100μW Max. |
推薦:10μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標準), |
+25°C 對于超出標準的規格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30× 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
負載電容 |
CL |
5pF |
不同負載電容要求,請聯系我們. |
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
一般來說,微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下:鎘和CG是外部負載電容,其中已建成的芯片組。 (請參閱芯片組的規格)Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻。它的內置芯片一般設置。Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?。這個阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路。一個穩定的振蕩電路需要的負電阻,其值應是晶振阻力的至少五倍。它可寫為|-R|>5的Rr。例如,為了獲得穩定的振蕩電路中,IC的負電阻的值必須小于?200Ω時的SMD晶振電阻值是40Ω。負阻“的標準來評估一個振蕩電路的質量。在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會產生振蕩的“Q”值是低的。因此,這是非常重要的衡量負電阻(-R)以下說明:愛普生晶振,貼片晶振,MA-505晶振,石英SMD晶體,"MA-505 40.0000M-C0:ROHS"
線路連接的電阻(R)與陶瓷晶振串聯(2)從起點到振蕩的停止點調整R的值。(3)振蕩期間測量R的值。(4)你將能夠獲得負電阻的值,|•R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力。附:所連接的電路的雜散電容,可能會影響測定值。
如果晶振的參數是正常的,但它不工作穩步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅動電路。如果是這樣的話,我們有三種方法來改善這樣的情況:降低外部電容(Cd和CG)的值,并采用其他晶振具有較低負載電容(CL)。采用具有較低電阻(RR)的石英晶體諧振器。使用光盤和CG的不等價的設計。我們可以增加鎘(XOUT)的負載電容和降低CG(辛)的負載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。高端進口石英諧振器,低頻率陶瓷貼片晶振,MA-505晶振,"MA-505 40.0000M-C0:ROHS"

振蕩開始代替。表面陶瓷面晶振在基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個范圍內。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流,調節負電阻和勵磁。電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動。C1、C2電容器調節負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有給定負載能力,愛普生晶振,貼片晶振,MA-505晶振,石英SMD晶體,"MA-505 40.0000M-C0:ROHS"
適當的控制電阻值(RD)取決于諧振器的類型,頻帶和設備的價值。電容器(C1,C2)。精確值是通過進口貼片晶振測量振蕩電路的特性來確定的(包括負電阻和驅動級)。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個范圍內。?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序,在3 pF的范圍內- 33 pF左右,僅供參考。
此外,振蕩頻率與測量點不同。1。測量進口晶振緩沖輸出2。振蕩級輸出測量三.通過電容器測量振蕩級輸出圖5示出以上1-3個測量點和所測量的除緩沖器輸出外,振蕩頻率較低。
負載電容:如果石英諧振器振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示電路的雜散電容。
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