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京瓷晶振,有源晶振,KC2016B-C1晶振,KC2016B25.0000C1GE00晶振

頻率：1.5~50MHZ

尺寸：2.0*1.6mm

小體積貼片2016mm晶振,外觀小型,表面貼片型晶體振蕩器,因本身體積小等優勢,適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領域.小型,薄型,輕型具備優良的耐環境特性及高耐熱性強.滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

訂購熱線：0755-27837162

京瓷晶振,有源晶振,KC2016B-C1晶振,KC2016B25.0000C1GE00晶振, 石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術：是目前研發及生產高精度、高穩定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關鍵技術之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設計等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內。

貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產品被廣泛應用于,平板筆記本,衛星系統,光纖通道,千兆以太網,串行ATA,串行連接SCSI,PCI-EXPress的SDH / SONET發射基站等領域.符合RoHS/無鉛.

京瓷晶振集團在全球的事業涉及原料、零件、設備、機器，以及服務、網絡等各個領域。在集團內部，若將相關的有源晶振,壓控晶體振蕩器, 晶振,石英晶振, 石英晶體振蕩器等產品和事業視為一條生產線，其開發、生產、銷售以及物流等等，所有程序都被有機地結合起來，并且有效地利用現有經營資源，通過發揮協同效應，使其構筑得更加牢固。

京瓷晶振所有的生產線都具備順應時代變化的速度感，通過融合集團的獨特技術，進一步積極創造新產品、開拓新市場。為了回應客戶的期待，京瓷石英晶體振蕩器,有源晶振，石英晶振 ,壓控振蕩器,在價格、質量、服務等所有方面都滲透“客戶第一”的理念，不斷為全球市場奉獻新價值。

京瓷晶振規格	KC2016B-C1晶振
驅動輸出	CMOS
常用頻率	1.5~50MHZ
工作電壓	+1.6~3.63V（代表値）電源電圧は+1.7V～+3.3V範囲の任意の電圧で動作可能
靜態電流	（工作時）+1.2 mA max. (F≦15MHz) +1.4 mA max. (15＜F≦26MHｚ） +1.6 mA max. (F＞26MHz)（スタンバイ時）+1μA以下
TCXO輸出電壓	0.8Vp-p min.
TCXO輸出負載	（10kΩ//10pF) ±10％
常規溫度偏差	±20/30/50×10-6 (After 2 reflows)
頻率溫度偏差	±30×10-6/-40℃～+85℃
頻率溫度偏差	±50×10-6/-55℃～+125℃（オプション）

Kyocera日產有源兆赫茲晶振型號列表：

Series	Part Status	Frequency 頻率	Voltage - Supply電壓	Operating Temperature 工作溫度	Size / Dimension 尺寸	Height - Seated (Max)高度
KC2016B-C1, Kyocera	Active	25MHz	1.6 V ~ 3.63 V	-40°C ~ 85°C	0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)	0.022" (0.55mm)
KC2016B-C1, Kyocera	Active	25MHz	1.6 V ~ 3.63 V	-40°C ~ 85°C	0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)	0.022" (0.55mm)
KC2016B-C1, Kyocera	Active	25MHz	1.6 V ~ 3.63 V	-40°C ~ 85°C	0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)	0.022" (0.55mm)
KC2520C-C1, Kyocera	Active	38.4MHz	1.8V	-40°C ~ 85°C	0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)	0.028" (0.70mm)
KC2520C-C1, Kyocera	Active	38.4MHz	1.8V	-40°C ~ 85°C	0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)	0.028" (0.70mm)
KC2520C-C1, Kyocera	Active	38.4MHz	1.8V	-40°C ~ 85°C	0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)	0.028" (0.70mm)
KC5032A-C1, Kyocera	Active	100MHz	1.6 V ~ 3.63 V	-40°C ~ 85°C	0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)	0.047" (1.20mm)

Kyocera日產有源兆赫茲晶振代碼列表：

Manufacturer Part Number	Manufacturer	Series	Part Status	Frequency 頻率	Voltage - Supply電壓	Operating Temperature 工作溫度	Size / Dimension 尺寸	Height - Seated (Max)高度
KC2016B25.0000C1GE00	AVX Corp/Kyocera Corp	KC2016B-C1, Kyocera	Active	25MHz	1.6 V ~ 3.63 V	-40°C ~ 85°C	0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)	0.022" (0.55mm)
KC2016B25.0000C1GE00	AVX Corp/Kyocera Corp	KC2016B-C1, Kyocera	Active	25MHz	1.6 V ~ 3.63 V	-40°C ~ 85°C	0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)	0.022" (0.55mm)
KC2016B25.0000C1GE00	AVX Corp/Kyocera Corp	KC2016B-C1, Kyocera	Active	25MHz	1.6 V ~ 3.63 V	-40°C ~ 85°C	0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)	0.022" (0.55mm)
KC2520C38.4000C1LE00	AVX Corp/Kyocera Corp	KC2520C-C1, Kyocera	Active	38.4MHz	1.8V	-40°C ~ 85°C	0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)	0.028" (0.70mm)
KC2520C38.4000C1LE00	AVX Corp/Kyocera Corp	KC2520C-C1, Kyocera	Active	38.4MHz	1.8V	-40°C ~ 85°C	0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)	0.028" (0.70mm)
KC2520C38.4000C1LE00	AVX Corp/Kyocera Corp	KC2520C-C1, Kyocera	Active	38.4MHz	1.8V	-40°C ~ 85°C	0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)	0.028" (0.70mm)
KC5032A100.000C1GE00	AVX Corp/Kyocera Corp	KC5032A-C1, Kyocera	Active	100MHz	1.6 V ~ 3.63 V	-40°C ~ 85°C	0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)	0.047" (1.20mm)

KC2016B_c1_2.0_1.6

晶振產品使用每種產品時,請在CMOS晶振規格說明或產品目錄規定使用條件下使用。因很多種晶振產品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項也有所不同,比如焊接模式,運輸模式,保存模式等等,都會有所差別。京瓷晶振,有源晶振,KC2016B-C1晶振,KC2016B25.0000C1GE00晶振

2016晶振產品的設計和生產直到出廠,都會經過嚴格的測試檢測來滿足它的規格要求。通過嚴格的出廠前可靠性測試以提供高質量高的可靠性的石英晶振.但是為了石英晶振的品質和可靠性,必須在適當的條件下存儲,安裝,運輸。請注意以下的注意事項并在最佳的條件下使用產品,我們將對于客戶按自己的判斷而使用石英晶振所導致的不良不負任何責任。

機械振動的影響:當金屬面晶振產品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如：壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響。這種現象對通信器材通信質量有影響。盡管晶振產品設計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作。

此外，振蕩頻率與測量點不同。1。測量緩沖輸出2。振蕩級輸出測量三.通過電容器測量振蕩級輸出圖5示出以上1-3個測量點和所測量的除緩沖器輸出外，振蕩頻率較低。京瓷晶振,有源晶振,KC2016B-C1晶振,KC2016B25.0000C1GE00晶振

20181212163831

測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量2016低相位振蕩器頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過振蕩器的放大器時，可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應使用帶有小的內部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.

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晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在小體積MHZ系列晶振基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個范圍內。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調節負電阻和勵磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動。C1、C2電容器調節負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有給定負載能力。

適當的控制電阻值（RD）取決于諧振器的類型，頻帶和設備的價值。電容器（C1，C2）。精確值是通過2016金屬面晶振測量振蕩電路的特性來確定的（包括負電阻和驅動級）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個范圍內。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內- 33 pF左右，僅供參考。

20181212163842