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百利通亞陶晶振,貼片晶振,FY晶振

頻率：8.000MHz~125.000MHz

尺寸：5.0*3.2*0.9mm

普通石英晶振,外觀完全使用金屬材料封裝的,產(chǎn)品本身采用全自動(dòng)石英晶體檢測儀,以及跌落,漏氣等苛刻實(shí)驗(yàn).產(chǎn)品本身具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性,采用編帶包裝,可對應(yīng)產(chǎn)品應(yīng)用到自動(dòng)貼片機(jī)告訴安裝,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

訂購熱線：0755-27837162

BLT-2 Diodes 的圓柱晶振生產(chǎn)設(shè)施位于密蘇里州堪薩斯市及曼徹斯特，另外在中國上海亦設(shè)有一座生產(chǎn)設(shè)施。Diodes 在中國上海、濟(jì)南、成都、揚(yáng)州，以及香港、紐豪斯及臺(tái)北設(shè)有組裝與測試設(shè)施。另外在多個(gè)據(jù)點(diǎn)設(shè)有工程、銷售、倉儲(chǔ)及物流辦公室，包括臺(tái)北、香港、曼徹斯特、中國上海、深圳、南韓城南市以及德國慕尼黑，并于世界各地設(shè)有支持辦公室。百利通亞陶晶振,貼片晶振,FY晶振

百利通亞陶石英晶振環(huán)保環(huán)境與發(fā)展對策：實(shí)行可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略.采取有效措施,防治工業(yè)污染.提高能源利用效率,改善能源結(jié)構(gòu).運(yùn)用經(jīng)濟(jì)手段保護(hù)環(huán)境.大力推進(jìn)科技進(jìn)步,加強(qiáng)環(huán)境科學(xué)研究,積極發(fā)展環(huán)境保護(hù)產(chǎn)業(yè).健全環(huán)境法規(guī),強(qiáng)化環(huán)境管理.加強(qiáng)環(huán)境教育,不斷提高環(huán)境意識(shí).向員工灌輸環(huán)境價(jià)值觀,在所有的晶振,石英晶振,有源晶振,溫補(bǔ)晶振產(chǎn)品和生產(chǎn)過程中應(yīng)用最佳環(huán)境實(shí)用技術(shù),為全球可持續(xù)發(fā)展做出貢獻(xiàn).

JLX-1

BLT-1

百利通亞陶晶振,貼片晶振,FY晶振.小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動(dòng)化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無線通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
亞陶石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù)：貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù)，最終使晶振晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，降低諧振電阻，提高Q值。從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能，使石英晶振的等效電阻等更接近理論值，使晶振可在更低功耗下工作。使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài)。FY2400053晶振,5*3.2mm四腳貼片晶體,FY晶振

JLX-2

RB-2

亞陶晶振	單位	FY晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	8.000MHz~125.000MHz	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55°C ~+125°C	裸存
工作溫度	T_use	-20°C~+70°C/-40°C~+85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	10μW Max.	推薦:1μW~100μW
頻率公差	f_— l	±10×10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±10×10-6~ ±50 ×10-6 可用)	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.zrwej.cn
頻率溫度特征	f_tem	±30~±50× 10-6/-40°C ~+85°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	8pF~32pF	不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C ~ +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

JLX-3

RB-3

FY 5032

JLX-4

操作
請勿用鑷子或任何堅(jiān)硬的工具，夾具直接接觸IC的表面。百利通亞陶晶振,貼片晶振,FY晶振
使用環(huán)境（溫度和濕度）
請?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用貼片晶振。這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下，會(huì)由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。
激勵(lì)功率
在晶體單元上施加過多驅(qū)動(dòng)力，會(huì)導(dǎo)致石英晶體諧振器特性受到損害或破壞。電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率（請參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容）。
負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻，否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加（請參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容）。FY2400053晶振,5*3.2mm四腳貼片晶體,FY晶振
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致臺(tái)產(chǎn)晶振振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強(qiáng)力調(diào)整，可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前，請指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容（請參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）。

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RB-5

振蕩電路的檢查方法
振蕩頻率測量
必須盡可能地測量安裝在電路上的的5032貼片晶振振蕩頻率的真實(shí)值，
使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中，通常使用探頭和頻率計(jì)數(shù)器。然而,
我們的目標(biāo)是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。
有三種頻率測量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最
精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實(shí)現(xiàn)的。
接觸振蕩電路。百利通亞陶晶振,貼片晶振,FY晶振
探針不影響圖2，因?yàn)榫彌_器的輸出是通過輸入振蕩電路的輸出來測量的。
逆變器進(jìn)入下一階段。
探針不影響圖3，因?yàn)樵贗C上測量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。
圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況，由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。
輸出點(diǎn)之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。
然而，應(yīng)該注意到，使用這種方法5032金屬面四腳石英晶體輸出波形較小，測量不能依賴于
即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計(jì)數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來測量。FY2400053晶振,5*3.2mm四腳貼片晶體,FY晶振