愛普生晶振,貼片晶振,FA-238V晶振,無源石英晶振,FA-238V 12.0000MB-K3
頻率:12~15.999MHZ
尺寸:3.2*2.5*0.7mm
日本精工愛普生接受了中國蘇州政府2007 年的招商引資,命名為【愛普生拓優(yōu)科夢水晶元器件(蘇州)有限公司】 愛普生拓優(yōu)科夢(Epson Toyocom)是精工愛普生株式會社與愛普生(中國)有限公司共同投資成立的有限責任公司(外商合資).目前注冊資本2500萬美金.現(xiàn)員工人數(shù):1500人.主要從事壓電石英晶振系列產品的生產,投資初期主要生產32.768KHZ系列產品,從2009年起32.768K系列產品轉向馬來西亞量產.蘇州愛普生工廠就以生產高端的石英晶體振蕩器為主,普通石英晶體諧振器為輔.,"FA-238V 12.0000MB-K3"
愛普生晶振,貼片晶振,FA-238V晶振,無源石英晶振,"FA-238V 12.0000MB-K3",超小型表面貼片型SMD晶振,最適合使用在汽車電子領域中,也是特別要求高可靠性的引擎控制用CPU的時鐘部分.低頻晶振可從7.98MHz起對應,小型,超薄型具備強防焊裂性,石英晶體在極端嚴酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接以及高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標準.
晶振的真空封裝技術:是指SMD晶振在真空封裝區(qū)域內進行封裝。1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產生;2.使晶振組件在真空下電阻減小;3.氣密性高。此技術為研發(fā)及生產超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關鍵技術之一。貼片晶振晶片邊緣處理技術:貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應,在實際操作中機器運動方式設計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設計必須合理,有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定。
愛普生晶振 |
單位 |
FA-238V晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
12.000MHZ~15.999MHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +105°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±15 × 10-6 (標準), |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負載電容 |
CL |
7pF |
不同負載電容要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
4:粘合劑:請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能。) 5:鹵化合物:請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。6:靜電:過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。
PCB設計指導:(1) 理想情況下,機械蜂鳴器應安裝在一個獨立于進口石英晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當應用于PCB板本身或PCB板體內部時,機械振動程度有所不同。建議遵照內部板體特性。(2) 在設計時請參考相應的推薦封裝。(3) 在使用焊料助焊劑時,按JIS標準(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。(4) 請按JIS標準(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。

驅動能力:驅動能力說明3225貼片晶振振蕩晶體單元所需電功率,其計算公式如下:驅動能力 (P) = i2?Re其中i表示經過晶體單元的電流,Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。愛普生晶振,貼片晶振,FA-238V晶振,無源石英晶振,"FA-238V 12.0000MB-K3"
工控晶振測試條件:(1) 電源電壓? 超過 150µs,直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。? 電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他? 輸入電容低于 15 pF? 5倍頻率范圍或更多測量頻率。? 鉛探頭應盡可能短。? 測量頻率時,探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過振蕩器的放大器時,可同時進行測量。(3) 其他? CL包含探頭電容。? 應使用帶有小的內部阻抗的電表。? 使用微型插槽,以觀察波形。(請勿使用該探頭的長接地線)
振蕩電路:晶體諧振器是無源元件,因此受到石英SMD水晶発振器電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和異常運行。因此,在振蕩電路的設計中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動安全穩(wěn)定。只有在做出了這個決定之后,后續(xù)的項目,例如討論了頻率精度、頻率變化、調制度、振蕩起始時間和振蕩波形。
角色的分量與參考值:在振蕩電路的設計中,必須認識到3225mm貼片晶振個體的作用。組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來描述角色。(圖1)使用一個通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。當反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時,如圖所示表1,即使在振蕩功率作用下,諧振器也不會啟動振蕩。電路。除非有適當值的電阻器連接,否則振蕩不會啟動。晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。
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