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KDS晶振,貼片晶振,DST1610AL晶振
頻率：32.768KHZ
尺寸：1.6*1.0mm
晶振技術參數點擊下載
日本大真空株式會社,【KDS】品牌,實力見證未來,KDS集團總公司位于日本兵庫縣加古川,在泰國,印度尼西亞,臺灣,中國天津這些大城市均有生產工廠,而天津KDS工廠是全球石英晶振生產最大量的工廠,自從1993年在天津投產以來,技術更新從未間斷,從最初的32.768K晶振為主,到現在以小體積貼片石英晶體振蕩器為主,體積已經是全世界石英晶體振蕩器之中最小的.
KDS晶振,貼片晶振,DST1610AL晶振,貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發展的高端電子數碼產品,小型化要求的市場領域,比如智能手機,無線藍牙,平板電腦等電子數碼產品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優良的耐環境特性,如耐熱性,耐沖擊性
|
KDS晶振 |
單位 |
DST1610AL晶振 |
石英晶振基本條件 |
|
標準頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標準頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ～ +125°C |
裸存 |
|
工作溫度 |
T_use |
-40°C ～ +85°C |
標準溫度 |
|
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ～ 100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標準), |
+25°C 對于超出標準的規格說明, |
|
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
|
負載電容 |
CL |
12.5pF ～ ∞ |
不同負載要求,請聯系我們. |
|
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
|
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
石英晶體單元/諧振器
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅動力，會導致石英晶振特性受到損害或破壞。電路設計必須能夠維持適當的激勵功率 （請參閱“激勵功率”章節內容）。
負極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻，否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加（請參閱“關于振蕩”章節內容）。
負載電容
振蕩電路中負載電容的不同，可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差。試圖通過強力調整，可能只會導致不正常的振蕩。在使用之前，請指明該振動電路的負載電容。
晶體振蕩器和實時時鐘模塊
所有石英晶體振蕩器和實時時鐘模塊都以IC形式提供。
噪音
在電源或輸入端上施加執行級別(過高)的不相干(外部的)噪音，可能導致會引發功能失?；驌舸┑拈]門或雜散現象。KDS晶振,貼片晶振,DST1610AL晶振
1、振蕩電路
石英晶體諧振器是無源元件，因此受到電源電壓、環境溫度、電路的影響。
配置、電路常數和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和
異常運行。因此，在振蕩電路的設計中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。
晶體諧振器的振動安全穩定。只有在做出了這個決定之后，后續的項目，例如
討論了頻率精度、頻率變化、調制度、振蕩起始時間和振蕩波形。
2。角色的分量與參考值
在振蕩電路的設計中，必須認識到個體的作用。
組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來描述角色。
（圖1）使用一個通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。
當反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時，如圖所示
表1，即使在振蕩功率作用下，諧振器也不會啟動振蕩。
電路。除非有適當值的電阻器連接，否則振蕩不會啟動。
晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。
振蕩開始代替。在基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在
泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個范圍內。
K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個電阻10米或更?。
限制流入諧振器的電流，調節負電阻和勵磁。
電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動。
C1、C2電容器調節負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有
給定負載能力。
適當的控制電阻值（RD）取決于諧振器的類型，頻帶和設備的價值。
電容器（C1，C2）。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的（包括
負電阻和驅動級）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個范圍內。
?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。
安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和
振蕩的順序，在3 pF的范圍內- 33 pF左右，僅供參考。
公司名：深圳市金洛鑫電子有限公司
聯系人：茹紅青
手機：13510569637
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搜狐公眾號：晶振石英晶振NDK晶振
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