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Statek晶振,貼片晶振,CX1VHT晶振

頻率：10.000KHz~600.000KHz

尺寸：8.38*3.94*1.78mm

貼片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動(dòng)化,家電領(lǐng)域,移動(dòng)通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無(wú)鉛標(biāo)準(zhǔn),滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求.

訂購(gòu)熱線：0755-27837162

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Statek提供高精確度和高質(zhì)量的貼片晶振的醫(yī)療應(yīng)用。產(chǎn)品包裝尺寸小，功耗低，穩(wěn)定性好。我們是世界一流醫(yī)療器械制造商的信賴供應(yīng)商。Statek在陶瓷封裝中使用玻璃或陶瓷外殼組裝晶體諧振器。Statek產(chǎn)品比機(jī)械制造的水晶產(chǎn)品要小得多。Statek晶體、振蕩器和傳感器的典型特征是:高穩(wěn)定性和精密頻率，低長(zhǎng)期老化，，低功耗，非常小的足跡，優(yōu)秀的耐沖擊性，超低調(diào)，在美國(guó)設(shè)計(jì)和制造和設(shè)計(jì)能力。
Statek的晶體和石英振蕩器非常堅(jiān)固，使其成為對(duì)環(huán)境要求較高的應(yīng)用的絕佳選擇。我們的晶體和振蕩器可以承受高達(dá)100,000克的沖擊，并且堅(jiān)固耐用。Statek為醫(yī)療應(yīng)用提供高精度和高質(zhì)量的石英晶體。我們的產(chǎn)品具有小封裝尺寸，低功耗和高穩(wěn)定性。我們是全球領(lǐng)先的植入式醫(yī)療設(shè)備制造商值得信賴的供應(yīng)商。

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Statek晶振,貼片晶振,CX1VHT晶振.32.768K時(shí)鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體諧振器,本身具有耐熱,耐振,耐沖擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,工作溫度范圍：-55OC ~+200OC，最適合使用在汽車電子領(lǐng)域中,也是特別要求高可靠性的引擎控制用CPU的時(shí)鐘部分.
Statek石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù)：是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。無(wú)源晶體該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng)，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內(nèi)。

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STATEK晶振	單位	CX1VHT晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	32.768KHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55°C~ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-55°C ~+200°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	0.5μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±30 × 10^-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±30× 10^-6~±200× 10^-6 可用)	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息, http://www.zrwej.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-55°C ~ +200°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	9pF	不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5× 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

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操作
請(qǐng)勿用鑷子或任何堅(jiān)硬的工具，夾具直接接觸IC的表面。Statek晶振,貼片晶振,CX1VHT晶振
使用環(huán)境（溫度和濕度）
請(qǐng)?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用耐高溫晶振。這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下，會(huì)由于凝露引起故障。請(qǐng)避免凝露的產(chǎn)生。
激勵(lì)功率
在晶體單元上施加過(guò)多驅(qū)動(dòng)力，會(huì)導(dǎo)致時(shí)鐘晶振特性受到損害或破壞。電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率（請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容）。
負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻，否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加（請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容）。
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致石英晶體諧振器振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過(guò)強(qiáng)力調(diào)整，可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前，請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容（請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）。

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設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)
1.驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說(shuō)明陶瓷貼片晶振單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：
驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過(guò)晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。Statek晶振,貼片晶振,CX1VHT晶振

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2.振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加耐高溫陶瓷面晶振振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。

3.負(fù)載電容
如果高穩(wěn)定晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。

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