Statek晶振,貼片晶振,CX11L晶振,石英SMD諧振器
頻率:16~26.5MHZ
尺寸:3.2*1.5mm
Statek晶振公司是設計和制造高可靠性頻率控制產品的領導者,它宣布了DFXO石英晶體振蕩器的發布。微分輸出石英晶體振蕩器可用LVDS和LVPECL輸出。這5毫米x7毫米高頻(20 MHz到300mhz)振蕩器的特點是低相位噪聲和低相位抖動,達到155.52 MHz的基本晶體頻率。適用于Xilinx FPGA參考時鐘應用。提出了擴展工業溫度范圍(-40°C + 105°C)。內部解耦電容;不需要外部電容器。
超小型、超低頻石英晶振晶片的邊緣處理技術:是超小型、超低頻石英晶振晶體元器件研發及生產必須解決的技術問題,為壓電石英晶體行業的技術難題之一。具體解決的辦法是使用高速倒邊方式,通過結合以往低速滾筒倒邊去除晶振晶片的邊緣效應,在實際操作中機器運動方式設計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設計必須合理,有一項不完善都會使石英晶振晶片的邊緣效應不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動不穩定。智能通訊進口晶振,3.2*1.5mm音叉型表晶,CX11L晶振
STATEK晶振 |
單位 |
CX11L晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
16~26.5MHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-55°C~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-10°C ~+125°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:200μW |
頻率公差 |
f_— l |
±100 × 10-6 (標準), |
+25°C 對于超出標準的規格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-55°C ~ +200°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
負載電容 |
CL |
10pF |
不同負載要求,請聯系我們. |
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-55°C — +200°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
晶振產品使用每種產品時,請在石英進口晶振規格說明或產品目錄規定使用條件下使用。因很多種晶振產品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項也有所不同,比如焊接模式,運輸模式,保存模式等等,都會有所差別。
晶振產品的設計和生產直到出廠,都會經過嚴格的測試檢測來滿足它的規格要求。通過嚴格的出廠前可靠性測試以提供高質量高的可靠性的無源SMD晶振.但是為了石英晶振的品質和可靠性,必須在適當的條件下存儲,安 裝,運輸。請注意以下的注意事項并在最佳的條件下使用產品,我們將對于客戶按自己的判斷而使用石英晶振所導致的不良不負任何責任。智能通訊進口晶振,3.2*1.5mm音叉型表晶,CX11L晶振
此外,振蕩頻率與測量點不同。1。測量緩沖輸出2。振蕩級輸出測量三.通過無源貼片晶振電容器測量振蕩級輸出圖5示出以上1-3個測量點和所測量的除緩沖器輸出外,振蕩頻率較低。Statek晶振,貼片晶振,CX11L晶振,石英SMD諧振器
驅動能力:驅動能力說明小體積陶瓷面晶振振蕩晶體單元所需電功率,其計算公式如下:驅動能力 (P) = i2?Re其中i表示經過晶體單元的電流,Re表示晶體單元的有效電阻,而且Re=R1(1+Co/CL).
晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個范圍內。K?-?幾十K。在3215石英晶體諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流,調節負電阻和勵磁。電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動。C1、C2電容器調節負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有給定負載能力。
適當的控制電阻值(RD)取決于晶體諧振器的類型,頻帶和設備的價值。電容器(C1,C2)。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的(包括負電阻和驅動級)。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個范圍內。?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序,在3 pF的范圍內- 33 pF左右,僅供參考。
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
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